Позитронна спектроскопія високотемпературних надпровідників YBa2Cu3O7-δ, опромінених малими флюенсами швидких нейтронів
The intensive subthreshold defect formation occurs in the intermediate layers of YBa2Cu3O7-δ (δ ≈ 0) high temperature superconductor under neutron irradiation with low fluencies of 1011 < ф ≤1014 сm-2. The numbe...
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2010
|
| Онлайн доступ: | https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/397 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Surface |
| Завантажити файл: |  |
Репозитарії
Surface| _version_ | 1869291523317694464 |
|---|---|
| author | Gorelov, B. M. |
| author_facet | Gorelov, B. M. |
| author_institution_txt_mv | [
{
"author": "B. M. Gorelov",
"institution": "Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України"
}
] |
| author_sort | Gorelov, B. M. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2018-11-27T09:39:14Z |
| description | The intensive subthreshold defect formation occurs in the intermediate layers of YBa2Cu3O7-δ (δ ≈ 0) high temperature superconductor under neutron irradiation with low fluencies of 1011 < ф ≤1014 сm-2. The number of defects created due to the low energy mechanism more than 103 times exceeds the content of radiation defects formed owing to the impact mechanism. The subthreshold defect formation reveals in a decrease of the electron density in the intermediate layers with nonmonotone lowering concentration of vacancy clusters. The behavior of electron density is caused by formation of Ва and Cu1 cation defects and their accumulation in the thin surface layer of crystals. It is supposed that the subthreshold defect formation is related to the decay of collective excitations stimulated in the non equilibrium state of electron density under the neutron irradiation. |
| first_indexed | 2025-07-22T19:32:45Z |
| format | Article |
| fulltext |
Поверхность. 2010. Вып. 2(17). С. 19–31 19
УДК 544.144: 544.173
ПОЗИТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ
ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ
YBa2Cu3O7-δ, ОБЛУЧЕННЫХ МАЛЫМИ ФЛЮЕНСАМИ
БЫСТРЫХ НЕЙТРОНОВ
Б.М. Горелов
Институт химии поверхности им. А.А. Чуйко Национальной академии наук Украины,
ул. Генерала Наумова, 17, Киев, 03164, Украина
В высокотемпературном сверхпроводнике YBa2Cu3O7-δ (δ ≈ 0) при облучении флюенсами
ф ≤ 1014 см-2 быстрых нейтронов в промежуточных слоях реализуется интенсивное
подпороговое дефектообразование, когда число образованных дефектов более чем в 103 раз
превышает количество радиационных дефектов, созданных за счет ударного механизма.
Дефектообразование проявляется при ф > 1011 см-2, характеризуется созданием
преимущественно дефектов катионов Ва и Cu1, понижением электронной плотности в слоях и
сопровождается немонотонным уменьшением концентрации кластеров вакансий.
Предполагается, что подпороговый механизм образования дефектов, связан с распадом
коллективных возбуждений, число которых растет в неравновесных условиях нейтронного
облучения.
Введение
Малые флюенсы (дозы) радиационного облучения обладают свойством
понижения концентрации дефектов в материале за счет, так называемого, эффекта
малых доз [1–4]. Такой эффект не зависит от природы радиационных частиц, хотя
интервал флюенсов определяется содержанием собственных дефектов в образцах и
является индивидуальной характеристикой облучаемого объекта. Малые флюенсы
частиц, создавая небольшое число радиационных дефектов, значительно уступающее
количеству собственных дефектов в образце материала, стимулируют интенсивные
диффузионные, релаксационные и аннигиляционные (аннигиляция вакансия –
междоузельный атом) процессы в дефектной подсистеме, в результате которых
концентрация дефектов в образце падает.
В случае, когда объектом исследований является высокотемпературный
сверхпроводник YBa2Cu3O7-δ (δ ≈ 0) (рис. 1), и облучение проводится быстрыми
нейтронами, интервал малых флюенсов нейтронов можно определить как ф < фth, где
фth = (5–7)·1018 см-2 – пороговый флюенс, отделяющий область больших флюенсов
ф ≥ фth, при облучении которыми критическая температура сверхпроводника монотонно
понижается с ростом ф [5, 6]. Концентрация радиационных дефектов, создаваемых
флюенсом фth, составляет ~ 6·1021 см-3. Понижение Тс обусловлено ростом числа
дефектов в сверхпроводнике и локализацией носителей в купратных слоях Cu2O(2,3),
поэтому можно предположить, что действие малых флюенсов, понижающих число
дефектов, проявляется как рост Тс. Повышение критической температуры в области
ф < фth связано с обратным эффектом облучения – залечиванием дефектов решетки в
результате радиационно-стимулированной диффузии. Совершенствование
кристаллической структуры ведет к понижению числа собственных дефектов, росту
концентрации дырок в CuO2 слоях р и связанной с ней критической температуры
Тс(р) = Тсm[1– 82,6(р–0,16)2] (Тсm – максимальная критическая температура в системе) [7].
20
Рис. 1. Кристаллическая структура высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3O7 .
Поиск интервала флюенсов, облучение которыми ведет к повышению Тс
иттриевого купрата YBa2Cu3O7, позволяет установить, что в промежутке
1010 ≤ ф ≤ 1014 см-2 имеет место немонотонный рост критической температуры на 3–4 К
[8]. При этом рост Тс сопровождает немонотонное изменение параметра решетки с [9].
Такой результат вызвал определенный скепсис у А.А. Чуйко, и он настоял на
экспериментальном подтверждении эффекта в другом сверхпроводящем купрате –
висмутовой системе 2223. Обнаружение повышения Тс на 3,8–5,7 К в сверхпроводнике
(Bi0,8Pb0,2)2Sr2Ca2Cu3O10 после облучения флюенсами 109 ≤ ф ≤ 1013 см-2 [10]
подтвердило наличие эффекта малых флюенсов в синтезированных сверхпроводниках.
Дальнейшие исследования эффекта было решено проводить методом временной
позитронной спектроскопии. Отметим, что, понимая недостатки временного метода,
А.А. Чуйко критически относился к возможностям методики, при этом с интересом
следил за результатами исследований возможности холодного ядерного синтеза в
палладии с помощью позитронной спектроскопии.
