Тіон-тіольна таутомерія тіосечовинних лігандів на поверхні кремнезему

Quantum chemical calculations of the IR spectra of the thione and thiol forms of N, N'-dimethylthiourea and silica surface fragment with composition (HO)3SiCH2NHC(S)NHCH3 (density functional theory method, B3LYP/6-31G (d, p)) make it possible to fix indicator absorption bands of the tautomers....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2015
Hauptverfasser: Smirnova, O. V., Grebenyuk, A. G., Nazarchuk, G. I., Zub, Yu. L.
Format: Artikel
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2015
Schlagworte:
Online Zugang:https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/329
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Chemistry, Physics and Technology of Surface

Institution

Chemistry, Physics and Technology of Surface
_version_ 1856543862913236992
author Smirnova, O. V.
Grebenyuk, A. G.
Nazarchuk, G. I.
Zub, Yu. L.
author_facet Smirnova, O. V.
Grebenyuk, A. G.
Nazarchuk, G. I.
Zub, Yu. L.
author_sort Smirnova, O. V.
baseUrl_str
collection OJS
datestamp_date 2022-06-29T10:17:00Z
description Quantum chemical calculations of the IR spectra of the thione and thiol forms of N, N'-dimethylthiourea and silica surface fragment with composition (HO)3SiCH2NHC(S)NHCH3 (density functional theory method, B3LYP/6-31G (d, p)) make it possible to fix indicator absorption bands of the tautomers. The presence of absorption bands at 1586 cm-1 (or 1607 cm-1 in the case of surface fragment) reveals the thione form whereas appearance of the intensive absorption bands at 1714 (1707)cm -1 indicates the occurrence of the thiol form. The results of quantum chemical calculations on the total energy of the transition complex in vacuum at T = 298 K and on the activation energy values of thione-thiol tautomeric transition between different conformations of the cluster models have shown a decrease in the activation barrier due to the grafting of thiourea groups on silica surface. The configurations of the transition complexes were also determined.
first_indexed 2025-07-22T19:32:10Z
format Article
id oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-329
institution Chemistry, Physics and Technology of Surface
language English
last_indexed 2025-07-22T19:32:10Z
publishDate 2015
publisher Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
record_format ojs
spelling oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-3292022-06-29T10:17:00Z Thione-thiol tautomerism of thiourea ligands on silica surface Тион-тиольная таутомерия тиомочевинных лигандов на поверхности кремнезема Тіон-тіольна таутомерія тіосечовинних лігандів на поверхні кремнезему Smirnova, O. V. Grebenyuk, A. G. Nazarchuk, G. I. Zub, Yu. L. mesoporous silica thione-thiol tautomerism IR spectroscopy quantum chemical calculations density functional theory method мезопористый кремнезем тион-тиольная таутомерия ИК-спектроскопия квантовохимические расчеты метод функционала электронной плотности мезопоруватий кремнезем тіон-тіольна таутомерія ІЧ-спектроскопія квантовохімічні розрахунки метод функціоналу електронної густини Quantum chemical calculations of the IR spectra of the thione and thiol forms of N, N'-dimethylthiourea and silica surface fragment with composition (HO)3SiCH2NHC(S)NHCH3 (density functional theory method, B3LYP/6-31G (d, p)) make it possible to fix indicator absorption bands of the tautomers. The presence of absorption bands at 1586 cm-1 (or 1607 cm-1 in the case of surface fragment) reveals the thione form whereas appearance of the intensive absorption bands at 1714 (1707)cm -1 indicates the occurrence of the thiol form. The results of quantum chemical calculations on the total energy of the transition complex in vacuum at T = 298 K and on the activation energy values of thione-thiol tautomeric transition between different conformations of the cluster models have shown a decrease in the activation barrier due to the grafting of thiourea groups on silica surface. The configurations of the transition complexes were also determined. Квантовохимические расчеты ИК-спектров тионной и тиольной форм N,N'-диметил-тиомочевины и фрагмента поверхности кремнезема состава (НО)3SiCH2NHC(S)NHCH3 (B3LYP/6-31G (d,p)) позволили установить характеристические полосы поглощения таутомеров. Так, наличие полосы поглощения при 1586 см-1 (или при 1607 см-1 в случае фрагмента поверхности) указывает