Польова електронна емісія з п'єзоактивного SiO2

• Дата: 1999
• Автори та афіліації: A. A. Dadykin — Інститут фізики НАН України; A. G. Naumovetz — Інститут фізики НАН України; P. P. Gorbic — Інститут хімії поверхні НАН України; I. V. Dubrovin — Інститут хімії поверхні НАН України; V. M. Ogenko — Інститут хімії поверхні НАН України
• Ключові слова: keywords
• Автори: Dadykin, A. A., Naumovetz, A. G., Gorbic, P. P., Dubrovin, I. V., Ogenko, V. M.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 1999
• Онлайн доступ: https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/38
• Назва журналу: Surface

При средних электрических полях Е<103 В/см получена и исследована стационар­ная холодная электронная эмиссия из образцов SiO2, обладающего заметной пьезо­электрической активностью. Эмиссия стабильна при р>10‑5 Торр и характеризу­ется плотностью тока j>10 А/см . В случае заведомо непьезоактивных образцов из плавленого кварца и сапфира эмиссии не зарегистрировано даже при Е>106 В/см, Результаты объясняются большим (>100) усилением электрического поля у торцов пленок пъезоэлектриков, вследствие чего внутренние поля в приповерхно­стной области достигают значений ~ 10 В/см, достаточных для развития эф­фекта Зинера.