Целью настоящей работы было исследование дефектообразования при облучении
малыми флюенсами быстрых нейтронов в высокотемпературном сверхпроводнике
YBa2Cu3O7-δ с δ ≈ 0. Облучение выполнено в интервале флюенсов 1011 ≤ ф ≤ 1014 см-2,
где проявляется немонотонный рост Тс [9]. Основные исследования выполнены методом
временной позитронной спектроскопии, который позволяет определить число и спектр
дефектов в промежуточных слоях ВаО и Cu1O, где аннигилирует подавляющая часть
позитронов, и приповерхностной области кристаллов на глубине диффузии позитронов
[11, 12]. Поскольку при облучении меняются параметры кристаллической решетки, то
дополнительно выполнен рентгеноструктурный анализ параметров кристаллической
решетки.
Теоретической основой работы было предположение, что нейтронное облучение,
создавая невысокое число радиационных дефектов за счет ударного механизма
~ 1014–1017 см-3, может стимулировать более интенсивный подпороговый (низко-
энергетический) механизм создания дефектов, связанный с распадом слабозатухающих
коллективных электронных возбуждений [13–15]. Такие возбуждения стимулируются
искажениями электронной плотности, вызванными радиационными дефектами, и они
21
распространяются вдоль оси с, перпендикулярно проводящим купратным слоям Cu2O,
где разыгрывается сценарий высокотемпературной сверхпроводимости.
Дефектообразование при распаде возбуждений имеет асимметричный характер, так как
реализуется только в промежуточных слоях и маловероятно в купратных. При этом
несмотря на интенсивный характер дефектообразования в промежуточных слоях, в
купратных слоях образуется невысокое число преимущественно радиационных
дефектов, влияние которых на Тс маловероятно. Поэтому метод временной позитронной
спектроскопии – оптимальный для определения дефектообразования в промежуточных
слоях Cu1O и BaO.
Следует отметить, что, в интервале флюенсов ф ≤ 1017 см-2 облучение
нейтронами, как правило, не влияет на критическую температуру сверхпроводников
YBa2Cu3O7-δ [16–19], хотя и приводит к трансформации спектра дефектов и росту
критического тока [20–25]. Сообщения о повышении Тс после действия нейтронного
облучения имеют несистемный характер, что указывает на зависимость эффекта от
концентрации дефектов или технологии синтеза сверхпроводников [21, 22].
Образцы и методика эксперимента
Объектами исследований были рентгеновски однофазные поликристаллические
образцы YBa2Cu3O7-d с d ≈ 0 и 0,38, полученные методом твердофазного синтеза, и
плотностью 5,5 г/см3. Нестехиометрические образцы с кислородным индексом d > 0
получены отжигом стехиометрических соединений в вакууме.
Образцы однократно облучены быстрыми нейтронами с энергией 0,1–13 МэВ и
флюенсами 1,05·1011 ≤ ф ≤ 1,05·1014 см-2 при температуре 340 К. Интенсивность пучка
нейтронов составляла 1,5·108 см-2с-1. Тепловые и медленные нейтроны отсекали
кадмиевым фильтром толщиной 0,8 мм.
Образцы YBa2Cu3O7-d с d ≈ 0 готовили из одного поликристаллического блока. В
необлученных образцах, вырезанных из разных частей блока, температура
сверхпроводящего перехода была 89,5–92 К (Тс соответствовала середине перехода
между точками 0,95Rn и 0,05Rn, Rn – сопротивление в нормальном состоянии вблизи
перехода). Параметры решетки были а = 3,821 Å, b = 3,889 Å, c = 11,667 Å. При
облучении нейтронами Тс повышалась на 1–3 К при флюенсах
1,05·1011 ≤ ф < 1,05·1014 см-2.
Рентгеноструктурный анализ проведен с помощью дифрактометров ДРОН- 4
(излучение Сu Kα) и АДП -1 (излучение Сu Kβ). Измеряли параметры а, b, c и параметр
порядка η = C(O1)-C(O5)/C(O1)+C(O5), где С(О1), С(О5) – концентрации атомов
кислорода в позициях О1 и О5 [26].
Временные спектры аннигиляции позитронов регистрировали при комнатной
температуре на установке «Ortec», функция разрешения которой с полной шириной на
половине высоты составляет 220 пс. Использован источник позитронов на основе 22Na с
активностью 20 мкКю, заключенный между двумя образцами размером 10×10×1,5 мм3.
Аннигиляция позитронов в образцах характеризовалась двумя временными
компонентами.
Скорость аннигиляции λf и скорость захвата υ позитронов определяли в рамках
диффузно-лимитированной модели захвата из выражений [27]
λf = I1/τ1 + I2/τ2, υ = I2(1/τ1 - 1/τ2), (1)
где τ1, τ2 и I1, I2 - времена жизни позитронов в квазисвободном и локализованном
состояниях и соответствующие интенсивности.
22
Скорость захвата связана с концентрацией N+ и радиусом дефектов,
захватывающих позитрон r+, коэффициентом диффузии позитрона D+ уравнением [28]
υ= 4πD+ N+r+, (2)
где радиус дефектов
r+ = [x2 (1+y2)/(2 mUo/ћ2)], (3)
х, у – взаимосвязанные параметры [ ]1)1/((1 2
2 -+= y
y
x ftl и x= p - arctg1/y, m – масса
электрона, ћ – постоянная Планка, Uo – глубина потенциальной ямы. При оценке
радиуса и концентрации дефектов полагали, что D+= 0,1 см2/с [29], Uо =2 эВ [30].
Экспериментальные результаты и обсуждение
Параметры спектров аннигиляции позитронов в YBa2Cu3O7 представлены в
таблице. В исходных образцах время жизни квазисвободного позитрона τ1 типично для
стехиометрических образцов [30]. Значения времени жизни локализованного позитрона
280 ≤ τ2 ≤ 450 пс характерны для позитронов, захваченных кластерами вакансий [31].
Немонотонное поведение параметров τ2 и I2 при облучении свидетельствует о
немонотонном изменении числа и радиуса кластеров вакансий. Кластеры могут состоять
из 6–9 точечных вакансий.
