Екситонні стани в напівпровідникових наносистемах
In nanoheterostructures promising for the implementation of effective sources of visible and near-infrared radiation, there are self-assembled structures with ZnSe nanoislands. To create new efficient optoelectronic devices on the basis of heterostructures of quantum dots (QDs) ZnSe it is necessary...
Gespeichert in:
| Datum: | 2016 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2016
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/386 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
Institution
Chemistry, Physics and Technology of Surface| _version_ | 1856543879409434624 |
|---|---|
| author | Pokutnyi, S. I. Gorbyk, P. P. Mahno, S. M. Prokopenko, S. L. |
| author_facet | Pokutnyi, S. I. Gorbyk, P. P. Mahno, S. M. Prokopenko, S. L. |
| author_sort | Pokutnyi, S. I. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2022-06-29T10:15:34Z |
| description | In nanoheterostructures promising for the implementation of effective sources of visible and near-infrared radiation, there are self-assembled structures with ZnSe nanoislands. To create new efficient optoelectronic devices on the basis of heterostructures of quantum dots (QDs) ZnSe it is necessary to study the mechanisms of absorption (emission) of light in such nanoheterostructures. The theory of QDs exciton absorption of light has been developed within the framework of the adiabatic approximation, using perturbation theory. It has been shown that the band gap of zinc selenide QDs exciton states a zone arises located under the bottom of the conduction band. It has been found that the decrease in the band gap in the nanosystems detected under the experimental conditions is due to the transition of an electron with a nonequilibrium quantum-level situated in the valence QD to the level of the zone of the exciton states. It has been found that changing the parameters of nanostructures (QD size, the ratio of effective masses of electrons and holes, the values of the dielectric constants of matrices and QD) can be directed to control the fundamental parameters of nanostructures - band gaps. This effect causes the radiation of energy quanta of restructuring in the visible and near-infrared wavelengths. Such nanoheterostructures are promising for new nanophotonic elements. |
| first_indexed | 2025-07-22T19:32:40Z |
| format | Article |
| id | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-386 |
| institution | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-17T12:07:38Z |
| publishDate | 2016 |
| publisher | Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-3862022-06-29T10:15:34Z Exciton states in semiconductor nanosystems Экситонные состояния в полупроводниковых наносистемах Екситонні стани в напівпровідникових наносистемах Pokutnyi, S. I. Gorbyk, P. P. Mahno, S. M. Prokopenko, S. L. quantum dots exciton zinc selenide квантові точки екситон селенід цинку квантовые точки экситон селенид цинка In nanoheterostructures promising for the implementation of effective sources of visible and near-infrared radiation, there are self-assembled structures with ZnSe nanoislands. To create new efficient optoelectronic devices on the basis of heterostructures of quantum dots (QDs) ZnSe it is necessary to study the mechanisms of absorption (emission) of light in such nanoheterostructures. The theory of QDs exciton absorption of light has been developed within the framework of the adiabatic approximation, using perturbation theory. It has been shown that the band gap of zinc selenide QDs exciton states a zone arises located under the bottom of the conduction band. It has been found that the decrease in the band gap in the nanosystems detected under the experimental conditions is due to the transition of an electron with a nonequilibrium quantum-level situated in the valence QD to the level of the zone of the exciton states. It has been found that changing the parameters of nanostructures (QD size, the ratio of effective masses of electrons and holes, the values of the dielectric constants of matrices and QD) can be directed to control the fundamental parameters of nanostructures - band gaps. This effect causes the radiation of energy quanta of restructuring in the visible and near-infrared wavelengths. Such nanoheterostructures are promising for new nanophotonic elements. Вариационным методом, в рамках модифицированного метода эффективной массы, получен энергетический спектр основного состояния экситона, движущегося в объеме квантовой точки, помещенной в воздух, как функция радиуса квантовой точки. Установлено, что в запрещенной зоне квантовой точки селенида цинка возникает зона экситонных состояний, расположенная у дна зоны проводимости. Показано, что уменьшение ширины запрещенной зоны в такой наносиcтеме обусловлено переходом электрона с квантоворазмерного уровня, расположенного в валентной зоне квантовой точки, на уровни зоны экситонных состояний. Варіаційним методом, у рамках модифікованого методу ефективної маси, одержано енергетичний спектр основного стану екситона, що рухається в об’ємі квантової точки, вміщеній в повітря, як функція радіуса квантової точки. Встановлено, що в забороненій зоні квантової точки селеніду цинку виникає зона екситонних станів, розташована біля дна зони провідності.Показано, що зменшення ширини забороненої зони в такій наносиcтемі зумовлено переходом електрона з квантоворозмірного рівня, розташованого у валентній зоні квантової точки, на рівні зони екситонних станів. Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2016-08-01 Article Article application/pdf https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/386 10.15407/hftp07.03.285 Chemistry, Physics and Technology of Surface; Vol. 7 No. 3 (2016): Chemistry, Physics and Technology of Surface / Himia, Fizika ta Tehnologia Poverhni; 285-294 Химия, физика и технология поверхности; Том 7 № 3 (2016): Химия, физика и технология поверхности; 285-294 Хімія, фізика та технологія поверхні; Том 7 № 3 (2016): Хімія, фізика та технологія поверхні; 285-294 2518-1238 2079-1704 10.15407/hftp07.03 ru https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/386/383 Copyright (c) 2016 S. I. Pokutnyi, P. P. Gorbyk, S. M. Mahno, S. L. Prokopenko |
| spellingShingle | квантові точки екситон селенід цинку Pokutnyi, S. I. Gorbyk, P. P. Mahno, S. M. Prokopenko, S. L. Екситонні стани в напівпровідникових наносистемах |
| title | Екситонні стани в напівпровідникових наносистемах |
| title_alt | Exciton states in semiconductor nanosystems Экситонные состояния в полупроводниковых наносистемах |
| title_full | Екситонні стани в напівпровідникових наносистемах |
| title_fullStr | Екситонні стани в напівпровідникових наносистемах |
| title_full_unstemmed | Екситонні стани в напівпровідникових наносистемах |
| title_short | Екситонні стани в напівпровідникових наносистемах |
| title_sort | екситонні стани в напівпровідникових наносистемах |
| topic | квантові точки екситон селенід цинку |
| topic_facet | quantum dots exciton zinc selenide квантові точки екситон селенід цинку квантовые точки экситон селенид цинка |
| url | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/386 |
| work_keys_str_mv | AT pokutnyisi excitonstatesinsemiconductornanosystems AT gorbykpp excitonstatesinsemiconductornanosystems AT mahnosm excitonstatesinsemiconductornanosystems AT prokopenkosl excitonstatesinsemiconductornanosystems AT pokutnyisi éksitonnyesostoâniâvpoluprovodnikovyhnanosistemah AT gorbykpp éksitonnyesostoâniâvpoluprovodnikovyhnanosistemah AT mahnosm éksitonnyesostoâniâvpoluprovodnikovyhnanosistemah AT prokopenkosl éksitonnyesostoâniâvpoluprovodnikovyhnanosistemah AT pokutnyisi eksitonnístanivnapívprovídnikovihnanosistemah AT gorbykpp eksitonnístanivnapívprovídnikovihnanosistemah AT mahnosm eksitonnístanivnapívprovídnikovihnanosistemah AT prokopenkosl eksitonnístanivnapívprovídnikovihnanosistemah |