Теоретичні розрахунки поширення температурного поля в кремнієвих періодичних структурах під час термічного відпалу
Interesting direction of investigations is using surface-periodic structures in solar cells, because micrometer and nanometer periodic structures enlarge area of solar cells surface. At this, for using in solar cells, creation is proposed of p-n or n-p junctions in micro-threads of those structures....
Gespeichert in:
| Datum: | 2017 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2017
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/408 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
Institution
Chemistry, Physics and Technology of Surface| _version_ | 1856543884456230912 |
|---|---|
| author | Havryliuk, O. O. Semchuk, O. Yu. |
| author_facet | Havryliuk, O. O. Semchuk, O. Yu. |
| author_sort | Havryliuk, O. O. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2022-06-29T10:15:09Z |
| description | Interesting direction of investigations is using surface-periodic structures in solar cells, because micrometer and nanometer periodic structures enlarge area of solar cells surface. At this, for using in solar cells, creation is proposed of p-n or n-p junctions in micro-threads of those structures. Taking into consideration that creation of those junctions is to be realized under a temperature impact, necessity arouses of analyzing temperature distribution in periodic structures through heating. It makes it possible to control the alloying process more widely and to create p-n or n-p junctions in micro-threads. In the process of thermal annealing of porous silicon, desorption of electrochemical processing products takes place on its surface and its luminescent properties change.In this work numerical calculations are made of a temperature distribution in periodic structures on silicon surface in process of thermal annealing.Calculations realized in the given investigation make it possible to forecast a temperature distribution in silicon periodic structures in process of thermal annealing. It gives a possibility for more precise alloying such structures. It is shown that after 40 µs the specimen gets warmed thoroughly. But a small irregular warming takes place between micro-threads that can be caused by heated air fluctuations. Distribution of the temperature profiles is shown at different time intervals.It is shown that in case of thermal annealing a span between micro-threads heats up. |
| first_indexed | 2025-07-22T19:32:51Z |
| format | Article |
| id | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-408 |
| institution | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-17T12:07:43Z |
| publishDate | 2017 |
| publisher | Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-4082022-06-29T10:15:09Z Theoretical evaluation of the temperature field distribution in the silicon periodic nanostructures during thermal annealing Теоретические расчеты распространения температурного поля в кремниевых периодических структурах при термическом отжиге Теоретичні розрахунки поширення температурного поля в кремнієвих періодичних структурах під час термічного відпалу Havryliuk, O. O. Semchuk, O. Yu. porous silicon periodic structures thermal annealing thermoconductivity equation пористий кремній періодичні структури термічний відпал рівняння теплопровідності пористый кремний периодические структуры термический отжиг уравнение теплопроводности Interesting direction of investigations is using surface-periodic structures in solar cells, because micrometer and nanometer periodic structures enlarge area of solar cells surface. At this, for using in solar cells, creation is proposed of p-n or n-p junctions in micro-threads of those structures. Taking into consideration that creation of those junctions is to be realized under a temperature impact, necessity arouses of analyzing temperature distribution in periodic structures through heating. It makes it possible to control the alloying process more widely and to create p-n or n-p junctions in micro-threads. In the process of thermal annealing of porous silicon, desorption of electrochemical processing products takes place on its surface and its luminescent properties change.In this work numerical calculations are made of a temperature distribution in periodic structures on silicon surface in process of thermal annealing.Calculations realized in the given investigation make it possible to forecast a temperature distribution in silicon periodic structures in process of thermal annealing. It gives a possibility for more precise alloying such structures. It is shown that after 40 µs the specimen gets warmed thoroughly. But a small irregular warming takes place between micro-threads that can be caused by heated air fluctuations. Distribution of the temperature profiles is shown at different time intervals.It is shown that in case of thermal annealing a span between micro-threads heats up. Проведено математическое моделирование распределения температуры в кремниевых периодических структурах. Показано распределение температурных профилей в различные промежутки времени. Установлено время полного нагрева структуры. Показано, что при термическом отжиге быстрее нагревается промежуток между микронитями. Проведено математичне моделювання розподілу температури в кремнієвих періодичних структурах. Показано розподіл температурних профілів в різні проміжки часу. Встановлено час повного нагріву структури. Показано, що при термічному відпалі швидше нагрівається проміжок між мікронитками. Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2017-02-01 Article Article application/pdf https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/408 10.15407/hftp08.01.003 Chemistry, Physics and Technology of Surface; Vol. 8 No. 1 (2017): Chemistry, Physics and Technology of Surface / Himia, Fizika ta Tehnologia Poverhni; 3-9 Химия, физика и технология поверхности; Том 8 № 1 (2017): Химия, физика и технология поверхности; 3-9 Хімія, фізика та технологія поверхні; Том 8 № 1 (2017): Хімія, фізика та технологія поверхні; 3-9 2518-1238 2079-1704 10.15407/hftp08.01 en https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/408/405 Copyright (c) 2017 O. O. Havryliuk, O. Yu. Semchuk |
| spellingShingle | пористий кремній періодичні структури термічний відпал рівняння теплопровідності Havryliuk, O. O. Semchuk, O. Yu. Теоретичні розрахунки поширення температурного поля в кремнієвих періодичних структурах під час термічного відпалу |
| title | Теоретичні розрахунки поширення температурного поля в кремнієвих періодичних структурах під час термічного відпалу |
| title_alt | Theoretical evaluation of the temperature field distribution in the silicon periodic nanostructures during thermal annealing Теоретические расчеты распространения температурного поля в кремниевых периодических структурах при термическом отжиге |
| title_full | Теоретичні розрахунки поширення температурного поля в кремнієвих періодичних структурах під час термічного відпалу |
| title_fullStr | Теоретичні розрахунки поширення температурного поля в кремнієвих періодичних структурах під час термічного відпалу |
| title_full_unstemmed | Теоретичні розрахунки поширення температурного поля в кремнієвих періодичних структурах під час термічного відпалу |
| title_short | Теоретичні розрахунки поширення температурного поля в кремнієвих періодичних структурах під час термічного відпалу |
| title_sort | теоретичні розрахунки поширення температурного поля в кремнієвих періодичних структурах під час термічного відпалу |
| topic | пористий кремній періодичні структури термічний відпал рівняння теплопровідності |
| topic_facet | porous silicon periodic structures thermal annealing thermoconductivity equation пористий кремній періодичні структури термічний відпал рівняння теплопровідності пористый кремний периодические структуры термический отжиг уравнение теплопроводности |
| url | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/408 |
| work_keys_str_mv | AT havryliukoo theoreticalevaluationofthetemperaturefielddistributioninthesiliconperiodicnanostructuresduringthermalannealing AT semchukoyu theoreticalevaluationofthetemperaturefielddistributioninthesiliconperiodicnanostructuresduringthermalannealing AT havryliukoo teoretičeskierasčetyrasprostraneniâtemperaturnogopolâvkremnievyhperiodičeskihstrukturahpritermičeskomotžige AT semchukoyu teoretičeskierasčetyrasprostraneniâtemperaturnogopolâvkremnievyhperiodičeskihstrukturahpritermičeskomotžige AT havryliukoo teoretičnírozrahunkipoširennâtemperaturnogopolâvkremníêvihperíodičnihstrukturahpídčastermíčnogovídpalu AT semchukoyu teoretičnírozrahunkipoširennâtemperaturnogopolâvkremníêvihperíodičnihstrukturahpídčastermíčnogovídpalu |