Вплив локального електричного поля на фотолюмінесценцію нанокристалів CdS на поверхні окиснених структур макропористого кремнію
Oxidized macroporous silicon structures with CdS surface nanocrystals have been proposed to enhance the photoluminescence of CdS nanoparticles due to reducing the electron recombination outside the nanoparticle layer. It has been found that the resonance electron scattering on the Si–SiO2 interface...
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2015
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/353 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
Репозитарії
Chemistry, Physics and Technology of Surface| id |
oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-353 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| institution |
Chemistry, Physics and Technology of Surface |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2022-06-29T10:16:33Z |
| collection |
OJS |
| language |
English |
| topic |
локальне електричне поле нанокристали CdS фотолюмінесценція окиснений макропористий кремній |
| spellingShingle |
локальне електричне поле нанокристали CdS фотолюмінесценція окиснений макропористий кремній Karachevtseva, L. Kuchmii, S. Lytvynenko, O. Parshyn, K. Sapelnikova, O. Stroyuk, O. Bo, Wang Вплив локального електричного поля на фотолюмінесценцію нанокристалів CdS на поверхні окиснених структур макропористого кремнію |
| topic_facet |
local electric fields CdS nanocrystals photoluminescence oxidized macroporous silicon локальне електричне поле нанокристали CdS фотолюмінесценція окиснений макропористий кремній локальное электрическое поле нанокристаллы CdS фотолюминесценция окисленный макропористый кремний |
| format |
Article |
| author |
Karachevtseva, L. Kuchmii, S. Lytvynenko, O. Parshyn, K. Sapelnikova, O. Stroyuk, O. Bo, Wang |
| author_facet |
Karachevtseva, L. Kuchmii, S. Lytvynenko, O. Parshyn, K. Sapelnikova, O. Stroyuk, O. Bo, Wang |
| author_sort |
Karachevtseva, L. |
| title |
Вплив локального електричного поля на фотолюмінесценцію нанокристалів CdS на поверхні окиснених структур макропористого кремнію |
| title_short |
Вплив локального електричного поля на фотолюмінесценцію нанокристалів CdS на поверхні окиснених структур макропористого кремнію |
| title_full |
Вплив локального електричного поля на фотолюмінесценцію нанокристалів CdS на поверхні окиснених структур макропористого кремнію |
| title_fullStr |
Вплив локального електричного поля на фотолюмінесценцію нанокристалів CdS на поверхні окиснених структур макропористого кремнію |
| title_full_unstemmed |
Вплив локального електричного поля на фотолюмінесценцію нанокристалів CdS на поверхні окиснених структур макропористого кремнію |
| title_sort |
вплив локального електричного поля на фотолюмінесценцію нанокристалів cds на поверхні окиснених структур макропористого кремнію |
| title_alt |
Influence of local electric fields on the photoluminescence of CdS nanocrystals on the oxidized macroporous silicon surface Влияние локального электрического поля на фотолюминесценцию нанокристаллов CdS на поверхности окисленных структур макропористого кремния |
| description |
Oxidized macroporous silicon structures with CdS surface nanocrystals have been proposed to enhance the photoluminescence of CdS nanoparticles due to reducing the electron recombination outside the nanoparticle layer. It has been found that the resonance electron scattering on the Si–SiO2 interface for samples with low concentration of Si–O–Si states transforms into scattering on ionized surface states for samples with high concentration of Si–O–Si in the structured oxide. The maximum intensity of photoluminescence was measured for a structure with the maximal strength of the local electric field at the interface of silicon matrix with the structured oxide. It indicates a significant decrease of non-radiative recombination of electrons generated in CdS nanocrystal layer due to the counter flow of electrons from the silicon matrix towards the nanocrystals layer. The quantum yield of photoluminescence increases with time due to evaporation of water molecules. |
