Дослідження особливостей фізико-хімічних процесів формування нанорозмірних віскерів ZnO
We propose a procedure for synthesis of nanometer-sized thread-like zinc oxide crystals by gas epitaxis via the mechanism ”vapor-liquid-crystal” (VLC). Arrays of statistically distributed nano-whiskers on polished silicon substrates were prepared. Samples were studied by x-ray diffraction analysis a...
Saved in:
| Date: | 2008 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2008
|
| Online Access: | https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/281 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Surface |
| Download file: |  |
Institution
Surface| _version_ | 1869291392064290816 |
|---|---|
| author | Gorbyk, P. P. Dubrovin, I. V. Demchenko, Yu. O. Filonenko, M. M. Dadykin, O. A. |
| author_facet | Gorbyk, P. P. Dubrovin, I. V. Demchenko, Yu. O. Filonenko, M. M. Dadykin, O. A. |
| author_institution_txt_mv | [
{
"author": "P. P. Gorbyk",
"institution": "Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України"
},
{
"author": "I. V. Dubrovin",
"institution": "Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України"
},
{
"author": "Yu. O. Demchenko",
"institution": "Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України"
},
{
"author": "M. M. Filonenko",
"institution": "Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України"
},
{
"author": "O. A. Dadykin",
"institution": "Інститут фізики Національної академії наук України"
}
] |
| author_sort | Gorbyk, P. P. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2018-11-27T09:40:34Z |
| description | We propose a procedure for synthesis of nanometer-sized thread-like zinc oxide crystals by gas epitaxis via the mechanism ”vapor-liquid-crystal” (VLC). Arrays of statistically distributed nano-whiskers on polished silicon substrates were prepared. Samples were studied by x-ray diffraction analysis and scanning electron microscopy (SEM). Nano-whiskers were found to have wurzite structure and size of d ~ 10 nm. Field electron emission was revealed at average electric fields ~105 V/cm and local current density ~10 А/см2. |
| first_indexed | 2025-07-22T19:31:44Z |
| format | Article |
| fulltext |
Химия, физика и технология поверхности. 2008. Вып. 14. С. 275 – 281
275
НАНОМАТЕРИАЛЫ И НАНОТЕХНОЛОГИИ
УДК 538.975;533.2
ДОСЛІДЖЕННЯ ОСОБЛИВОСТЕЙ
ФІЗИКО-ХІМІЧНИХ ПРОЦЕСІВ ФОРМУВАННЯ
НАНОРОЗМІРНИХ ВІСКЕРІВ ZnO
П.П. Горбик1, І.В. Дубровін1, Ю.О. Демченко1,
М.М. Філоненко1, О.А. Дадикін2
1Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України
вул. Генерала Наумова 17, 03164, Київ-164
2Інститут фізики Національної академії наук України
Проспект Науки 46, 03028 Kиїв-28
Запропоновано методику синтезу нанометрових ниткоподібних кристалів
оксиду цинку методом газової епітаксії по механізму «пар-рідина-кристал» (ПРК).
Одержано масиви статистично розподілених нановіскерів на полірованих кремнієвих
підкладинках. Зразки досліджені методами рентгенофазового аналізу та растрової
електронної мікроскопії (РЕМ). Встановлено, що нановіскери мають вюрцитну
структуру, d нановіскерів ~ 10 нм. Виявлено польову електронну емісію при середніх
електричних полях ~105 В/см та локальній густині струму ~10 А/см2.
Вступ
Підвищена увага до матеріалів в нанорозмірному стані обумовлена комплексом
унікальних властивостей, поєднання яких в матеріалах з макроскопічною структурою є
теоретично неможливим. Таким чином, використання нанорозмірного стану відкриває
можливості для здійснення технологічного прориву у створенні матеріалів з унікальни-
ми функціональними властивостями.