Анализ дефектообразования можно выполнить по дозовым зависимостям
скорости аннигиляции и скорости захвата позитронов (рис. 2, а). Скорость λf не
меняется, когда флюенс ф ≤ 1011 см-2, и падает с ростом ф. Скорость захвата υ
немонотонно зависит от флюенса и имеет минимум при ф = 1,05·1012 см-2. Кроме того,
скорость аннигиляции монотонно понижается при отжиге из-за выхода атомов О1или
О5 из аннигиляционного объема (рис. 1, вставка). При этом скорость λf понижается
примерно на одинаковую величину Δλf после нейтронного облучения и термодесорбции
атомов кислорода из промежуточных слоев. Однако в первом случае Тс немонотонно
возрастает, а во втором – существенно падает, не менее чем на 20 К. Используя
зависимость λf (δ) как эталонную, из которой можно установить связь между
понижением скорости аннигиляции, электронной плотности и количеством дефектов
кислорода в промежуточных слоях, проанализируем поведение λf(ф).
Понижение λf, которая определяется выражением [11]
lf = π 2
or c∫d3r n+(r) e[ n־(r)] n־(r), (4)
(n־(r)= ( ) ( )å YY
l
ll
,
,
*
,
k
kk rr , n+(r) = ( ) ( )å ++ YY
i
nn rr* , l,kY (r),
+Yn (r) – волновые функции электрона и позитрона, k – волновой вектор, 0r , c –
классический радиус электрона и скорость света, e – фактор поляризации (усиления),
который учитывает поляризацию электронов позитроном, l и n – номера зоны и
позитрона) связано с выходом атомов из узла в междоузлия, где перекрытие волновых
функций позитрона и электронов дефекта уменьшается или отсутствует. Полагая, что
фактор усиления слабо меняется (e может только слабо возрасти), получим, что
изменение
Δλf ≈ π 2
or cεΔρ (5),
и обусловлено понижением электронной плотности ρ в промежуточных слоях.
Поведение ρ связано с уменьшением перекрытия волновых функций позитрона и
валентных и остовных электронов атомов О1,О5, О4, Ва, Cu1 в результате их выхода в
23
Таблица. Параметры аннигиляции позитронов и кластеров вакансий до и после
нейтронного облучения
междоузлия промежуточных и купратных слоев или выхода из аннигиляционного
объема. Отметим, что аналогичное поведение электронной плотности в YBa2Cu3O7-δ
после облучения флюенсами нейтронов ~1016 см-2 было обнаружено в работе [32],
однако теоретической интерпретации эффект в последующем не получил.
Максимальное изменение ∆λf(ф) = λf(0) - λf(ф) ≈ 0,4 нс-1, cогласно зависимости
λf(δ) (рис. 2, вставка), соответствует изменению ∆δ ≈ 0,4 или выходу из
аннигиляционного объема nd ~ 2,3·1021 см-3 (nd – число дефектов, созданных по
неударному механизму) атомов кислорода О1. Однако выход такого количества
кислорода привел бы к резкому падению критической температуры и росту параметра
решетки с с ростом ф, тогда как Тс не меняется либо слабо растет, а параметр с
понижается [9, 13]. Наиболее вероятной причиной понижения λf является образование
высокого числа дефектов катионов, к которым система YBa2Cu3O7 слабо
чувствительна. Так, введение ~ (6–8)·1020 см-3 вакансий Cu1 [33], ~ 6·1020 см-3 вакансий
Ba и Y [34] не влияет на Тс.
Оценить число дефектов Ва и Cu1 можно, если определить фактор поляризации
полагая, что позитроны аннигилируют с 6–8 валентными электронами 2s22p4(2p6)
атомов О1. Тогда e ≈ 3,0–3,8, и падение ∆λf(ф) ≈ 0,4 нс-1 обусловлено понижением
электронной плотности на ∆r ≈ (1,4–1,8)·1022 см-3. Если в аннигиляции участвуют
электроны Ba 5p66s2, Cu1 3d104s1, и с междоузельным атомом выходит из аннигиляции
8–11 электронов, то понижение ρ в интервале флюенсов 1,05·1011 < ф ≤1,05·1014 см-2
связано с плавным появлением до nd ~ (1–2)·1021 см-3 дефектов Ва и Cu1. Отметим, что
число дефектов nd несколько меньше количества дефектов, создаваемых пороговым
флюенсом и не должно приводить к смещению критической температуры.
Следует отметить, фактор усиления e(rs) можно оценить теоретически, полагая,
что валентные и остовные электроны вносят различный вклад в экранирование
позитронного заряда. В таком случае электроны Y 4d15s2, Ba 6s2, Cu 3d104s1, О 2p4
считались валентными с фактором усиления [11]
γv(rs)= 1+ 1,3rs+ 0,8295 2/3
sr –1,26 2
sr + 0,3286 2/5
sr + 0,1667 3
sr (6)
(параметр rs = (3/4pr)1/3), который составляет γv = 4,2, а электроны Ba 5р6, Cu(2,3) 4s1,
O(1,4) 2s2 – остовными с постоянным значением фактора поляризации γс = 1,5 [34].
Средняя величина e(rs) = 3,4. Таким образом, выполненные экспериментальные и
теоретические оценки находятся в хорошем согласии.
Образцы ф,
1012
см-2
τ1,
пс
I1, % τ2,
пс
I2, % lf,
пс-1
u,
пс-1
r+,
Å
N+, 10-16·
cм-3
YВа2Cu3O7
YВа2Cu3O6,62
0
0,105
1,05
10,5
105
0
0,105
1,05
168±4
165±5
181±3
177±4
187±3
194±4
196±3
195±3
79±4
73±4
93±2
78±4
80±4
94±2
95±2
93±2
312±30
280±20
425±24
288±15
303±15
450±20
441±20
438±56
21±4
27±4
7 ± 2
22±4
20±2
6 ± 2
5 ± 2
7 ± 2
5,37
5,38
5,16
5,17
4,94
4,97
4,96
4,93
0,58
0,67
0,22
0,48
0,41
0,18
0,14
0,19
2,7
2,7
3,0
2,7
2,7
3,0
3,0
2,9
1,8
2,0
0,7
1,5
1,3
0,4
0,4
0,4
24
Рис. 2. Зависимости скорости аннигиляции (1) и скорости захвата (2) от флюенса
нейтронов (а). Поведение радиуса (1) и числа кластеров вакансий (2) как
функций флюенса нейтронов (б). На вставке – зависимость скорости
аннигиляции от содержания кислорода.