| publisher |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine |
| publishDate |
2015 |
| url |
https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/353 |
| work_keys_str_mv |
AT karachevtseval influenceoflocalelectricfieldsonthephotoluminescenceofcdsnanocrystalsontheoxidizedmacroporoussiliconsurface AT kuchmiis influenceoflocalelectricfieldsonthephotoluminescenceofcdsnanocrystalsontheoxidizedmacroporoussiliconsurface AT lytvynenkoo influenceoflocalelectricfieldsonthephotoluminescenceofcdsnanocrystalsontheoxidizedmacroporoussiliconsurface AT parshynk influenceoflocalelectricfieldsonthephotoluminescenceofcdsnanocrystalsontheoxidizedmacroporoussiliconsurface AT sapelnikovao influenceoflocalelectricfieldsonthephotoluminescenceofcdsnanocrystalsontheoxidizedmacroporoussiliconsurface AT stroyuko influenceoflocalelectricfieldsonthephotoluminescenceofcdsnanocrystalsontheoxidizedmacroporoussiliconsurface AT bowang influenceoflocalelectricfieldsonthephotoluminescenceofcdsnanocrystalsontheoxidizedmacroporoussiliconsurface AT karachevtseval vliânielokalʹnogoélektričeskogopolânafotolûminescenciûnanokristallovcdsnapoverhnostiokislennyhstrukturmakroporistogokremniâ AT kuchmiis vliânielokalʹnogoélektričeskogopolânafotolûminescenciûnanokristallovcdsnapoverhnostiokislennyhstrukturmakroporistogokremniâ AT lytvynenkoo vliânielokalʹnogoélektričeskogopolânafotolûminescenciûnanokristallovcdsnapoverhnostiokislennyhstrukturmakroporistogokremniâ AT parshynk vliânielokalʹnogoélektričeskogopolânafotolûminescenciûnanokristallovcdsnapoverhnostiokislennyhstrukturmakroporistogokremniâ AT sapelnikovao vliânielokalʹnogoélektričeskogopolânafotolûminescenciûnanokristallovcdsnapoverhnostiokislennyhstrukturmakroporistogokremniâ AT stroyuko vliânielokalʹnogoélektričeskogopolânafotolûminescenciûnanokristallovcdsnapoverhnostiokislennyhstrukturmakroporistogokremniâ AT bowang vliânielokalʹnogoélektričeskogopolânafotolûminescenciûnanokristallovcdsnapoverhnostiokislennyhstrukturmakroporistogokremniâ AT karachevtseval vplivlokalʹnogoelektričnogopolânafotolûmínescencíûnanokristalívcdsnapoverhníokisnenihstrukturmakroporistogokremníû AT kuchmiis vplivlokalʹnogoelektričnogopolânafotolûmínescencíûnanokristalívcdsnapoverhníokisnenihstrukturmakroporistogokremníû AT lytvynenkoo vplivlokalʹnogoelektričnogopolânafotolûmínescencíûnanokristalívcdsnapoverhníokisnenihstrukturmakroporistogokremníû AT parshynk vplivlokalʹnogoelektričnogopolânafotolûmínescencíûnanokristalívcdsnapoverhníokisnenihstrukturmakroporistogokremníû AT sapelnikovao vplivlokalʹnogoelektričnogopolânafotolûmínescencíûnanokristalívcdsnapoverhníokisnenihstrukturmakroporistogokremníû AT stroyuko vplivlokalʹnogoelektričnogopolânafotolûmínescencíûnanokristalívcdsnapoverhníokisnenihstrukturmakroporistogokremníû AT bowang vplivlokalʹnogoelektričnogopolânafotolûmínescencíûnanokristalívcdsnapoverhníokisnenihstrukturmakroporistogokremníû |
| first_indexed |
2025-07-22T19:32:23Z |
| last_indexed |
2025-09-24T16:59:01Z |
| _version_ |
1844168268646973440 |
| spelling |
oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-3532022-06-29T10:16:33Z Influence of local electric fields on the photoluminescence of CdS nanocrystals on the oxidized macroporous silicon surface Влияние локального электрического поля на фотолюминесценцию нанокристаллов CdS на поверхности окисленных структур макропористого кремния Вплив локального електричного поля на фотолюмінесценцію нанокристалів CdS на поверхні окиснених структур макропористого кремнію Karachevtseva, L. Kuchmii, S. Lytvynenko, O. Parshyn, K. Sapelnikova, O. Stroyuk, O. Bo, Wang local electric fields CdS nanocrystals photoluminescence oxidized macroporous silicon локальне електричне поле нанокристали CdS фотолюмінесценція окиснений