Напівпровідникові нанорозмірні нитковидні кристали, або нановіскери, мають
великі перспективи використання в різноманітних електронних приладах. Сучасні росто-
ві технології дозволяють вирощувати віскери з діаметром порядку 10 нм та довжиною
понад 10 мкм. Унікальна морфологія нановіскерів, які є вертикальними одновимірними
монокристалами, що мають ідеальну кристалічну структуру, високі механічні харак-
теристики, добру адгезію з підкладкою, визначає комплекс їх фізико-хімічних
властивостей. Можливість практичного використання ансамблів віскерів багато в чому
визначається досконалістю та відтворюваністю ростових технологій. В процесі росту
шляхом зміни умов підготовки поверхні та параметрів осадження матеріалу можна
контролювати властивості одержаних віскерів: діаметр, довжину, форму, поверхневу
густину, однорідність, склад та ін.
Підвищена увага до наноструктурних матеріалів з оксиду цинку обумовлена їх
широким використанням в електроніці, оптиці та фотоніці [1 – 3]. Матеріали на основі
оксиду цинку використовують як компоненти газових сенсорів, каталізаторів, люмінес-
центних матеріалів, сонячних батарей, УФ – лазерів, п‘єзоелектричних пристроїв [1 – 7].
Останнім часом вивчення процесів росту одновимірних матеріалів – нановіскерів,
нанопроволок − є одним із пріоритетних напрямів нанотехнології [4 – 6]. Унікальні влас-
тивості віскерів обумовлені істотним співвідношенням довжини до поперечних розмірів.
Раніше нами встановлено, що в плівкових структурах ZnO при великих співвідношеннях
геометричних розмірів спостерігається електронна емісія в полях на 2 порядки менших,
276
ніж це слідує з теорії [7]. Тому синтез нанорозмірних віскерів, що характеризуються
гранично можливим значенням вказаного співвідношення, дозволить створити модельні
зразки для спостереження квантоворозмірних ефектів, отримати нові експериментальні
дані для доповнення фізичних моделей та відкриє принципову можливість реалізації
структур із максимальними експлуатаційними параметрами. Окрім цього, інтерес до
нановіскерів оксиду цинку обумовлений можливістю їх використання як ефективних
холодних низькопольових емітерів електронів для плоских яскравих катодолюмінесцент-
них екранів.
Метою даної роботи була розробка технології одержання нановіскерів оксиду
цинку та вивчення особливостей їх польової електронної емісії.
Методика експерименту
В останні роки спостерігається підвищений інтерес до синтезу нановіскерів окси-
ду цинку. Це обумовлено перспективністю практичного використання, а також відомою
тенденцією ZnO до формування монокристалів з голковим габітусом, видовженим
вздовж осі с, і в залежності від технологічних параметрів вони можуть досягати в дов-
жину від декількох мікрометрів до декількох сантиметрів [8]. Незважаючи на істотну
кількість робіт, присвячених вивченню процесів синтезу нитковидних кристалів оксиду
цинку, питання про механізм росту віскерів залишається відкритим. І в той же час не
існує відтворюваних і відносно дешевих методик одержання віскерів оксиду цинку із
заданими функціональними параметрами.
Нами запропонована методика синтезу віскерів оксиду цинку методом газової
епітаксії по механізму ПРК.
Синтез нановіскерів оксиду цинку проводили в установці, схема якої наведена на
рис. 1.
Рис. 1. Блок-схема технологічної установки для одержання нановіскерів оксиду
цинку: 1 – система напуску аргону, 2 – трубка напуску аргону, 3 – шліф, 4 –
алундовий реактор, 5 – електрична піч, 6 – керамічний човник із пресованими
таблетками, 7 – трубка відводу газу, 8 – водяний затвор, 9 – підкладинка.
