Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник

Investigation temperature dependence of surface states parameters o metal-insulator-semiconductor are calculated a the high frequencies. The impedance of a built-channel bodiless planar field-effect transistor with two isolated gates are studied by a phase metrical method.

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2012
Hauptverfasser: Gavrilyuk, O. O., Klymenko, V. E., Semchuk, O. Yu.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainisch
Veröffentlicht: Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2012
Online Zugang:https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/470
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Surface
Завантажити файл: Pdf

Institution

Surface

Ähnliche Einträge