Екзоемісійна спектроскопія дефектів опромінених поверхонь кристалів CsI
The interconnection between the radiation segregation of the defects in the nominally clean and doped cesium iodide, their state of “aggregation”, and the phenomenon of thermally stimulated exoelectron emission has been studied. Radiation defects types were determined – electron and hole color cente...
Gespeichert in:
| Datum: | 2013 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2013
|
| Online Zugang: | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/215 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
Institution
Chemistry, Physics and Technology of Surface| _version_ | 1856543819969855488 |
|---|---|
| author | Galiy, P. V. Nenchuk, T. N. Tuziak, O. Ya. Jarovets, I. R. |
| author_facet | Galiy, P. V. Nenchuk, T. N. Tuziak, O. Ya. Jarovets, I. R. |
| author_sort | Galiy, P. V. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2022-06-29T10:19:18Z |
| description | The interconnection between the radiation segregation of the defects in the nominally clean and doped cesium iodide, their state of “aggregation”, and the phenomenon of thermally stimulated exoelectron emission has been studied. Radiation defects types were determined – electron and hole color centers playing the leading part in the thermostimulated exoelectron emission of the CsI in the wide range of electron and ultraviolet irradiation densities and doses. It has been shown that the method of exoelectronic emissive spectroscopy of radiation-exited CsI is capable for impurities detection of these crystals at the early stages of defects formation and can be used for the comparison of radiation resistance of the crystals as well. Critical capacity and absorbed doses at room temperature have been estimated causing surface destruction and radiation-induced defect formation in the crystals. Radiation damage results in surface destruction and in segregation of the of some component. |
| first_indexed | 2025-07-22T19:31:09Z |
| format | Article |
| id | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-215 |
| institution | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-17T12:07:04Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-2152022-06-29T10:19:18Z Exoemissive spectroscopy of the CsI irradiated surfaces defects Экзоэмиссионная спектроскопия дефектов облученных поверхностей кристаллов CsI Екзоемісійна спектроскопія дефектів опромінених поверхонь кристалів CsI Galiy, P. V. Nenchuk, T. N. Tuziak, O. Ya. Jarovets, I. R. The interconnection between the radiation segregation of the defects in the nominally clean and doped cesium iodide, their state of “aggregation”, and the phenomenon of thermally stimulated exoelectron emission has been studied. Radiation defects types were determined – electron and hole color centers playing the leading part in the thermostimulated exoelectron emission of the CsI in the wide range of electron and ultraviolet irradiation densities and doses. It has been shown that the method of exoelectronic emissive spectroscopy of radiation-exited CsI is capable for impurities detection of these crystals at the early stages of defects formation and can be used for the comparison of radiation resistance of the crystals as well. Critical capacity and absorbed doses at room temperature have been estimated causing surface destruction and radiation-induced defect formation in the crystals. Radiation damage results in surface destruction and in segregation of the of some component. Исследована взаимосвязь радиационного накопления дефектов в кристаллах номинально чистого и легированного иодида цезия и их «агрегатного» состояния с явлением термостимулированной экзоэлектронной эмиссии. Установлены типы радиационных дефектов – электронных и дырочных центров окраски, которые играют определяющую роль в термостимулированной экзоэмиссии кристалла СsI в широком диапазоне плотностей и доз электронного и ультрафиолетового облучения. Показано, что метод экзоэлектронной эмиссионной спектроскопии радиационно-возбуждённых