Полученное число дефектов существенно превышает число радиационых
дефектов (Nd), которое создают нейтроны за счет ударного механизма. Так [2],
Nd = υ(Е) Nа σd ф, (7)
где υ(Е) = 2 MnMaEп /[(Mn+Ma)2Ed, Mn, Ma – массы нейтрона и атома, Eп – энергия
нейтрона, Nа – число атомов в 1 см3, σd – поперечное сечение столкновений, Ed –
энергия ударного смещения атомов из узла. При средней энергии нейтронов 2 МэВ,
энергии смещения атомов Y, Ba, Cu1, O4 Ed = 10– 55 эВ [36, 37] (для О1 Ed = 2,8– 4,5 эВ
[38]), σd = 2·10-24 см-2 [39], получим, что при флюенсах 1·1012 < ф≤ 1,05·1014 см-2 число
дефектов, которые нейтроны создают по ударному механизму, Nd ≈ 1015 – 6·1017 см-3.
Величина Nd существенно меньше наблюдаемой концентрации nd ≈ 1020 – (1–2)·1021 см-3
или числа дефектов 6·1021 см-3, созданных флюенсом фth, и не может привести к
изменениям Тс и λf. Следовательно, облучение флюенсами ф > 1,05·1011 см-2
стимулирует подпороговый механизм образования дефектов в промежуточных слоях.
Подпороговое образование дефектов при распаде коллективных возбуждений с
энергией ħΩq<< Ed и квазиимпульсом ћq реализуется, если энергия и квазиимпульс
ħΩq = Es + nħωph + EL(q), (8)
ћq = ћ(kd + 2pmb) + ћkph + ћkh
25
затрачиваются на передачу вытолкнутому атому кинетической энергии (Es – энергия
подпорогового образования дефекта) и квазиимпульса ћ(kd + 2pmb) (b – вектор обратной
решетки, m-целое число). При этом, если диссипация энергии и потери импульса в
кристаллическую решетку с созданием фононов nħωph и в электронную подсистему
EL(q) с потерей импульса ћkh, за счет затухания Ландау, ограничены, то распад
возбуждений сопровождает перенос атома дефекта. Существенно, что условию
бездиссипативного распространения удовлетворяют слабозатухающие коллективные
возбуждения, спектральная плотность которых S(ω,T) ~ V(q), где V(q) = 4 πδZe2/q2 –
фурье – образ потенциала, существенно растет вследствие экранирования электронной
подсистемой искажений зарядовой плотности, создаваемых при образовании дефектов в
неравновесных условиях нейтронного облучения.
Переданный дефекту момент импульcа можно оценить для плазмонов
перемещающихся вдоль оси с с энергией 0,5-0,7 эВ [40, 41] полагая, что время
локализации пучности заряда возбуждений в промежуточных слоях порядка предельной
частоты фононов (ωо =700 см-1 [42]), т.е. ωо ~ τ-1. При толщине слоев d ~ 4 Å , скорости u
~dωо ≈ 8·105 см·s-1, квазиимпульс q ≈ (1,4–2,0)·108 см-1 и может превышать значения
kz = 2π/c ≈ 5·107 см-1 (c ~ 11,7 Å). Поэтому распад слабозатухающих возбуждений, по-
видимому, сопровождается передачей атомам дефектов больших квазиимульсов,
достаточных для переноса атомов к рассеивающему центру таких плазмонов –
поверхности. Так как вероятность распада плазмонов выше в местах с пониженной
симметрией решетки, таких как местa локализации дефектов [2–4], то
дефектообразование может сопровождаться преобразованиями вакансионных кластеров.
Следует отметить, что понижение электронной плотности при росте
кислородного индекса обусловлено выходом атомов О1 и О5 из аннигиляционного
объема при их термодесорбции из кристалла. В случае нейтронного облучения
созданные дефекты атомов Ва и Сu1 остаются в кристалле, хотя понижение r,
обусловленное облучением и термодесорбцией кислорода одинаковой величины.
Локализация смещенных атомов Ва и Сu1 в междоузлиях промежуточных слоев, где
аннигилирует подавляющая часть позитронов, очевидно, существенно не меняет
перекрытие l,kY (r) и +Yn (r), а выход высокого числа дефектов в междоузлия купратных
слоев, куда позитроны практически не проникают, маловероятен из-за отталкивающего
потенциала иона Y3+ и приводил бы к подавлению сверхпроводимости. Следовательно,
как и при термодесорбции кислорода, действие нейтронного облучения на ρ и λf связано
с выходом дефектов Ва и Сu1 из анигиляционного объема, хотя атомы остаются в
кристалле. Это возможно, если высокое число дефектов скапливается в тонком
поверхностном слое кристалла. Образованные дефекты в электрическом поле
слабозатухающих плазмонов переносятся к поверхности, где при отражении
плазменной волны происходит аккумуляция дефектов. В таком случае позитрон с
энергией Em ~ 0,7 MэВ и глубиной проникновения [11] α+ ≈ Εm
1.43 (MэВ)/17r
(г/см3) ≈ 6 мкм, (здесь r – плотность вещества) прошивает обогащенный дефектами
поверхностный слой и большую часть диффузионного пути [11] L=[D+/( λf + υ)]1/2 ≤ 1000 Å
диффундирует в анигиляционном объеме, обедненном атомами Ва и Сu1 и с
пониженной электронной плотностью. Следует отметить, что накопление до ~ 1021 см-3
дефектов в приповерхностном слое толщиной до 400 Å, обнаруженное в висмутовых и
иттриевых сверхпроводниках после γ-облучения и действия адсорбированной воды [43,
44], свидетельствует о правильности приведенной модели. Оценки напряженности
электрического поля переноса дефектов вдоль с оси дают величину 108 В/см [43], что
подтверждает возможность переноса высокого числа дефектов в поле возбуждений.