В горизонтальній трубчатій печі (5) розміщувався алундовий реактор (4), що
приєднувався до вакуумного ротаційного насосу та системи очистки і подачі газів. Як
вихідний матеріал використовувались попередньо пресовані таблетки оксиду цинку, які
розміщували в алундовому човнику (6) і розташовували в центрі печі. Підготовку табле-
ток діаметром 5 мм та висотою 1 – 5 мм для відпалу проводили шляхом холодного
пресування з використанням порошку оксиду цинку марки ОСЧ. Процес синтезу відбу-
277
вався в два етапи. На першому відбувалося керування процесом розкладу. При ліній-
ному нагріві зі швидкістю 10 К/хв до 1623 К відбувалося вакуумування реактора до
10-3 Торр. Реактор витримували при такій температурі 5 – 10 хв без транспортуючого
агенту (аргону). На другому етапі здійснювали управління ростом віскерів. В реактор
при Т = 1623 К за допомогою системи очистки та подачі напускався аргон з швидкістю
25 см3/с. Осадження ZnO відбувалося або на поліровану кремнієву пластину з орієнта-
цією (111) із регулярними областями, покритими плівкою золота товщиною ~ 50 нм
(рис. 2, а), які створювали термічним розпорошенням металевого золота у вакуумі при
р~10-7 Торр через маски з регулярно розташованими отворами (~100 мкм), або на
поліровані кремнієвій пластинкі із масивами статистично розподілених по поверхні
частинок золота, які одержували шляхом седиментації колоїдних частинок із
чотирьохлористого вуглецю, який добре змочує поліровану поверхню кремнію (рис. 2,
б). Колоїдні частинки золота одержано відновленням AuCl3. При цьому вони не
випадають в осад, а утворюють інтенсивно забарвлені колоїдні розчини, які можуть бути
червоними, синіми, фіолетовими, коричневими та чорними. Так, при додаванні 0,0075 %
розчину H[AuCl4] до 0,005 % розчину солянокислого гідразину утворюється блакитний
золь золота, а якщо додати 0,005 % розчину карбонату калію до 0,0025 % розчину
H[AuCl4], а потім при нагріві краплями вливати розчин таніну, то утворюється червоний
золь. При цьому розмір частинок золю за даними АСМ становить від 90 нм до 35 нм, а
максимум оптичного поглинання розчину змінюється від 620 до 510 нм.
а б
Рис. 2. Напилені через маски локальні області тонких плівок золота (а) та колоїдні
частинки золота на полірованій поверхні кремнію (б).
Одержані нановіскери досліджували методами рентгенофазового аналізу, растро-
вої електронної мікроскопії (РЕМ) та проведено автоемісійні дослідження.
Експериментальні результати та їх обговорення
З появою нитковидних кристалів на науковому горизонті постало питання про
специфічний механізм їх формування, тому що віскери відрізняються нерівноважною
формою. За звичай співвідношення довжини до діаметру перевищує 10, тобто поверх-
нева енергія в них істотно більша, ніж у масивних зразках. Такі одновимірні кристали
можуть формуватися тільки шляхом однонаправленого росту. Загальноприйнятим
278
механізмом формування віскерів є механізм росту типу „пара – рідина – кристал”, запро-
понований Вагнером та Елліном [9] та узагальнений Гіваргізовим в експериментах по
вирощуванню кристалів на поверхні кремнію, покритої активуючим шаром золота [10].
Фізична суть механізму росту ПРК пов‘язана із будовою та властивостями
фазових границь пара – рідина та рідина – кристал. Поверхню рідкої фази можна вва-
жати „шорсткою”, тобто вона характеризується високим коефіцієнтом конденсації, в той
час як для твердого тіла даний коефіцієнт нескінченно малий. Механізм ПРК складаєть-
ся з чотирьох стадій: 1) перенос речовини в газовій фазі; 2) конденсація та хімічні
реакції на межі пара – рідина; 3) дифузія в рідкій фазі; 4) вбудовування частинок в ґрат-
ку зростаючого кристалу. Остання стадія є найповільнішою і саме вона регламентує
загальну швидкість росту.
При переході від елементарних речовин до сполук постають нові проблеми росту
віскерів. Можна виділити основні параметри, які впливають на процеси росту та геомет-
рію віскерів:
- характеристика підкладки (кристалографічна орієнтація, сингулярна чи
вініціальна грань);
- розчинник (каталізатор росту), котрий міг би забезпечити досить істотну
розчинність всіх компонентів сполуки;
- початковий розподіл крапель за розмірами;
- температура росту;
- швидкість осадження матеріалу на поверхню краплі;
- загальна кількість матеріалу, що осаджується;
- співвідношення потоків елементів.