кристаллов CsI применим для регистрации начальных стадий дефектообразования на поверхности, присутствия примесей в этих кристаллах, а также для сравнения их радиационной стойкости. Оценены критические мощности и поглощенные дозы облучения при комнатных температурах, приводящие к деструкции поверхности, накоплению дефектов в кристаллах и радиационному разрушению их поверхностей с возможным выделением фазы одной из их компонент. Для кристалів номінально чистого та легованого йодиду цезію досліджено взаємозв’язок радіаційного накопичення дефектів поверхні та приповерхневого шару кристалу, їх «агрегатного» стану з явищем термостимульованої екзоелектронної емісії. Визначено типи радіаційних дефектів – електронних і діркових центрів забарвлення, які відіграють визначальну роль у термостимульованій екзолектронній емісії кристала СsI у широкому діапазоні потужностей й поглинутих доз електронного і ультрафіолетового опромінення. Показано, що метод екзоелектронної емісійної спектроскопії радіаційно-збуджених кристалів CsI придатний для реєстрації початкових стадій дефектоутворення на поверхні, присутності домішок у цих кристалах, а також для порівняння радіаційної стійкості кристалів. Оцінені критичні потужності і поглинуті дози опромінення при кімнатних температурах, що приводять до деструкції поверхні, накопичення дефектів у кристалах та радіаційного руйнування їх поверхонь з можливим виділенням фази однієї з їх компонент. Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2013-05-01 Article Article application/pdf https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/215 Chemistry, Physics and Technology of Surface; Vol. 4 No. 2 (2013): Chemistry, Physics and Technology of Surface / Himia, Fizika ta Tehnologia Poverhni; 132-150 Химия, физика и технология поверхности; Том 4 № 2 (2013): Химия, физика и технология поверхности; 132-150 Хімія, фізика та технологія поверхні; Том 4 № 2 (2013): Хімія, фізика та технологія поверхні; 132-150 2518-1238 2079-1704 10.15407/hftp04.02 uk https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/215/212 Copyright (c) 2013 P. V. Galiy, T. N. Nenchuk, O. Ya. Tuziak, I. R. Jarovets |
| spellingShingle | Galiy, P. V. Nenchuk, T. N. Tuziak, O. Ya. Jarovets, I. R. Екзоемісійна спектроскопія дефектів опромінених поверхонь кристалів CsI |
| title | Екзоемісійна спектроскопія дефектів опромінених поверхонь кристалів CsI |
| title_alt | Exoemissive spectroscopy of the CsI irradiated surfaces defects Экзоэмиссионная спектроскопия дефектов облученных поверхностей кристаллов CsI |
| title_full | Екзоемісійна спектроскопія дефектів опромінених поверхонь кристалів CsI |
| title_fullStr | Екзоемісійна спектроскопія дефектів опромінених поверхонь кристалів CsI |
| title_full_unstemmed | Екзоемісійна спектроскопія дефектів опромінених поверхонь кристалів CsI |
| title_short | Екзоемісійна спектроскопія дефектів опромінених поверхонь кристалів CsI |
| title_sort | екзоемісійна спектроскопія дефектів опромінених поверхонь кристалів csi |
| url | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/215 |
| work_keys_str_mv | AT galiypv exoemissivespectroscopyofthecsiirradiatedsurfacesdefects AT nenchuktn exoemissivespectroscopyofthecsiirradiatedsurfacesdefects AT tuziakoya exoemissivespectroscopyofthecsiirradiatedsurfacesdefects AT jarovetsir exoemissivespectroscopyofthecsiirradiatedsurfacesdefects AT galiypv ékzoémissionnaâspektroskopiâdefektovoblučennyhpoverhnostejkristallovcsi AT nenchuktn ékzoémissionnaâspektroskopiâdefektovoblučennyhpoverhnostejkristallovcsi AT tuziakoya ékzoémissionnaâspektroskopiâdefektovoblučennyhpoverhnostejkristallovcsi AT jarovetsir ékzoémissionnaâspektroskopiâdefektovoblučennyhpoverhnostejkristallovcsi AT galiypv ekzoemísíjnaspektroskopíâdefektívopromínenihpoverhonʹkristalívcsi AT nenchuktn ekzoemísíjnaspektroskopíâdefektívopromínenihpoverhonʹkristalívcsi AT tuziakoya ekzoemísíjnaspektroskopíâdefektívopromínenihpoverhonʹkristalívcsi AT jarovetsir ekzoemísíjnaspektroskopíâdefektívopromínenihpoverhonʹkristalívcsi |