26
Наряду с плавным повышением общего числа дефектов Nd + nd (радиационных,
созданных смещениями атомов при соударении с нейтронами, и образованных по
подпороговому механизму при распаде стимулированных облучением возбуждений) с
ростом флюенса скорость захвата позитронов и число кластеров вакансий- ловушек
позитрона немонотонно падает (рис. 2 а, б). Понижение I2 cвидетельствует, что при
ф = 1,05·1012 см-2 N+ падает более чем в ~ 3 раза (таблица). При уменьшении числа
вакансионных кластеров их радиус возрастает, что свидетельствует об интенсивном
протекании реакций ассоциации и диссоциации дефектов. Протекание таких реакций
также может подтверждать перенос дефектов в объеме кристалла, интенсивное
подпороговое дефектообразование вблизи крупных дефектов и дефектонакопление при
рассеянии слабозатухающих возбуждений вакансионными кластерами. Поведение u(ф),
N+(ф) и r+(ф) указывает на немонотонный характер реакций ассоциации и диссоциации
дефектов при облучении. Минимум N+(ф) свидетельствует о залечивании кластеров
при нейтронном облучении и является проявлением эффекта малых флюенсов.
Рис. 3. Поведение времен жизни (а), интенсивностей (б), скоростей аннигиляции и
захвата (в), концентрации и радиуса дефектов (г) в YBa2Cu3O6,62 при облучении
нейтронами.
В YBa2Cu3O7-d реализация подпорогового дефектообразования зависит от
энергетического спектра и числа носителей, структуры электронных зон, поэтому
рассмотрим влияние содержания кислорода и связанных с ним числа носителей и
структуры зон на дефектообразование. Снижение содержания кислорода (увеличение
величины d) приводит к понижению концентрации электронов в системе, смещению
частоты и энергии плазмонов. При этом меняется время взаимодействия возбуждений с
атомами решетки и падает вероятность подпорогового создания дефекта [2–4, 13].
27
Нестехиометрическое соединение YBa2Cu3O6.62 для сохранения спектра
собственных дефектов получено отжигом в вакууме соединения YBa2Cu3O7-d c d » 0. В
исходных образцах YBa2Cu3O6.62 время жизни позитронов в квазисвободном состоянии
t1 = 194 ± 4 пс, а в локализованном -t2 = 474 ± 20 пс, которое свидетельствует о более
крупных кластерах вакансий – ловушках позитронов, чем в образцах с d » 0. При
облучении t1, tb = (I1/t1 + I2/t2 )-1 и I1 практически неизменны, тогда как t2 и I2 слабо
меняются (рис. 3 а, б). Поведение t1 и tb указывает, что электронная плотность в
промежуточных слоях не меняется. При этом скорость аннигиляции не меняется, а
скорость захвата слабо понижается с ростом f (рис. 3, в). В исходных образцах радиус
кластеров r+ » 3,0 Å и концентрация N+ » 3,9·1015 см-3. При облучении параметры
кластеров не меняются (рис. 3, г).
Рис. 4. Зависимости параметров решетки с (а) и h (б) в YBa2Cu3O6.62 от флюенса
нейтронов.
Поведение параметра решетки с(f) в YBa2Cu3O7-d c d»0,38 (рис. 4)
характеризуется минимумом при f = 1012 см-2, который не проявляется в зависимостях
t2(f) и u(f), а поведение параметра h указывает тенденцию к упорядочению цепочек
Сu1O1 с ростом f. Отсутствие изменений λf(f) и Dr, с возрастанием f , возможно при
условии, если повышение электронной плотности из-за уменьшения параметра с
компенсирует понижение r из-за неучастия электронов дефектов в аннигиляции. В
YBa2Cu3O7-d c d » 0 при минимальной величине с и реализации подпорогового
образования дефектов величина Dλf(f) = 0,14 нс-1, тогда как в системе с d » 0,38 λf(f)
практически не меняется. Кроме того, падение с при f = 1012 см-2 не сопровождают спад
u и изменения r+ и N+ кластеров, хотя происходит ~ 4·1020 см-3 переходов О5®О1. Так
как поведение u(f) и с(f) не коррелирует, уменьшение с не связано с преобразованием
кластеров вакансий, а, вероятно, обусловлено залечиванием дефектов кристаллической
решетки, выходом дефектов на стоки, перераспределением электронной плотности
между слоями сверхпроводника в результате радиационно-стимулированной диффузии.
Следовательно, в нестехиометрическом соединении YBa2Cu3O6,62 уменьшение
λf(f) и изменения u(f), обусловленные интенсивным подпороговым образованием
дефектов в промежуточных слоях, не проявляются. Поэтому можно заключить, что
уменьшение числа дырок и изменение структуры энергетических зон в купратных и
28
промежуточных слоях с ростом d ведет к подавлению низкоэнергетического
образования дефектов. Кроме того, зависимость дефектообразования от плазменной
частоты свидетельствует в пользу плазмонного механизма подпорогового образования
дефектов.
Выводы
Установлено, что облучение малыми флюенсами быстрых нейтронов
стимулирует понижение электронной плотности и преобразования кластеров вакансий
в промежуточных слоях высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3O7-d c d » 0.
Эффект малых флюенсов проявляется в существенном немонотонном понижении
концентрации кластеров вакансий – позитронных ловушек.
Определено, что понижение плотности обусловлено образованием,
преимущественно, дефектов Ва и Сu1, концентрация которых не менее чем на три
порядка превышает число радиационных дефектов, созданных по ударному механизму.
Приведена модель аннигиляции позитронов в облученных образцах YBa2Cu3O7.
Показано, что в промежуточных слоях, кроме ударного смещения атомов,
реализуется интенсивное подпороговое создание дефектов, которое сопровождается
преобразованиями кластеров вакансий и ослабевает по мере понижения числа атомов
кислорода в слое Сu1O. Подпороговый механизм проявляется при содержании
кислорода 0 £ d < 0,38.
Предложена плазмонная модель подпорогового дефектообразования в
промежуточных слоях сверхпроводника YBa2Cu3O7. Согласно модели дефекты
образуются при распаде слабозатухающих коллективных возбуждений, переносятся в
электрическом поле бездиссипативно движущихся возбуждений и аккумулируются при
рассеянии возбуждений в тонком приповерхностном слое, что понижает их количество в
аннигиляционном объеме и вблизи крупных вакансионных кластеров, что приводит к
реакциям ассоциации–диссоциации дефектов.