Схематично процеси росту віскерів оксиду цинку наведено на рис. 3.
Рис. 3. Ріст нановіскерів оксиду цинку по механізму „пара – рідина – кристал”.
Процес росту складається із трьох етапів. На першому етапі на підготовлену
поверхню підкладки, в нашому випадку Si (111), наносять шар речовини – каталізатора
росту (Au). Цей шар можна створювати різними методами: або в камері росту епітаксі-
альної установки, або з використанням різноманітних методів нанолітографії. В нашому
випадку шар каталізатора одержано термічним напиленням через маски з регулярно
розташованими отворами та шляхом седиментації колоїдних частинок (рис. 2). На
другому етапі поверхня розігрівається до температури вище температури евтектики
бінарної системи: матеріал підкладинки − каталізатор. Таким чином на поверхні утворю-
ється ансамбль рідких крапель розчину-розплаву в термодинамічній рівновазі з підкла-
дкою. На третьому етапі при фіксованій температурі відбувається осадження матеріалу.
Потрапляння молекул осаджуваного матеріалу в краплю може відбуватися двома
шляхами. По-перше, молекули потрапляють в краплю безпосередньо з газового сере-
279
довища – пари чи молекулярного пучка. Слід зазначити, що ZnO при температурі
синтезу (Т = 1623 К) випаровується інкогурентно. Так вже при 1333 К в мас-спектрах
пари були зареєстровані іони Zn+, Zn++, O2
+, відносна інтенсивність котрих становила
100:0,18:50,8 [11]. По-друге, існує дифузійний потік частинок, які потрапляють в краплю
з бокової поверхні віскеру. Потрапляння матеріалу в краплю робить розчин перенасичу-
ним і під краплею розпочинається кристалізація на поверхні розділу „рідина – кристал”.
Рушійною силою процесу росту по механізму „пара – рідина – кристал” є перенасичення
газової фази. Відомо [12], що швидкість росту віскерів залежить від діаметру краплі
каталізатора. Найменші краплі взагалі не „піднімаються” над підкладкою. Іншим важли-
вим фактором реалізації ПРК механізму є стабільність рідкого шару в процесі росту. Ці
фактори істотно можуть обмежити кількість та розміри сформованих віскерів. Тому для
синтезу нановіскерів із напередзаданими параметрами необхідно одержати максимально
однакові за розміром краплі каталізатора. Найбільш перспективним, на нашу думку. Для
цього є використання різноманітних варіантів нанолітографії, це дозволить створювати
краплі однакового розміру, які знаходяться у фіксованих точках підкладки.
Дослідження показали, що синтезовані нановіскери мають гексагональну вюрцит-
ну структуру (рис. 4) з параметрами елементарної комірки а = 3,240 Ǻ, с = 5,184 Ǻ, що
узгоджується з теоретичними значеннями (3,249 Ǻ та 5,191 Ǻ, відповідно).
Рис. 4. Фрагмент дифрактограми нановіскерів оксиду цинку.
Дані РЕМ (рис. 5) свідчать, що синтезовані нановіскери характеризуються певним
розкидом розмірів. Величина кристалітів сильно залежить від часу синтезу та швидкості
газового потоку.
Для масиву віскерів, зображеного на рис. 5, досліджено емісійні властивості. Емі-
сійні вимірювання проведено в типових діодних комірках з анодом, покритим катодолю-
мінофором для візуалізації емісії. Відстань катод-анод задавалася ~300 мкм з метою
зменшення локальної густини емісії для запобігання руйнування екрану. Виявлено
помітну польову електронну емісію при середніх електричних полях ~105 В/см та
локальній густині струму ~10 А/см2. Емісія стабільна навіть при р~10-5 мм.рт.ст. На
рис. 6 наведено типову вольтамперну характеристику (ВАХ) польової емісії при 300 К.
