Лазерно-стимульовані процеси в напівпровідниках
The laser-stimulated processes have been studied in semiconductors Si i SiGe after their irradiation as well as influence of these processes on the optical properties of irradiated crystals. The results are shown of optical reflection spectra of n-Si(100) single crystals in the range 0.2–1.7 microns...
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2016
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/378 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
Репозитарії
Chemistry, Physics and Technology of Surface| _version_ | 1856543877640486912 |
|---|---|
| author | Gentsar, P. O. Levytskyi, S. M. |
| author_facet | Gentsar, P. O. Levytskyi, S. M. |
| author_sort | Gentsar, P. O. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2022-06-29T10:15:46Z |
| description | The laser-stimulated processes have been studied in semiconductors Si i SiGe after their irradiation as well as influence of these processes on the optical properties of irradiated crystals. The results are shown of optical reflection spectra of n-Si(100) single crystals in the range 0.2–1.7 microns before and after laser irradiation in the energy interval 66–108 mJ/cm2 and reflection and transmission spectra of Ge1-хSix (х = 0.85) solid solutions before and after laser irradiation in the energy range 46.6–163.5 mJ/cm2. The mechanisms of laser irradiation are considered and the depth of formation of shock waves, surface temperature, and the depth of melting Si are calculated as dependent on laser irradiation. An increase of reflectivity of Si single crystals, at definite laser treatment is experimentally shown. This integrated effect is explained by differences in optical properties of the surface layer and bulk of material depending on laser irradiation. The study has indicated that in the fundamental optical transition of Ge1-хSix (х = 0.85) solid solutions the reflecting capability decreases and transmission increases with the energy of laser radiation. Thus, during the laser irradiation laser-stimulated structural changes in the surface layer of crystal take place, where the complex refractive index differs from that of the bulk material, resulting in increased reflectivity of crystals at detinite laser treatment. |
| first_indexed | 2025-07-22T19:32:36Z |
| format | Article |
| id | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-378 |
| institution | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-17T12:07:37Z |
| publishDate | 2016 |
| publisher | Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-3782022-06-29T10:15:46Z Laser-stimulated processes in semiconductors Лазерно-стимулированные процессы в полупроводниках Лазерно-стимульовані процеси в напівпровідниках Gentsar, P. O. Levytskyi, S. M. Si laser treatment reflection spectra transmission spectra shock wave temperature surface melting depth Ge1-хSix Si лазерне опромінення спектри відбиття спектри пропускання ударна хвиля температура поверхні глибина плавлення Ge1-хSix Si лазерное облучение спектры отражения спектры пропускания ударная волна температура поверхности глубина плавления Ge1-хSix The laser-stimulated processes have been studied in semiconductors Si i SiGe after their irradiation as well as influence of these processes on the optical properties of irradiated crystals. The results are shown of optical reflection spectra of n-Si(100) single crystals in the range 0.2–1.7 microns before and after laser irradiation in the energy interval 66–108 mJ/cm2 and reflection and transmission spectra of Ge1-хSix (х = 0.85) solid solutions before and after laser irradiation in the energy range 46.6–163.5 mJ/cm2. The mechanisms of laser irradiation are considered and the depth of formation of shock waves, surface temperature, and the depth of melting Si are calculated as dependent on laser irradiation. An increase of reflectivity of Si single crystals, at definite laser treatment is experimentally shown. This integrated effect is explained by differences in optical properties of the surface layer and bulk of material depending on laser irradiation. The study has indicated that in the fundamental optical transition of Ge1-хSix (х = 0.85) solid solutions the reflecting capability decreases and transmission increases with the energy of laser