Ефективний час життя неосновних носіїв заряду і стаціонарний розподіл надлишкових неосновних носіїв заряду в макропористому кремнії
We have obtained a simple expression that determines the effective minority carrier lifetime in macroporous silicon with periodic arrangement of infinitely long macropores as a function of bulk lifetime, surface recombination velocity of minority carriers, pore radius and the distance between the ce...
Gespeichert in:
| Datum: | 2017 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2017
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/435 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
Institution
Chemistry, Physics and Technology of Surface| id |
oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-435 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| institution |
Chemistry, Physics and Technology of Surface |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2022-06-29T10:14:34Z |
| collection |
OJS |
| language |
English |
| topic |
фективний час життя неосновних носіїв заряду розподіл надлишкових неосновних носіїв заряду макропористий кремній |
| spellingShingle |
фективний час життя неосновних носіїв заряду розподіл надлишкових неосновних носіїв заряду макропористий кремній Onyshchenko, V. F. Karachevtseva, L. A. Ефективний час життя неосновних носіїв заряду і стаціонарний розподіл надлишкових неосновних носіїв заряду в макропористому кремнії |
| topic_facet |
effective minority carrier lifetime excess minority carrier distribution macroporous silicon фективний час життя неосновних носіїв заряду розподіл надлишкових неосновних носіїв заряду макропористий кремній эффективное время жизни неосновных носителей заряда распределение избыточных неосновных носителей заряда макропористый кремний |
| format |
Article |
| author |
Onyshchenko, V. F. Karachevtseva, L. A. |
| author_facet |
Onyshchenko, V. F. Karachevtseva, L. A. |
| author_sort |
Onyshchenko, V. F. |
| title |
Ефективний час життя неосновних носіїв заряду і стаціонарний розподіл надлишкових неосновних носіїв заряду в макропористому кремнії |
| title_short |
Ефективний час життя неосновних носіїв заряду і стаціонарний розподіл надлишкових неосновних носіїв заряду в макропористому кремнії |
| title_full |
Ефективний час життя неосновних носіїв заряду і стаціонарний розподіл надлишкових неосновних носіїв заряду в макропористому кремнії |
| title_fullStr |
Ефективний час життя неосновних носіїв заряду і стаціонарний розподіл надлишкових неосновних носіїв заряду в макропористому кремнії |
| title_full_unstemmed |
Ефективний час життя неосновних носіїв заряду і стаціонарний розподіл надлишкових неосновних носіїв заряду в макропористому кремнії |
| title_sort |
ефективний час життя неосновних носіїв заряду і стаціонарний розподіл надлишкових неосновних носіїв заряду в макропористому кремнії |
| title_alt |
Effective minority carrier lifetime and distribution of steady-state excess minority carriers in macroporous silicon Эффективное время жизни неосновных носителей заряда и стационарное распределение избыточных неосновных носителей заряда в макропористом кремнии |
| description |
We have obtained a simple expression that determines the effective minority carrier lifetime in macroporous silicon with periodic arrangement of infinitely long macropores as a function of bulk lifetime, surface recombination velocity of minority carriers, pore radius and the distance between the centers of macropores. This expression can be applied also to macroporous silicon with randomly distributed pores by replacing the pore radius and the distance between the centers of macropores with their average values. The distribution of steady-state excess minority carriers in macroporous silicon is calculated for the analytical model proposed by us. The calculation is made for the case when both the outer surface of macroporous silicon and the bottom of pores are illuminated with light. We observed two peaks of the distribution of steady-state excess minority carriers in macroporous silicon near the surfaces illuminated with light of wavelength 0.95 ?m. At the same time, if macroporous silicon was illuminated with light with the wavelength of 1.05 ?m, we observed only one maximum in the distribution function of the excess minority carriers, in spite of the fact that the pore bottom was also illuminated with light. It is shown that the distribution of excess minority carriers in macroporous silicon with through pores is similar to the distribution in single crystal silicon. But in this case, the effective lifetime of minority charge carriers in the effective medium of macroporous silicon, which includes silicon and the surface of pores, corresponds to the bulk minority-carrier lifetime in monocrystalline silicon. |
| publisher |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine |
| publishDate |
2017 |
| url |
https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/435 |
| work_keys_str_mv |
AT onyshchenkovf effectiveminoritycarrierlifetimeanddistributionofsteadystateexcessminoritycarriersinmacroporoussilicon AT karachevtsevala effectiveminoritycarrierlifetimeanddistributionofsteadystateexcessminoritycarriersinmacroporoussilicon AT onyshchenkovf éffektivnoevremâžiznineosnovnyhnositelejzarâdaistacionarnoeraspredelenieizbytočnyhneosnovnyhnositelejzarâdavmakroporistomkremnii AT karachevtsevala éffektivnoevremâžiznineosnovnyhnositelejzarâdaistacionarnoeraspredelenieizbytočnyhneosnovnyhnositelejzarâdavmakroporistomkremnii AT onyshchenkovf efektivnijčasžittâneosnovnihnosíívzarâduístacíonarnijrozpodílnadliškovihneosnovnihnosíívzarâduvmakroporistomukremníí AT karachevtsevala efektivnijčasžittâneosnovnihnosíívzarâduístacíonarnijrozpodílnadliškovihneosnovnihnosíívzarâduvmakroporistomukremníí |
| first_indexed |
2025-09-24T17:45:22Z |
| last_indexed |
2025-09-24T17:45:22Z |
| _version_ |
1849658203454832640 |
| spelling |
oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-4352022-06-29T10:14:34Z Effective minority carrier lifetime and distribution of steady-state excess minority carriers in macroporous silicon Эффективное время жизни неосновных носителей заряда и стационарное распределение избыточных неосновных носителей заряда в макропористом кремнии Ефективний час життя неосновних носіїв заряду і стаціонарний розподіл надлишкових неосновних носіїв заряду в макропористому кремнії Onyshchenko, V. F. Karachevtseva, L. A. effective minority carrier lifetime excess minority carrier distribution macroporous silicon фективний час життя неосновних носіїв заряду розподіл надлишкових неосновних носіїв заряду макропористий кремній эффективное время жизни неосновных носителей заряда распределение избыточных неосновных носителей заряда макропористый кремний We have obtained a simple expression that determines the effective minority carrier lifetime in macroporous silicon with periodic arrangement of infinitely long macropores as a function of bulk lifetime, surface recombination velocity of minority carriers, pore radius and the distance between the centers of macropores. This expression can be applied also to macroporous silicon with randomly distributed pores by replacing the pore radius and the distance between the centers of macropores with their average values. The distribution of steady-state excess minority carriers in macroporous silicon is calculated for the analytical model proposed by us. The calculation is made for the case when both the outer surface of macroporous silicon and the bottom of pores are illuminated with light. We observed two peaks of the distribution of steady-state excess minority carriers in macroporous silicon near the surfaces illuminated with light of wavelength 0.95 ?m. At the same time, if macroporous silicon was illuminated with light with the wavelength of 1.05 ?m, we observed only one maximum in the distribution function of the excess minority carriers, in spite of the fact that the pore bottom was also illuminated with light. It is shown that the distribution of excess minority carriers in macroporous silicon with through pores is similar to the distribution in single crystal silicon. But in this case, the effective lifetime of minority charge carriers in the effective medium of macroporous silicon, which includes silicon and the surface of pores, corresponds to the bulk minority-carrier lifetime in monocrystalline silicon. Получено простое выражение, определяющее эффективное время жизни неосновных носителей заряда в макропористом кремнии с периодическим расположением бесконечно длинных макропор в зависимости от объемного времени жизни, скорости поверхностной рекомбинации неосновных носителей заряда, радиуса пор и расстояния между центрами макропор. Это выражение может быть применено также к макропористому кремнию со случайно распределенными порами путем замены радиуса пор и расстояния между центрами макропор их средними значениями. Для предложенной нами аналитической модели рассчитано стационарное распределение избыточных неосновных носителей в макропористом кремнии. Расчет выполнен для случая, когда как внешняя поверхность макропористого кремния, так и дно пор освещаются светом. Выявлено два пика в стационарном распределении избыточных неосновных носителей заряда в макропористом кремнии вблизи поверхностей, освещенных светом с длиной волны 0.95 мкм. В то же время, если макропористый кремний освещался светом с длиной волны 1.05 мкм, мы наблюдали только один максимум в функции распределения избыточных неосновных носителей заряда, несмотря на то, что дно пор также освещалось светом. Показано, что распределение избыточных неосновных носителей заряда в макропористом кремнии со сквозными порами аналогично распределению в монокристаллическом кремнии. Но в этом случае эффективное время жизни неосновных носителей заряда в эффективной среде макропористого кремния, которая включает кремний и поверхность пор, соответствует объёмному времени жизни неосновных носителей заряда в монокристаллическом кремнии Отримано простий вираз, що визначає ефективний час життя неосновних носіїв заряду в макропористому кремнії з періодичним розташуванням нескінченно довгих макропор в залежності від об'ємного часу життя, швидкості поверхневої рекомбінації неосновних носіїв заряду, радіуса пор і відстані між центрами макропор. Цей вираз може бути застосовано також до макропористого кремнію з випадково розподіленими порами шляхом заміни радіуса пор і відстані між центрами макропор їх середніми значеннями. Для запропонованої нами аналітичної моделі розраховано стаціонарний розподіл надлишкових неосновних носіїв заряду в макропористому кремнії. Розрахунок виконано для випадку, коли як зовнішня поверхня макропористого кремнію, так і дно пор освітлюються світлом. Виявлено два піки в стаціонарному розподілі надлишкових неосновних носіїв в макропористому кремнії поблизу поверхонь, освітлених світлом з довжиною хвилі 0.95 мкм. У той же час, якщо макропористий кремній освітлювався світлом з довжиною хвилі 1.05 мкм ми спостерігали тільки один максимум в функції розподілу надлишкових неосновних носіїв заряду, незважаючи на те, що дно пор також освітлювалось світлом. Показано, що розподіл надлишкових неосновних носіїв заряду в макропористому кремнії з наскрізними порами аналогічний до розподілу в монокристалічному кремнії. Але в цьому випадку ефективний час життя неосновних носіїв заряду в ефективному середовищі макропористого кремнію, яке включає кремній та поверхню пор, відповідає об'ємному часу життя неосновних носіїв заряду в монокристалічному кремнії. Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2017-09-25 Article Article application/pdf https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/435 10.15407/hftp08.03.322 Chemistry, Physics and Technology of Surface; Vol. 8 No. 3 (2017): Chemistry, Physics and Technology of Surface / Himia, Fizika ta Tehnologia Poverhni; 322-332 Химия, физика и технология поверхности; Том 8 № 3 (2017): Химия, физика и технология поверхности; 322-332 Хімія, фізика та технологія поверхні; Том 8 № 3 (2017): Хімія, фізика та технологія поверхні; 322-332 2518-1238 2079-1704 10.15407/hftp08.03 en https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/435/434 Copyright (c) 2017 V. F. Onyshchenko, L. A. Karachevtseva |