на присутствие тионной формы, а появление интенсивной полосы поглощения при 1714 (1707) см-1 указывает на появление тиольной формы. Расчет величины полной энергии переходного комплекса в вакууме при Т = 298 K и энергии активации тион-тиольного таутомерного перехода для различных конформаций системы показал понижение активационного барьера благодаря прививке тиомочевинных групп на поверхности кремнезема. Определена конфигурация переходного комплекса. Квантовохімічні розрахунки ІЧ-спектрів тіонної та тіольної форм N,N'-диметилтіосечовини і фрагмента поверхні кремнезему складу (НО)3SiCH2NHC(S)NHCH3 (B3LYP / 6-31G (d, p)) дозволили встановити характеристичні смуги поглинання таутомерів. Так, наявність смуги поглинання при 1586 см-1 (або при 1607 см-1 у разі фрагмента поверхні) вказує на присутність тіонної форми, а поява інтенсивної смуги поглинання при 1714 (1707) см-1 вказує на появу тіольної форми. Розрахунок величини повної енергії перехідного комплексу в вакуумі при Т = 298 K і енергії активації тіон-тіольного таутомерного переходу для різних конформацій системи показав зниження активаційного бар'єру завдяки прищепленню тіосечовинних груп на поверхні кремнезему. Визначена конфігурація перехідного комплексу. Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2015-05-01 Article Article application/pdf https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/329 10.15407/hftp06.02.224 Chemistry, Physics and Technology of Surface; Vol. 6 No. 2 (2015): Chemistry, Physics and Technology of Surface / Himia, Fizika ta Tehnologia Poverhni; 224-233 Химия, физика и технология поверхности; Том 6 № 2 (2015): Химия, физика и технология поверхности; 224-233 Хімія, фізика та технологія поверхні; Том 6 № 2 (2015): Хімія, фізика та технологія поверхні; 224-233 2518-1238 2079-1704 10.15407/hftp06.02 en https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/329/326 Copyright (c) 2015 O. V. Smirnova, A. G. Grebenyuk, G. I. Nazarchuk, Yu. L. Zub
spellingShingle мезопоруватий кремнезем
тіон-тіольна таутомерія
ІЧ-спектроскопія
квантовохімічні розрахунки
метод функціоналу електронної густини
Smirnova, O. V.
Grebenyuk, A. G.
Nazarchuk, G. I.
Zub, Yu. L.
Тіон-тіольна таутомерія тіосечовинних лігандів на поверхні кремнезему
title Тіон-тіольна таутомерія тіосечовинних лігандів на поверхні кремнезему
title_alt Thione-thiol tautomerism of thiourea ligands on silica surface
Тион-тиольная таутомерия тиомочевинных лигандов на поверхности кремнезема
title_full Тіон-тіольна таутомерія тіосечовинних лігандів на поверхні кремнезему
title_fullStr Тіон-тіольна таутомерія тіосечовинних лігандів на поверхні кремнезему
title_full_unstemmed Тіон-тіольна таутомерія тіосечовинних лігандів на поверхні кремнезему
title_short Тіон-тіольна таутомерія тіосечовинних лігандів на поверхні кремнезему
title_sort тіон-тіольна таутомерія тіосечовинних лігандів на поверхні кремнезему
topic мезопоруватий кремнезем
тіон-тіольна таутомерія
ІЧ-спектроскопія
квантовохімічні розрахунки
метод функціоналу електронної густини
topic_facet mesoporous silica
thione-thiol tautomerism
IR spectroscopy
quantum chemical calculations
density functional theory method
мезопористый кремнезем
тион-тиольная таутомерия
ИК-спектроскопия
квантовохимические расчеты
метод функционала электронной плотности
мезопоруватий кремнезем
тіон-тіольна таутомерія
ІЧ-спектроскопія
квантовохімічні розрахунки
метод функціоналу електронної густини
url https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/329
work_keys_str_mv AT smirnovaov thionethioltautomerismofthiourealigandsonsilicasurface
AT grebenyukag thionethioltautomerismofthiourealigandsonsilicasurface
AT nazarchukgi thionethioltautomerismofthiourealigandsonsilicasurface
AT zubyul thionethioltautomerismofthiourealigandsonsilicasurface
AT smirnovaov tiontiolʹnaâtautomeriâtiomočevinnyhligandovnapoverhnostikremnezema
AT grebenyukag tiontiolʹnaâtautomeriâtiomočevinnyhligandovnapoverhnostikremnezema
AT nazarchukgi tiontiolʹnaâtautomeriâtiomočevinnyhligandovnapoverhnostikremnezema
AT zubyul tiontiolʹnaâtautomeriâtiomočevinnyhligandovnapoverhnostikremnezema
AT smirnovaov tíontíolʹnatautomeríâtíosečovinnihlígandívnapoverhníkremnezemu
AT grebenyukag tíontíolʹnatautomeríâtíosečovinnihlígandívnapoverhníkremnezemu
AT nazarchukgi tíontíolʹnatautomeríâtíosečovinnihlígandívnapoverhníkremnezemu
AT zubyul tíontíolʹnatautomeríâtíosečovinnihlígandívnapoverhníkremnezemu