radiation. Thus, during the laser irradiation laser-stimulated structural changes in the surface layer of crystal take place, where the complex refractive index differs from that of the bulk material, resulting in increased reflectivity of crystals at detinite laser treatment. Предоставлены результаты оптических исследований спектров отражения монокристаллов n-Si(100) в диапазоне 0.2–1.7 мкм до и после лазерного облучения в интервале энергий 66–108 мДж/см2. Экспериментально показано увеличение отражающей способности исследованных кристаллов при данной лазерной обработке. Рассмотрены механизмы лазерного облучения. Рассчитаны зависимости глубины образования ударной волны, температуры поверхности, глубины плавления Si при лазерном облучении. Проведены оптические исследования (спектры отражения и пропускания) твердых растворов Ge1-хSix (х=0.85) до и после лазерного облучения в диапазоне энергий 46.6–163.5 мДж/см2. Показано, что в области фундаментального оптического перехода данного материала отражающая способность уменьшается, а пропускание увеличивается с увеличением энергии лазерного облучения. Представлено результати оптичних досліджень спектрів відбиття монокристалів n-Si(100) в діапазоні 0.2–1.7 мкм до та після лазерного опромінення в інтервалі енергій 66–108 мДж/см2. Експериментально показано збільшення відбиваючої здатності досліджуваних кристалів при такій лазерній обробці. Розглянуто механізми лазерного опромінення. Розраховано залежності глибини утворення ударної хвилі, температури поверхні, глибини плавлення Si при лазерному опроміненні. Проведено оптичні дослідження (спектри відбиття та пропускання) твердих розчинів Ge1-хSix (х=0.85) до і після лазерного опромінення в діапазоні енергій 46.6–163.5 мДж/см2. Показано, що в області фундаментального оптичного переходу цього матеріалу відбиваюча здатність зменшується, а пропускання збільшується зі збільшенням енергії лазерного опромінення. Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2016-05-01 Article Article application/pdf https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/378 10.15407/hftp07.02.186 Chemistry, Physics and Technology of Surface; Vol. 7 No. 2 (2016): Chemistry, Physics and Technology of Surface / Himia, Fizika ta Tehnologia Poverhni; 186-194 Химия, физика и технология поверхности; Том 7 № 2 (2016): Химия, физика и технология поверхности; 186-194 Хімія, фізика та технологія поверхні; Том 7 № 2 (2016): Хімія, фізика та технологія поверхні; 186-194 2518-1238 2079-1704 10.15407/hftp07.02 uk https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/378/375 Copyright (c) 2016 P. O. Gentsar, S. M. Levytskyi |
| spellingShingle | Si лазерне опромінення спектри відбиття спектри пропускання ударна хвиля температура поверхні глибина плавлення Ge1-хSix Gentsar, P. O. Levytskyi, S. M. Лазерно-стимульовані процеси в напівпровідниках |
| title | Лазерно-стимульовані процеси в напівпровідниках |
| title_alt | Laser-stimulated processes in semiconductors Лазерно-стимулированные процессы в полупроводниках |
| title_full | Лазерно-стимульовані процеси в напівпровідниках |
| title_fullStr | Лазерно-стимульовані процеси в напівпровідниках |
| title_full_unstemmed | Лазерно-стимульовані процеси в напівпровідниках |
| title_short | Лазерно-стимульовані процеси в напівпровідниках |
| title_sort | лазерно-стимульовані процеси в напівпровідниках |
| topic | Si лазерне опромінення спектри відбиття спектри пропускання ударна хвиля температура поверхні глибина плавлення Ge1-хSix |
| topic_facet | Si laser treatment reflection spectra transmission spectra shock wave temperature surface melting depth Ge1-хSix Si лазерне опромінення спектри відбиття спектри пропускання ударна хвиля температура поверхні глибина плавлення Ge1-хSix Si лазерное облучение спектры отражения спектры пропускания ударная волна температура поверхности глубина плавления Ge1-хSix |
| url | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/378 |
| work_keys_str_mv | AT gentsarpo laserstimulatedprocessesinsemiconductors AT levytskyism laserstimulatedprocessesinsemiconductors AT gentsarpo lazernostimulirovannyeprocessyvpoluprovodnikah AT levytskyism lazernostimulirovannyeprocessyvpoluprovodnikah AT gentsarpo lazernostimulʹovaníprocesivnapívprovídnikah AT levytskyism lazernostimulʹovaníprocesivnapívprovídnikah |