На ВАХ, як і у випадку з квантовими точками [13], спостерігаються резонансні
піки струму. Поява піків в [13] обумовлена квантуванням енергії електронів в триви-
мірній потенціальній ямі гетеропереходу Ge – Si. В нашому ж випадку одержані
нанооб’єкти можна розглядати як квантові нитки (d ~ 10 нм, h ~ 300 нм) з двомірним
квантуванням, при даних розмірах та ефективних масах електронів для ZnO це є допус-
тимим. Оцінку розмірів віскерів, при яких можливий прояв квантово розмірних ефектів,
можна зробити з формули
280
n
m
hE 2
22
2 l
*=
pD ,
де *m – ефективна маса електрона, l – розмір зразка. Для оксиду цинку в залежності
від кристалографічних напрямків ефективна маса електрона змінюється від 0,06 до
0,35 *m . Для того, щоб рівні розділилися при 300 К, розміри зразків повинні бути в
межах 2 – 40 нм. Емісійні властивості одержаних нановіскерів потребують подальших
досліджень з врахуванням п‘єзоелектричних властивостей оксиду цинку. Першочерго-
вою задачею при цьому є одержання просторово однорідних, з малим розкидом по
висоті систем нановіскерів, які можуть бути використані при розробці високоефектив-
них термостабільних джерел електронів, наприклад, для плоских катодолюмінесцентних
дисплеїв.
0
2
4
6
8
10
2,5 3,5 4,5 5,5U, кВ
І,
м
кА
Рис. 5. Мікрофотографія віскерів ZnO. Рис. 6. Вольтамперна характеристика по-
льової емісії з нановіскерів оксиду
цинку.
Висновки
Розроблено методику синтезу нановіскерів оксиду цинку, яка дозволяє одержу-
вати на полірованій поверхні кремнію регулярні області зі статистично розподіленими
віскерами з регульованою щільністю по площі. Синтезованим структурам з нановіскерів
оксиду цинку, які можна розглядати як квантові нитки, властива потужна низькопольова
емісія при кімнатних температурах.
Упорядковані системи нановіскерів оксиду цинку можуть знайти практичне зас-
тосування при розробці матриць пікселей, використовуваних у розгортаючих пристріях
цифрових фотокамер, біосенсорах і приладах нічного бачення.
Література
1. Низкополевая электронная эмиссия с квантоворазмерных структур оксида цинка /
П.П. Горбик, А.А. Дадыкин, И.В. Дубровин, М.Н. Филоненко // Химия, физика и
технология поверхности. – 2006. – Вып. 11-12. – С. 261 – 270.
2. Мильвидский М.Г., Уфимцев В.Б. Полупроводниковые материалы в современном
этапе развития твердотельной электроники // Неорганические материалы. –
2000. – Т. 36, № 3. – С. 360 – 368.
281
3. Атаев Б.М., Камилов И.К., Мамедов В.В. Нитевидные кристаллы оксида цинка //
Письма в ЖТФ. – 2002. – Т. 23, № 21. – С. 58 – 63.
4. Wang Z.L.Zinc oxide nanostructures: growth, properties and applications // Journal of
Physics Condensed Matter. – 2004. – № 16. – P. R829 – R858.
5. Network array of zinc oxide whiskers / C.X. Xu, X.W. Sun, B.J. Chen, Z.L. Dong,
M.B. Yu, X.H. Zhang, S.J. Chua // Nanotechnology. – 2005. – № 16. – P. 70 – 73.
6. Газофазный синтез структур ZnO / А.Х. Абдуев, А.Ш. Асваров, А.К. Ахмедов,
В.Г. Баришков, Е.И. Теруков // Письма в ЖТФ. – 2002. – Т. 28, № 22. – С. 59 – 63.
7. Low-field electron emission and cathode luminescence of piezoelectric films of oxides
and chalcogenides / A.A. Dadykin, A.G. Naumovets, P.P. Gorbik, I.V. Dubrovin,
V.M. Ogenko, M.N. Filonenko // Chemistry, Physics and Technology of Surfaces:
Interdepartmental Collection of Scientific Papers / Institute of Surface Chemistry NAS
of Ukraine; Editor-in-Chief A.A. Chuiko. – К.: Вид. дім “КМ Академія”. – 2002. –
Is. 7-8. – Р. 163 – 176.
8. Кузьмина И.П., Никитенко В.А. Оксид цинка. Получение и оптические свойства.–
М.: Наука, 1984. – 168 с.