макропористий кремній локальное электрическое поле нанокристаллы CdS фотолюминесценция окисленный макропористый кремний Oxidized macroporous silicon structures with CdS surface nanocrystals have been proposed to enhance the photoluminescence of CdS nanoparticles due to reducing the electron recombination outside the nanoparticle layer. It has been found that the resonance electron scattering on the Si–SiO2 interface for samples with low concentration of Si–O–Si states transforms into scattering on ionized surface states for samples with high concentration of Si–O–Si in the structured oxide. The maximum intensity of photoluminescence was measured for a structure with the maximal strength of the local electric field at the interface of silicon matrix with the structured oxide. It indicates a significant decrease of non-radiative recombination of electrons generated in CdS nanocrystal layer due to the counter flow of electrons from the silicon matrix towards the nanocrystals layer. The quantum yield of photoluminescence increases with time due to evaporation of water molecules. Для усиления фотолюминесценции наночастиц CdS благодаря уменьшению безызлучательной рекомбинации электронов за пределами слоя наночастиц предложены окисленные структуры макропористого кремния с нанокристаллами CdS на поверхности макропор. Обнаружено, что резонансное рассеяние электронов на границе Si–SiO2 для образцов с низкой концентрацией Si–O–Si состояний в оксиде трансформируется в рассеяние электронов на ионизированных поверхностных состояниях для образцов с высокой концентрацией Si–O–Si в структурированном оксиде. Максимальная интенсивность фотолюминесценции наночастиц CdS была измерена для структур с максимальной напряженностью электрического поля на границе кремниевой матрицы и структурированного оксида. Это свидетельствует о существенном уменьшении безызлучательной рекомбинации электронов, генерированных на нанокристаллах CdS, благодаря встречному потоку электронов из кремниевой матрицы в направлении слоя нанокристаллов. В таких структурах в результате испарения молекул воды квантовый выход фотолюминесценции со временем увеличивается. Для підсилення фотолюмінесценції наночастинок CdS завдяки зменшенню безвипромінювальної рекомбінації електронів за межами шару наночастинок запропоновані окиснені структури макропористого кремнію з нанокристалами CdS на поверхні макропор. Встановлено, що резонансне розсіяння електронів на межі Si–SiO2 для зразків з низькою концентрацією Si–O–Si станів в оксиді трансформується в розсіяння електронів на іонізованих поверхневих станах для зразків з високою концентрацією Si–O–Si в структурованому оксиді. Максимальна інтенсивність фотолюмінесценції наночастинок CdS була виміряна для структур з максимальною напруженістю електричного поля на межі кремнієвої матриці з структурованим оксидом. Це свідчить про суттєве зменшення безвипромінювальної рекомбінації електронів, генерованих на нанокристалах CdS, завдяки зустрічному потоку електронів з кремнієвої матриці в напрямку шару нанокристалів. У таких структурах у результаті випаровування молекул води квантовий вихід фотолюмінесценції з часом збільшується. Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2015-11-01 Article Article application/pdf https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/353 10.15407/hftp06.04.489 Chemistry, Physics and Technology of Surface; Vol. 6 No. 4 (2015): Chemistry, Physics and Technology of Surface / Himia, Fizika ta Tehnologia Poverhni; 489-497 Химия, физика и технология поверхности; Том 6 № 4 (2015): Химия, физика и технология поверхности; 489-497 Хімія, фізика та технологія поверхні; Том 6 № 4 (2015): Хімія, фізика та технологія поверхні; 489-497 2518-1238 2079-1704 10.15407/hftp06.04 en https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/353/350 Copyright (c) 2015 L. Karachevtseva, S. Kuchmii, O. Lytvynenko, K. Parshyn, O. Sapelnikova, O. Stroyuk, Wang Bo |