Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник

• Datum: 2012
• Автори та афіліації: O. O. Gavrilyuk — Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України; V. E. Klymenko — Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України; O. Yu. Semchuk — Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України
• Ключові слова: keywords
• Hauptverfasser: Gavrilyuk, O. O., Klymenko, V. E., Semchuk, O. Yu.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2012
• Online Zugang: https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/470
• Назва журналу: Surface

Investigation temperature dependence of surface states parameters o metal-insulator-semiconductor are calculated a the high frequencies. The impedance of a built-channel bodiless planar field-effect transistor with two isolated gates are studied by a phase metrical method.