9. Wagner A.G., Ellis W.C. Vapor-liquid-solid mechanism of single crystal growth // Appl.
Phys. Letters. – 1964. – V. 4, № 5. – P. 1053 – 1064.
10. Гиваргизов Е.И. Ориентированый рост нитевидных кристаллов соединений АIIIВV по
механизму пар – жидкость – кристалл // Кристаллография – 1975. – Т. 20, № 4. –
С. 812 – 822.
11. Збежнева С.Г., Макаров А.В. Масс-спектральное изучение пара над нанокристалли-
ческим оксидом цинка // Вестн. Моск. ун-та. Сер. 2. Химия. – 2002. – Т. 43, № 3. –
С. 143.
12. Гиваргизов Е.И., Чернов А.А. Скорость роста нитевидных кристаллов по механизму
пар-жидкость-кристалл и роль поверхностной энергии // Кристаллография. – 1973. –
Т. 18, № 1. – С. 147 – 153.
13. Дадыкин А.А., Козырев Ю.Н., Наумовец А.Г. Полевая электронная эмиссия из нано-
кластеров Ge-Si // Письма в ЖЭТФ. – 2002. – Т. 76, № 11. – С. 550 – 552.
A STUDY ON PECULIARITIES OF PHYSICO-CHEMICAL
FORMATION PROCESSES OF NANOSIZED
ZnO WHISKERS
P.P. Gorbyk1, I.V. Dubrovin1, Yu.O. Demchenko1,
M.M. Filonenko1, O.A. Dadikin2
1Chuiko Institute of Surface Chemistry of National Academy of Sciences of Ukraine
General Naumov Str. 17, 03164 Kyiv -164
2Institute of physics of National Academy of Sciences of Ukraine
Nauky Prosp. 46, 03039 Kyiv-039
We propose a procedure for synthesis of nanometer-sized thread-like zinc oxide
crystals by gas epitaxis via the mechanism ”vapor-liquid-crystal” (VLC). Arrays of statistically
distributed nano-whiskers on polished silicon substrates were prepared. Samples were studied
by x-ray diffraction analysis and scanning electron microscopy (SEM). Nano-whiskers were
found to have wurzite structure and size of d ~ 10 nm. Field electron emission was revealed at
average electric fields ~105 V/cm and local current density ~10 А/см2.
Nauky Prosp. 46, 03039 Kyiv-039
|
| id | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-281 |
| institution | Surface |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-03-12T17:07:43Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine |
| record_format | ojs |
| resource_txt_mv | surfacezbircomua/b7/06c956b2c92b0c15c31f925d9da025b7.pdf |
| spelling | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-2812018-11-27T09:40:34Z A study on peculiarities of physico-chemical formation processes of nanosized ZnO whiskers A study on peculiarities of physico-chemical formation processes of nanosized ZnO whiskers Дослідження особливостей фізико-хімічних процесів формування нанорозмірних віскерів ZnO Gorbyk, P. P. Dubrovin, I. V. Demchenko, Yu. O. Filonenko, M. M. Dadykin, O. A. We propose a procedure for synthesis of nanometer-sized thread-like zinc oxide crystals by gas epitaxis via the mechanism ”vapor-liquid-crystal” (VLC). Arrays of statistically distributed nano-whiskers on polished silicon substrates were prepared. Samples were studied by x-ray diffraction analysis and scanning electron microscopy (SEM). Nano-whiskers were found to have wurzite structure and size of d ~ 10 nm. Field electron emission was revealed at average electric fields ~105 V/cm and local current density ~10 А/см2. We propose a procedure for synthesis of nanometer-sized thread-like zinc oxide crystals by gas epitaxis via the mechanism ”vapor-liquid-crystal” (VLC). Arrays of statistically distributed nano-whiskers on polished silicon substrates were prepared. Samples were studied by x-ray diffraction analysis and scanning electron microscopy (SEM). Nano-whiskers were found to have wurzite structure and size of d ~ 10 nm. Field electron emission was revealed at average electric fields ~105 V/cm and local current density ~10 А/см2. Запропоновано методику синтезу нанометрових ниткоподібних кристалів оксиду цинку методом газової епітаксії по механізму «пар-рідина-кристал» (ПРК). Одержано масиви статистично розподілених нановіскерів на полірованих кремнієвих підкладинках. Зразки досліджені методами рентгенофазового аналізу та растрової електронної мікроскопії (РЕМ). Встановлено, що нановіскери мають вюрцитну структуру, d нановіскерів ~ 10 нм. Виявлено польову електронну емісію при середніх електричних полях ~105 В/см та локальній густині струму ~10 А/см2. Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2008-07-30 Article Article application/pdf https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/281 Surface; No. 14 (2008): Chemistry, Physics and Technology of Surface; 275-281 Поверхность; № 14 (2008): Химия, физика и технология поверхности; 275-281 Поверхня; № 14 (2008): Хімія, фізика та технологія поверхні; 275-281 3154-8091 3154-8083 uk https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/281/278 Авторське право (c) 2008 P.P. Gorbyk, I.V. Dubrovin, Yu.O. Demchenko, M.M. Filonenko, O.A. Dadykin |
| spellingShingle | Gorbyk, P. P. Dubrovin, I. V. Demchenko, Yu. O. Filonenko, M. M. Dadykin, O. A. Дослідження особливостей фізико-хімічних процесів формування нанорозмірних віскерів ZnO |
| title | Дослідження особливостей фізико-хімічних процесів формування нанорозмірних віскерів ZnO |
| title_alt | A study on peculiarities of physico-chemical formation processes of nanosized ZnO whiskers A study on peculiarities of physico-chemical formation processes of nanosized ZnO whiskers |
| title_full | Дослідження особливостей фізико-хімічних процесів формування нанорозмірних віскерів ZnO |
| title_fullStr | Дослідження особливостей фізико-хімічних процесів формування нанорозмірних віскерів ZnO |
| title_full_unstemmed | Дослідження особливостей фізико-хімічних процесів формування нанорозмірних віскерів ZnO |
| title_short | Дослідження особливостей фізико-хімічних процесів формування нанорозмірних віскерів ZnO |
| title_sort | дослідження особливостей фізико-хімічних процесів формування нанорозмірних віскерів zno |
| url | https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/281 |
| work_keys_str_mv | AT gorbykpp astudyonpeculiaritiesofphysicochemicalformationprocessesofnanosizedznowhiskers AT dubroviniv astudyonpeculiaritiesofphysicochemicalformationprocessesofnanosizedznowhiskers AT demchenkoyuo astudyonpeculiaritiesofphysicochemicalformationprocessesofnanosizedznowhiskers AT filonenkomm astudyonpeculiaritiesofphysicochemicalformationprocessesofnanosizedznowhiskers AT dadykinoa astudyonpeculiaritiesofphysicochemicalformationprocessesofnanosizedznowhiskers AT gorbykpp doslídžennâosoblivostejfízikohímíčnihprocesívformuvannânanorozmírnihvískerívzno AT dubroviniv doslídžennâosoblivostejfízikohímíčnihprocesívformuvannânanorozmírnihvískerívzno AT demchenkoyuo doslídžennâosoblivostejfízikohímíčnihprocesívformuvannânanorozmírnihvískerívzno AT filonenkomm doslídžennâosoblivostejfízikohímíčnihprocesívformuvannânanorozmírnihvískerívzno AT dadykinoa doslídžennâosoblivostejfízikohímíčnihprocesívformuvannânanorozmírnihvískerívzno AT gorbykpp studyonpeculiaritiesofphysicochemicalformationprocessesofnanosizedznowhiskers AT dubroviniv studyonpeculiaritiesofphysicochemicalformationprocessesofnanosizedznowhiskers AT demchenkoyuo studyonpeculiaritiesofphysicochemicalformationprocessesofnanosizedznowhiskers AT filonenkomm studyonpeculiaritiesofphysicochemicalformationprocessesofnanosizedznowhiskers AT dadykinoa studyonpeculiaritiesofphysicochemicalformationprocessesofnanosizedznowhiskers |