Газовий датчик NH3 на основі гетероструктур PbS/CdS, що працює в умовах кімнатної температури
In order to develop sensors capable to detect harmful gases at the ambient temperature, the semiconductor heterostructure PbS/CdS has been synthesized. Formation of CdS nanorods was conducted in the presence of ethylenediamine. An ion-exchange method was used to deposit PbS nanoparticles over the Cd...
Gespeichert in:
| Datum: | 2017 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2017
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/418 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
Institution
Chemistry, Physics and Technology of Surface| _version_ | 1856543887940648960 |
|---|---|
| author | Prokopenko, S. L. Gunja, G. M. Makhno, S. M. Gorbyk, P. P. |
| author_facet | Prokopenko, S. L. Gunja, G. M. Makhno, S. M. Gorbyk, P. P. |
| author_sort | Prokopenko, S. L. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2022-06-29T10:15:09Z |
| description | In order to develop sensors capable to detect harmful gases at the ambient temperature, the semiconductor heterostructure PbS/CdS has been synthesized. Formation of CdS nanorods was conducted in the presence of ethylenediamine. An ion-exchange method was used to deposit PbS nanoparticles over the CdS nanorods to produce a large area of the surface heterojunction. Series of samples of with variation in the PbS amount on the CdS surface (from 2.5 to 20mol.%) was obtained. Surface morphology, optical properties and performance characteristics of the PbS/CdS heterostructure gas sensors were studied. The sample performance characteristics were measured by means of change in electric resistance of sensor due to reaction between the surface of material and NH3 in saturated vapours of ammonia. The gas sensor based on the PbS/CdS heterostructures have shorter response and recovery time compared to a sensor based on the CdS solely. It has been shown that with increase in amount of PbS on the CdS surface from 2.5 to 20mol.% the sensor response rate becomes 1.7 times greater. |
| first_indexed | 2025-07-22T19:32:55Z |
| format | Article |
| id | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-418 |
| institution | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-17T12:07:45Z |
| publishDate | 2017 |
| publisher | Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-4182022-06-29T10:15:09Z Room-temperature NH3 gas sensors based on heterostructures PbS/CdS Газовый датчик NH3 на основе гетероструктур PbS/CdS, работающий в условиях комнатной температуры Газовий датчик NH3 на основі гетероструктур PbS/CdS, що працює в умовах кімнатної температури Prokopenko, S. L. Gunja, G. M. Makhno, S. M. Gorbyk, P. P. sensor PbS/CdS heterostructures ammonia nanowires датчик гетероструктури PbS/CdS амоніак нанострижні датчик гетероструктуры PbS/CdS аммиак наностержни In order to develop sensors capable to detect harmful gases at the ambient temperature, the semiconductor heterostructure PbS/CdS has been synthesized. Formation of CdS nanorods was conducted in the presence of ethylenediamine. An ion-exchange method was used to deposit PbS nanoparticles over the CdS nanorods to produce a large area of the surface heterojunction. Series of samples of with variation in the PbS amount on the CdS surface (from 2.5 to 20mol.%) was obtained. Surface morphology, optical properties and performance characteristics of the PbS/CdS heterostructure gas sensors were studied. The sample performance characteristics were measured by means of change in electric resistance of sensor due to reaction between the surface of material and NH3 in saturated vapours of ammonia. The gas sensor based on the PbS/CdS heterostructures have shorter response and recovery time compared to a sensor based on the CdS solely. It has been shown that with increase in amount of PbS on the CdS surface from 2.5 to 20mol.