Зображення обкладинки

Екзоемісійна спектроскопія дефектів опромінених поверхонь кристалів CsI

The interconnection between the radiation segregation of the defects in the nominally clean and doped cesium iodide, their state of “aggregation”, and the phenomenon of thermally stimulated exoelectron emission has been studied. Radiation defects types were determined – electron and hole color cente...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2013
Автори:	Galiy, P. V., Nenchuk, T. N., Tuziak, O. Ya., Jarovets, I. R.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2013
Онлайн доступ:	https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/215
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Chemistry, Physics and Technology of Surface

Репозитарії

Chemistry, Physics and Technology of Surface

Схожі ресурси

Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3
за авторством: Galiy, P. V.
Опубліковано: (2014)

Luminescence modification of CsI crystal activated by CsCI impurity
за авторством: Voloshinovskii, A., та інші
Опубліковано: (2007)

Defect formation in CsI-CsBr mixed crystals
за авторством: Garapyn, I.V., та інші
Опубліковано: (2005)

On the behavior of europium oxocompounds in molten CsI
за авторством: Cherginets, V.L., та інші
Опубліковано: (2010)

Radiation damage of CsI:Eu crystals
за авторством: Gektin, A., та інші
Опубліковано: (2013)

Optical and scintillation properties of CsI:In crystals
за авторством: Gridin, S., та інші
Опубліковано: (2013)

On features of deoxidization of CsI melt with zirconium getter
за авторством: Datsko, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2016)

Afterglow suppression in CsI crystal by Eu²⁺ doping
за авторством: Shiran, N., та інші
Опубліковано: (2011)

Luminescence properties of CsI:Tl crystals codoped with Eu
за авторством: Nagarkar, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Сцинтилляционный отклик кристаллов CsI(Tl) и CsI(Na) на возбуждение рентгеновскими и гамма-квантами низких энергий
за авторством: Кудин, А.М., та інші
Опубліковано: (2001)

CsI(TI) films: deposition, examination of structure and scintillation
за авторством: Lebedinsky, A., та інші
Опубліковано: (2007)

Structural dependence of CsI(Tl) film scintillation properties
за авторством: Ananenko, A., та інші
Опубліковано: (2004)

Spectral and kinetic characteristics of luminescence in CsI-Ca crystals
за авторством: Myagkota, S.V., та інші
Опубліковано: (2008)

The effect of oxygen-containing anions on luminescent properties of CsI
за авторством: Shpilinskaya, L.N., та інші
Опубліковано: (2000)

Radiation-induced processes and defects in purified CsI crystals
за авторством: Garapyn, I., та інші
Опубліковано: (2007)

Дослідження рекомбінаційних і електричних властивостей кристалів p-Si, опромінених електронами
за авторством: Pagava, T.A., та інші
Опубліковано: (2012)

Time-resolved luminescence spectroscopy study of CsI:Eu crystal
за авторством: Yakovlev, V., та інші
Опубліковано: (2013)

Scintillation characteristics of heavily doped CsI:Tl, IO₃ crystals
за авторством: Shpilinskaya, A.L., та інші
Опубліковано: (2019)

Структурнi дослiдження поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалiв In4Se3 методом дифракцiї повiльних електронiв
за авторством: Galiy, P. V., та інші
Опубліковано: (2018)

Наноструктурні дослідження поверхонь (100) кристалів In₄Se₃, інтеркальованих сріблом
за авторством: Галій, П.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Разработка промышленных методов получения позиционно чувствительных детекторов CsI(Na)
за авторством: Бояринцев, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2010)

Engineering of long length CsI:Tl scintillators for high energy physics
за авторством: Zosim, D.I., та інші
Опубліковано: (2015)

Suppression mechanism of millisecond afterglow in CsI:Tl crystals by Eu²⁺ impurity
за авторством: Kudin, A.M., та інші
Опубліковано: (2009)

Suppression mechanism of millisecond afterglow in CsI:Tl crystals by Eu²⁺ impurity
за авторством: Kudin, A.M., та інші
Опубліковано: (2009)

Электронный спектр поглощения твердых растворов системы RbI–AgI–CsI
за авторством: Юнакова, О.Н., та інші
Опубліковано: (2006)

Study of deoxidization process of CsI melt by the action of "Zr-Pt" galvanic couple
за авторством: Cherginets, V.L., та інші
Опубліковано: (2016)

Causes of instability in the spectrometric characteristics of CsI:Ti crystals with a matt surface
за авторством: A. V. Shkoropatenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Calibrator of radioactive preparation doses for nuclear medicine based on CsI(Tl) crystals
за авторством: Borodenko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2011)

Пик внутреннего трения в монокристалле CsI в области гелиевых температур
за авторством: Смирнов, С.Н., та інші
Опубліковано: (1998)

Influence of color centers on the luminescent response of radiation-damaged CsI:Tl crystal
за авторством: Yakovlev, V., та інші
Опубліковано: (2018)

Причины нестабильности спектрометрических характеристик кристаллов CsI:Tl с матированной поверхностью
за авторством: Шкоропатенко, А.В., та інші
Опубліковано: (2015)

Особливості структури сколотих поверхонь шаруватих кристалів GaSe‹Sn›
за авторством: Pashayev, A. M., та інші
Опубліковано: (2011)

Особливості відпалу радіаційних дефектів в монокристалах n-Ge, опромінених електронами ви-соких енергій
за авторством: Luniov, S. V., та інші
Опубліковано: (2019)

A possible reason for non-proportionality of response in NaI:Tl and CsI:Tl scintillation crystals
за авторством: Kudin, A.M., та інші
Опубліковано: (2006)

On some features of low-temperature mixed crystallization of CsI solutions obtained from industrial wastes
за авторством: Boyarintsev, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2017)

Определение растворимости оксидов никеля и цинка в расплаве CsI при 700 °С
за авторством: Чергинец, В.Л., та інші
Опубліковано: (2010)

Investigation of scintillation characteristics for CsI:TI and Nal:TI crystals under different surface treatment conditions
за авторством: Andryushchenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2006)

Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів
за авторством: Федосов, А.В., та інші
Опубліковано: (2010)

Factors influencing on obtaining a light output homogeneous distribution along long-length detectors based on CsI(Tl) scintillators
за авторством: Zosim, D.I.
Опубліковано: (2018)

Thermal lag of the growth furnace heating assembly at CsI(Na) crystal growing fron constant melt volume on a seed
за авторством: Goriletsky, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)