Литература
1. Шалаев А.М. Радиационно-стимулированные процессы в металлах.– Москва:
Энергоиздат. – 1988. – 176 с.
2. Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О. Механизмы образования дефектов в
полупроводниках. – Москва: Наука. – 1981. – 368 с.
3. Вавилов В.С. Миграция атомов в полупроводниках и изменение числа и структуры
дефектов, инициируемых возбуждениями электронной подсистемы // Успехи физ.
наук. – 1997. – Т. 167, № 4. – С. 407–412.
4. Лущик Ч.Б., Лущик А.Ч. Распад электронных возбужденй с образованием дефектов
в твердых телах. – Москва: Наука. – 1989. – 264 с.
5. Эффекты локализации в атомно–разупорядоченных высокотемпературных
сверхпропроводниках /Алексашкин В.А., Воронин В.И., Верховский С.В.и др.//
Журн. эксперим. и теор. физики. – 1989. – Т. 95, № 2. – С. 678–697.
6. Разупорядоченные нейтронным облучением монокристаллы: высоко-
температурные сверхпроводники, квазидвумерные металлы / Карьин А.Е.,
Давыдов С.А., Мирмильштейн А.В. и др. // Сверхпроводимость. – 1992. – Т. 5,
№ 12. – С. 2215–2234.
7. Williams G.V.M., Tallon J.L., Michalak R., Dupree R. NMR evidence for
commonsuperconducting and pseudogap phase diagrams of YBa2Cu3O7–d and
La2-xSrxCu2O4 // Phys. Rev. B. – 1996. – V. 54, N 10. – P. 6909–6912.
29
8. А.с. 17521150 СССР, МКИ Н 01 L39/24, Н 01В12/00. Способ обработки
сверхпроводника / Чуйко А.А., Алексеенко Б.В., Галушко А.П., Горе лов Б.М. и
др. // №4765638/25; Заявл. 08.12.89; Опубл. 01.04.92, 6 с.
9. Коррелляция критической температуры и структурных изменений YBa2Cu3O7 при
облучении малыми флюенсами быстрых нейтронов / Адонкин В.Т., Алексеенко
Б.В., Горбик П.П., Горелов Б.М. и др. // Физика тверд. тела. – 1993. – Т. 35, № 6. –
С. 1427–1431.
10. А.с. 17521151 СССР, МКИ Н 01 L39/24, Н 01В12/00.– Способ обработки
сверхпроводника. / Чуйко А.А., Алексеенко Б.В., Букалов А.В., Галушка А.П. и
др. // №4765638/25; Заявл. 08.12.89; Опубл. 01.04.92, 6 с.
11. Pushka M.J., Nieminen R.M. Theory of positrons in solids and on solid surfaces // Rev.
Mod. Phys. – 1994. – V. 66, N 3. – P. 841–898.
12. Графутин В.И., Прокопьев Е.П. Применение позитронной аннигиляции для
изучения строения вещества / Успехи физ. наук. – 2002. – Т. 172, № 1. – С. 67–83.
13. Горелов Б.М. Коллективное дефектообразование в высокотемпературном сверх–
проводнике YBa2Cu3O7 под действием адсорбированных молекул воды // Журн.
эксперим. и теор. физики. – 1999. – Т. 116, № 8 (2). – С. 586–603.
14. Subthreshold defect formation in YBa2Cu3O7–δ superconductors at nonuniform heating of
electron gas / Adonkin V.T., Gorelov B.M., Ogenko V.M. et al. // Chemistry, Physics
and Technol. Surf. – 2002. – N 7. – P. 69–81.
15. Defect formation in the intermediate layers of YBa2Cu3O7–δ superconductors depending
on oxygen content / Adonkin V.T., Gorelov B.M., Ogenko V.M.et al.// Chemistry,
Physics and Technol. Surf. – 2002. – N 8. – P. 177–189.
16. Pells J.P. Radiation effects in YBa2Cu3O7–x. - Harwall. United Kingdom. Atomic
Energy– 1989. – P. 1–17.
17. Chrisey D., Summers G.P. Radiation effect in the high Tc superconductor YBa2Cu3O7–δ //
Nucl. Instr. аnd Methods Phys. Res. –1989. – V. 43, N 1. – P. 50–54.
18. Low flux neutron irradiation of ceramic YBa2Cu3O7–δ /Mezzetti E., Menetti B.,
Abbattista F. et al. // Nuovo Chim. D. –1990. –V. 3, N 5. – P. 1017–1020.
19. Cost J.R., Willis J.O., Tompson J.D., Peterson D.E. Fast neutron irradiation of
YBa2Cu3Ox // Phys. Rev. B. – 1988. – V. 37, N 4. – P. 1563–1568.
20. Parkin D.M. Radiation effects in high temperature superconductors // Metallurg. and
Mater. Trans. – 1990. – V. 21, N 5. – P. 1015–1019.
21. Sauerzopt F.M. Anisotropic flux pinning in YBa2Cu3O7–δ single crystals: The evidence of
defect size and density as determined from neutron irradiation // Phys. Rev. B.– 1998. –
V. 57, N 17. – P. 10989–10991.
22. Fuger R., Eisterer M., Hengstberger F., Weber H.W. Influence of neutron irradiation on
high tempeature superconducting coating conductors // Phys.C: Supercond. – 2008. –
V. 468, N 15–20. – P. 1647–1651.
23. Frischhertz M.C., Kirk M.A., Farmer J., Weber H.W. Defect cascades produced by
neutron irradiation in YBa2Cu3O7–δ superconductors // Phil. Mag. A. –1993. – V. 67. –
P. 1347–1355.
24. Zhou W., Thomes J.M., Jefferson D.A., Dines P. Microstructural irregularities in
superconducting YBa2Cu3O7–δ // J. Phys. F. – 1987. – V. 17, N 8. – P. 173–177.
25. Neutron irradiation studies on Y–123 thick films deposited by liquid phase epitaxy on
single crystal substrates / Voster V., Sun Y.F., Weber H.W. et al. // Physica. C:
Supercond. – 2003. – V. 399, N 3 –4. – P. 120–128
26. Ultrasound stimulated ordering effects in the Y–Ba–Cu–O system / Lysenko V.N.,
Adonkin V.T., Dyakin V.V. et al. // Superconductivity. – 1992. – V. 5, N2. – P. 341–344.
