Теоретичне вивчення лазерного відпалу нестехіометричних плівок SiOx
The mathematical modeling of temperature distribution in SiOx film was carried out. The use of laser annealing in SiOx films is shown to be advisable and multi-pulse annealing being more effective than single-pulse one. The maximum temperature after the laser pulse in the center of the laser beam do...
Gespeichert in:
| Datum: | 2014 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2014
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/307 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
Institution
Chemistry, Physics and Technology of Surface| _version_ | 1856543855521824768 |
|---|---|
| author | Gavrylyuk, O. O. |
| author_facet | Gavrylyuk, O. O. |
| author_sort | Gavrylyuk, O. O. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2022-06-29T10:17:46Z |
| description | The mathematical modeling of temperature distribution in SiOx film was carried out. The use of laser annealing in SiOx films is shown to be advisable and multi-pulse annealing being more effective than single-pulse one. The maximum temperature after the laser pulse in the center of the laser beam does not depend on the distance between the laser beams at simultaneous annealing with several laser beams. |
| first_indexed | 2025-07-22T19:31:58Z |
| format | Article |
| id | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-307 |
| institution | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
| language | English |
| last_indexed | 2025-07-22T19:31:58Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-3072022-06-29T10:17:46Z Theoretical Study on Laser Annealing of Non-Stoichiometric SiOx films Теоретическое изучение лазерного отжига нестехиометрических пленок SiOx Теоретичне вивчення лазерного відпалу нестехіометричних плівок SiOx Gavrylyuk, O. O. silicon oxide nanocrystal laser annealing thermoconductivity equation оксид кремнію нанокристали лазерний відпал рівняння теплопровідності оксид кремния нанокристаллы лазерный отжиг уравнения теплопроводности The mathematical modeling of temperature distribution in SiOx film was carried out. The use of laser annealing in SiOx films is shown to be advisable and multi-pulse annealing being more effective than single-pulse one. The maximum temperature after the laser pulse in the center of the laser beam does not depend on the distance between the laser beams at simultaneous annealing with several laser beams. Проведено математическое моделирование распределения температуры в пленке SiOx. Показано, что целесообразно использовать лазер при отжиге пленок SiOx, причем отжиг несколькими импульсами более эффективен, чем одноимпульсный. Максимальная температура, после завершения лазерного импульса, в центре действия лазерного луча не зависит от расстояния между лазерными лучами при одновременном отжиге несколькими лазерными пучками. Проведено математичне моделювання розподілу температури у плівці SiOx. Показано, що доцільно використовувати лазер при відпалі плівок SiOx, причому відпал декількома імпульсами ефективніший за одноімпульсний відпал. Максимальна температура, після завершення лазерного імпульсу, в центрі дії лазерного променя не залежить від відстані між лазерними променями при одночасному відпалі декількома лазерними променями. Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2014-11-01 Article Article application/pdf https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/307 10.15407/hftp05.04.461 Chemistry, Physics and Technology of Surface; Vol. 5 No. 4 (2014): Chemistry, Physics and Technology of Surface / Himia, Fizika ta Tehnologia Poverhni; 461-466 Химия, физика и технология поверхности; Том 5 № 4 (2014): Химия, физика и технология поверхности; 461-466 Хімія, фізика та технологія поверхні; Том 5 № 4 (2014): Хімія, фізика та технологія поверхні; 461-466 2518-1238 2079-1704 10.15407/hftp05.04 en https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/307/304 Copyright (c) 2014 O. O. Gavrylyuk |
| spellingShingle | оксид кремнію нанокристали лазерний відпал рівняння теплопровідності Gavrylyuk, O. O. Теоретичне вивчення лазерного відпалу нестехіометричних плівок SiOx |
| title | Теоретичне вивчення лазерного відпалу нестехіометричних плівок SiOx |
| title_alt | Theoretical Study on Laser Annealing of Non-Stoichiometric SiOx films Теоретическое изучение лазерного отжига нестехиометрических пленок SiOx |
| title_full | Теоретичне вивчення лазерного відпалу нестехіометричних плівок SiOx |
| title_fullStr | Теоретичне вивчення лазерного відпалу нестехіометричних плівок SiOx |
| title_full_unstemmed | Теоретичне вивчення лазерного відпалу нестехіометричних плівок SiOx |
| title_short | Теоретичне вивчення лазерного відпалу нестехіометричних плівок SiOx |
| title_sort | теоретичне вивчення лазерного відпалу нестехіометричних плівок siox |
| topic | оксид кремнію нанокристали лазерний відпал рівняння теплопровідності |
| topic_facet | silicon oxide nanocrystal laser annealing thermoconductivity equation оксид кремнію нанокристали лазерний відпал рівняння теплопровідності оксид кремния нанокристаллы лазерный отжиг уравнения теплопроводности |
| url | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/307 |
| work_keys_str_mv | AT gavrylyukoo theoreticalstudyonlaserannealingofnonstoichiometricsioxfilms AT gavrylyukoo teoretičeskoeizučenielazernogootžiganestehiometričeskihplenoksiox AT gavrylyukoo teoretičnevivčennâlazernogovídpalunestehíometričnihplívoksiox |