% the sensor response rate becomes 1.7 times greater. С целью разработки датчиков, которые могут обнаружить вредные газы при комнатной температуре, были синтезированы полупроводниковые гетероструктуры PbS/CdS на основе наностержней CdS. Использован метод ионного замещения для нанесения наночастиц PbS на поверхность наностержней CdS, для получения большой площади поверхности гетероперехода. Исследованы их морфология, оптические свойства и характеристики датчика NH3. Показано, что при увеличении количества PbS на поверхности CdS с 2.5 до 20 % скорость отклика датчика увеличивается в 1.7 раза. З метою розробки датчиків, які можуть виявити шкідливі гази при кімнатній температурі, були синтезовані напівпровідникові гетероструктури PbS/CdS на основі нанострижнів CdS. Використано метод іонного заміщення для нанесення наночастинок PbS на поверхню нанострижнів CdS, для отримання великої площі поверхні гетеропереходу. Досліджено їх морфологія, оптичні властивості та характеристики датчика NH3. Показано, що при збільшенні кількості PbS на поверхні CdS з 2.5 до 20 % швидкість відгуку датчика збільшується в 1.7 рази. Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2017-02-01 Article Article application/pdf https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/418 10.15407/hftp08.01.098 Chemistry, Physics and Technology of Surface; Vol. 8 No. 1 (2017): Chemistry, Physics and Technology of Surface / Himia, Fizika ta Tehnologia Poverhni; 98-103 Химия, физика и технология поверхности; Том 8 № 1 (2017): Химия, физика и технология поверхности; 98-103 Хімія, фізика та технологія поверхні; Том 8 № 1 (2017): Хімія, фізика та технологія поверхні; 98-103 2518-1238 2079-1704 10.15407/hftp08.01 en https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/418/415 Copyright (c) 2017 S. L. Prokopenko, G. M. Gunja, S. M. Makhno, P. P. Gorbyk |
| spellingShingle | датчик гетероструктури PbS/CdS амоніак нанострижні Prokopenko, S. L. Gunja, G. M. Makhno, S. M. Gorbyk, P. P. Газовий датчик NH3 на основі гетероструктур PbS/CdS, що працює в умовах кімнатної температури |
| title | Газовий датчик NH3 на основі гетероструктур PbS/CdS, що працює в умовах кімнатної температури |
| title_alt | Room-temperature NH3 gas sensors based on heterostructures PbS/CdS Газовый датчик NH3 на основе гетероструктур PbS/CdS, работающий в условиях комнатной температуры |
| title_full | Газовий датчик NH3 на основі гетероструктур PbS/CdS, що працює в умовах кімнатної температури |
| title_fullStr | Газовий датчик NH3 на основі гетероструктур PbS/CdS, що працює в умовах кімнатної температури |
| title_full_unstemmed | Газовий датчик NH3 на основі гетероструктур PbS/CdS, що працює в умовах кімнатної температури |
| title_short | Газовий датчик NH3 на основі гетероструктур PbS/CdS, що працює в умовах кімнатної температури |
| title_sort | газовий датчик nh3 на основі гетероструктур pbs/cds, що працює в умовах кімнатної температури |
| topic | датчик гетероструктури PbS/CdS амоніак нанострижні |
| topic_facet | sensor PbS/CdS heterostructures ammonia nanowires датчик гетероструктури PbS/CdS амоніак нанострижні датчик гетероструктуры PbS/CdS аммиак наностержни |
| url | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/418 |
| work_keys_str_mv | AT prokopenkosl roomtemperaturenh3gassensorsbasedonheterostructurespbscds AT gunjagm roomtemperaturenh3gassensorsbasedonheterostructurespbscds AT makhnosm roomtemperaturenh3gassensorsbasedonheterostructurespbscds AT gorbykpp roomtemperaturenh3gassensorsbasedonheterostructurespbscds AT prokopenkosl gazovyjdatčiknh3naosnovegeterostrukturpbscdsrabotaûŝijvusloviâhkomnatnojtemperatury AT gunjagm gazovyjdatčiknh3naosnovegeterostrukturpbscdsrabotaûŝijvusloviâhkomnatnojtemperatury AT makhnosm gazovyjdatčiknh3naosnovegeterostrukturpbscdsrabotaûŝijvusloviâhkomnatnojtemperatury AT gorbykpp gazovyjdatčiknh3naosnovegeterostrukturpbscdsrabotaûŝijvusloviâhkomnatnojtemperatury AT prokopenkosl gazovijdatčiknh3naosnovígeterostrukturpbscdsŝopracûêvumovahkímnatnoítemperaturi AT gunjagm gazovijdatčiknh3naosnovígeterostrukturpbscdsŝopracûêvumovahkímnatnoítemperaturi AT makhnosm gazovijdatčiknh3naosnovígeterostrukturpbscdsŝopracûêvumovahkímnatnoítemperaturi AT gorbykpp gazovijdatčiknh3naosnovígeterostrukturpbscdsŝopracûêvumovahkímnatnoítemperaturi |