27. Brandt W. Positron dynamics in solids // J. Appl. Phys. – 1974. – V. 5, N 1. – P. 1–23.
30
28. Исследование структуры эпоксидных полимеров методом аннигиляции позитронов
/ Буленков П.А., Жердяев Ю.В., Лапин В.В. и др.// Хим. физика. – 1983. – № 1. –
С. 126–128.
29. Swiatkowski W. Dyfusia positronov w metalu i efecty uwarunkovane tym procesem //
Acta Universitatis. Matematyka, Fizyka, Astronomia. – 1982. –N 39. – P. 3–96.
30. Jensen K.O., Nieminen R.M., Pushka M.J. Positron states in YBa2Cu3O7–d // J. Phys.:
Condens. Matter. –1989. – V. 1, N 2. – P. 3727–3732.
31. Maninen M., Nieminen R., Hautoiarvi P., Apronen J. Electrons and positrons in metal
vacancies // Phys. Rev. B. – 1975. – V. 12, N 10. – P. 4012–4022.
32. Systematic positron studies of high temperature superconductivity: neutron irradiated
YBa2Cu3O7 / Lui X., Wang S.J., Sundar C.S. et al. // Mat. Sci. Forum. – 1992. –V. 105–
110. – P. 755–758.
33. Roth C., Heger G., Schweis P. Copper deficiency in YBa2Cu3O7–δ // Physica. C. –
1988. –V. 152, N 4. – P. 329–334.
34. Вишняков А.В. Нестехиометрия, дефекты структуры и свойства фазы YBa2Cu3O7–δ.
Высокотемпературная сверхпроводимость. – Ленингр. отд.: Машиностроение. –
1990. – С. 377–404.
35. Jensen K.O. Local density calculation of positron annihilation in metals // J. Phys.:
Condens. Matter. – 1989. – V. 1, N 51. – P. 10595–10602.
36. Кирсанов В.В., Мусин Н.Н., Шамарина Е.И. Пороговые энергии cмещения в ВТСП.
Порог для кислорода и меди в YBa2Cu3O7 // Сверхпроводимость. – 1994. – T. 7,
№ 3. – С. 427–435.
37. Baetzold R.C. Atomistic simulation of ionic and electronic defects in YBa2Cu3O7 // Phys.
Rev. B. – 1988. – V. 38, N 11. – P. 11304–11312.
38. Дегтяренко Н.Н., Елесин В.Ф., Мельников В.Л. Расчет парциальных смещений
атомов ВТСП под действием высокоэнергетических частиц // Сверхпроводимость.
–1990. – T. 3, № 10. – С. 2516–2525.
38. Garber P.J., Kinsly R.R. Neutron cross section. Brookhaven National Associated
Universities. – 1976. – V. 11 curves.
40. Optical studies of the a, b, and c– axis charge dynamic in YBa2Cu3O6+x / Cooper S.L.,
Reznik D., Kotz A. еt al. // Phys. Rev. B. – 1993. – V. 47, N 13. – P. 8233–8248.
41. Optical study of c –axis charge dynamics in YBa2Cu3Oy: Carriers self-confinement in the
normal and superconductivity states / Tajima S., Schutzmann J., Miyamoto S.et al. //
Phys. Rev. B. – 1997. – V. 55, N 9. – P. 6051–6060.
42. Мисочко О.В. Электронное комбинационное рассеяние света в
высокотемпературных сверхпроводниках // Успехи физ. наук. – 2003. – Т. 173,
№ 4. – С. 385–405.
43. Бакунцева М.В., Горелов Б.М., Васильев М.А., Мищук О.А. Перенос дефектов в
высокотемпературном сверхпроводнике (Bi0.8Pb0.2)2Sr2Ca2Cu3O10 под действием g-
облучения // Металлофизика и новейшие технологии. – 2002. – Т. 24, № 1. – С. 41–
52.
44. Бакунцева М.В., Горелов Б.М., Мищук О.А. Адсорбция воды и ее влияние на
элементный состав (Вi0.8Pb0.2)2Sr2Ca2Cu3O10 // Металлофизика и новейшие
технологии. – 2003. – Т. 25, № 1. – С. 67–80.
31
ПОЗИТРОННА СПЕКТРОСКОПІЯ ВИСОКОТЕМПЕРАТУРНИХ
НАДПРОВІДНИКІВ YBa2Cu3O7-δ, ОПРОМІНЕНИХ МАЛИМИ
ФЛЮЕНСАМИ ШВИДКИХ НЕЙТРОНІВ
Б.М. Горєлов
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України,
вул. Генерала Наумова, 17, Київ, 03164, Україна
У високотемпературному надпровіднику YBa2Cu3O7-δ (δ ≈ 0) при опроміненні флюенсами
ф ≤ 1014 см-2 швидких нейтронів в проміжних шарах реалізується інтенсивне підпорогове
дефектоутворення, при якому число утворених дефектів більш ніж в 103 разів перевищує
кількість радіаційних дефектів, створених за рахунок ударного механізму. Дефектоутворення
виявляється, коли ф > 1011 см-2, та характеризується створенням переважно катіонних
дефектів Ва та Cu1, зниженням електронної густини в проміжних шарах і супроводжується
немонотонним зменшенням концентрації кластерів вакансій. Запропонований підпороговий
механізм утворення дефектів, пов’язаний з розпадом колективних збуджень, число яких росте в
нерівноважному стані електронної густини при нейтронному опроміненні.
POSITRON SPECTROSCOPY OF YBa2Cu3O7-δ HIGH
TEMPERATURE SUPERCONDUCTOR IRRADIATED WITH LOW
FLUENCIES OF FAST NEUTRONS
B.M. Gorelov
Chuiko Institute of Surface Chemistry, National Academy of Sciences of Ukraine,
17 General Naumov Str. Kyiv, 03164, Ukraine
The intensive subthreshold defect formation occurs in the intermediate layers of YBa2Cu3O7-δ
(δ ≈ 0) high temperature superconductor under neutron irradiation with low fluencies of
1011 < ф ≤1014 сm-2. The number of defects created due to the low energy mechanism more than 103
times exceeds the content of radiation defects formed owing to the impact mechanism. The subthreshold
defect formation reveals in a decrease of the electron density in the intermediate layers with
nonmonotone lowering concentration of vacancy clusters. The behavior of electron density is caused by
formation of Ва and Cu1 cation defects and their accumulation in the thin surface layer of crystals. It is
supposed that the subthreshold defect formation is related to the decay of collective excitations
stimulated in the non equilibrium state of electron density under the neutron irradiation.
|
| id | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-397 |
| institution | Surface |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Russian |
| last_indexed | 2026-03-12T17:11:15Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine |
| record_format | ojs |
| resource_txt_mv | surfacezbircomua/3f/cfd3e651e36d284b0eedd5b93a805f3f.pdf |
| spelling | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-3972018-11-27T09:39:14Z Positron spectroscopy of YBa2Cu3O7-δ high temperature superconductor irradiated with low fluencies of fast neutrons Позитронная спектроскопия высокотемпературных сверхпроводников YBa2Cu3O7-δ, облученных малыми флюенсами быстрых нейтронов Позитронна спектроскопія високотемпературних надпровідників YBa2Cu3O7-δ, опромінених малими флюенсами швидких нейтронів Gorelov, B. M. The intensive subthreshold defect formation occurs in the intermediate layers of YBa2Cu3O7-δ (δ&nbsp;≈&nbsp;0) high temperature superconductor under neutron irradiation with low fluencies of 1011&nbsp;&lt;&nbsp;ф&nbsp;≤1014&nbsp;сm-2. The number of defects created due to the low energy mechanism more than 103 times exceeds the content of radiation defects formed owing to the impact mechanism. The subthreshold defect formation reveals in a decrease of the electron density in the intermediate layers with nonmonotone lowering concentration of vacancy clusters. The behavior of electron density is caused by formation of Ва and Cu1 cation defects and their accumulation in the thin surface layer of crystals. It is supposed that the subthreshold defect formation is related to the decay of collective excitations stimulated in the non equilibrium state of electron density under the neutron irradiation. В высокотемпературном сверхпроводнике YBa2Cu3O7-δ (δ ≈ 0) при облучении флюенсами ф&nbsp;≤&nbsp;1014&nbsp;см-2 быстрых нейтронов в промежуточных слоях реализуется интенсивное подпороговое дефектообразование, когда число образованных дефектов более чем в 103 раз превышает количество радиационных дефектов, созданных за счет ударного механизма. Дефектообразование проявляется при ф&nbsp;&gt;&nbsp;1011&nbsp;см-2, характеризуется созданием преимущественно дефектов катионов Ва и Cu1, понижением электронной плотности в слоях и сопровождается немонотонным уменьшением концентрации кластеров вакансий. Предполагается, что подпороговый механизм образования дефектов, связан с распадом коллективных возбуждений, число которых растет в неравновесных условиях нейтронного облучения. У високотемпературному надпровіднику YBa2Cu3O7-δ (δ ≈ 0) при опроміненні флюенсами ф&nbsp;≤&nbsp;1014&nbsp;см-2 швидких нейтронів в проміжних шарах реалізується інтенсивне підпорогове дефектоутворення, при якому число утворених дефектів більш ніж в 103 разів перевищує кількість радіаційних дефектів, створених за рахунок ударного механізму. Дефектоутворення виявляється, коли ф&nbsp;&gt;&nbsp;1011&nbsp;см-2, та характеризується створенням переважно катіонних дефектів Ва та Cu1, зниженням електронної густини в проміжних шарах і супроводжується немонотонним зменшенням концентрації кластерів вакансій. Запропонований підпороговий механізм утворення дефектів, пов’язаний з розпадом колективних збуджень, число яких росте в нерівноважному стані електронної густини при нейтронному опроміненні. Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2010-08-28 Article Article application/pdf https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/397 Surface; No. 2(17) (2010): Surface; 19-31 Поверхность; № 2(17) (2010): Поверхность; 19-31 Поверхня; № 2(17) (2010): Поверхня; 19-31 3154-8091 3154-8083 ru https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/397/395 Авторське право (c) 2010 B.M. Gorelov |
| spellingShingle | Gorelov, B. M. Позитронна спектроскопія високотемпературних надпровідників YBa2Cu3O7-δ, опромінених малими флюенсами швидких нейтронів |
| title | Позитронна спектроскопія високотемпературних надпровідників YBa2Cu3O7-δ, опромінених малими флюенсами швидких нейтронів |
| title_alt | Positron spectroscopy of YBa2Cu3O7-δ high temperature superconductor irradiated with low fluencies of fast neutrons Позитронная спектроскопия высокотемпературных сверхпроводников YBa2Cu3O7-δ, облученных малыми флюенсами быстрых нейтронов |
| title_full | Позитронна спектроскопія високотемпературних надпровідників YBa2Cu3O7-δ, опромінених малими флюенсами швидких нейтронів |
| title_fullStr | Позитронна спектроскопія високотемпературних надпровідників YBa2Cu3O7-δ, опромінених малими флюенсами швидких нейтронів |
| title_full_unstemmed | Позитронна спектроскопія високотемпературних надпровідників YBa2Cu3O7-δ, опромінених малими флюенсами швидких нейтронів |
| title_short | Позитронна спектроскопія високотемпературних надпровідників YBa2Cu3O7-δ, опромінених малими флюенсами швидких нейтронів |
| title_sort | позитронна спектроскопія високотемпературних надпровідників yba2cu3o7-δ, опромінених малими флюенсами швидких нейтронів |
| url | https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/397 |
| work_keys_str_mv | AT gorelovbm positronspectroscopyofyba2cu3o7dhightemperaturesuperconductorirradiatedwithlowfluenciesoffastneutrons AT gorelovbm pozitronnaâspektroskopiâvysokotemperaturnyhsverhprovodnikovyba2cu3o7doblučennyhmalymiflûensamibystryhnejtronov AT gorelovbm pozitronnaspektroskopíâvisokotemperaturnihnadprovídnikívyba2cu3o7dopromínenihmalimiflûensamišvidkihnejtronív |