Електрофізичні властивості полімерних нанокомпозитів на основі гетероструктур Ag2S/CdS
The electrophysical properties of new composite materials on the basis of nanocrystalline cadmium sulfide, silver sulfide, polychlorotrifluoroethylene (PCTFE), polyvinylidenefluoride (PVDF) and highly dispersible silica have been studied. The relationship between values valid ε' and imaginary ε...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2012
|
| Онлайн доступ: | https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/487 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Surface |
| Завантажити файл: |  |
Репозитарії
Surface| _version_ | 1869291624883814400 |
|---|---|
| author | Kotenok, E. V. Prokopenko, S. L. Makhno, S. N. Gorbyk, P. P. |
| author_facet | Kotenok, E. V. Prokopenko, S. L. Makhno, S. N. Gorbyk, P. P. |
| author_institution_txt_mv | [
{
"author": "E. V. Kotenok",
"institution": "Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України"
},
{
"author": "S. L. Prokopenko",
"institution": "Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України"
},
{
"author": "S. N. Makhno",
"institution": "Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України"
},
{
"author": "P. P. Gorbyk",
"institution": "Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України"
}
] |
| author_sort | Kotenok, E. V. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2018-11-27T09:37:46Z |
| description | The electrophysical properties of new composite materials on the basis of nanocrystalline cadmium sulfide, silver sulfide, polychlorotrifluoroethylene (PCTFE), polyvinylidenefluoride (PVDF) and highly dispersible silica have been studied. The relationship between values valid ε' and imaginary ε" a component of complex dielectric permittivity and concentration of the semiconductor phase for cadmium sulfide, obtained by hydrothermal synthesis on the surface of SiO2 and the heterostructure (Ag2S/CdS/SiO2), which is obtained by partial substitution of Cd on Ag, within microwave range have maxima at a concentration of 0.50. The activation energy of conductivity for the systems PVDF-CdS/SiO2 and PCTFE-Ag2S/CdS/SiO2 is defined. |
| first_indexed | 2025-07-22T19:33:30Z |
| format | Article |
| fulltext |
Поверхность. 2012. Вып. 4(19). С. 213–218 213
УДК 537.31+546.05
ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛИМЕРНЫХ
НАНОКОМПОЗИТОВ НА ОСНОВЕ
ГЕТЕРОСТРУКТУР Ag2S/CdS
Е.В. Котенок, С.Л. Прокопенко, С.Н. Махно, П.П. Горбик
Институт химии поверхности им. О.О. Чуйка Национальной академии наук Украины
ул. Генерала Наумова 17, Киев, 03164, Украина, sprokop@yandex.ru
Исследованы электрофизические свойства новых композиционных материалов на основе
нанокристаллического сульфида кадмия, сульфида серебра, полихлортрифторэтилена
(ПХТФЭ), поливинилиденфторида (ПВДФ) и высокодисперсного кремнезема. Установлено, что
зависимости действительной ε' и мнимой ε'' составляющих комплексной диэлектрической
проницаемости от объемного содержания полупроводниковой фазы для сульфида кадмия,
полученного гидротермальным синтезом на поверхности SiO2, а также гетероструктуры
(Ag2S/CdS/SiO2), полученной методом частичного замещения ионов Cd на Ag, в
сверхвысокочастотном диапазоне имеют максимумы при концентрации 0,50. Определены
энергии активации электропроводности для систем ПВДФ–CdS/SiO2 и ПХТФЭ–Ag2S/CdS/SiO2.
Введение
Исследование полупроводниковых наночастиц актуально в связи с возникновением
в них новых физико-химических свойств по сравнениию с объемными
полупроводниками. Хотя исследования свойств полупроводниковых частиц охватывают
широкий круг вопросов, наибольший интерес исследователей привлекают оптические
свойства (линейные и нелинейные) и поверхностный перенос электрона. Отличие в
свойствах наночастиц и объемных полупроводников проявляются эффектами
размерного квантования и уникальными поверхностными состояниями в
полупроводниковых наночастицах [1].
Исследованиям наноструктурного сульфида кадмия, в частности нановолокнам [2],
наночастицам [3], наностержням [4], уделяется большое внимание в связи с наличием у
них необычных свойств. Наночастицы CdS широко используются в качестве солнечных
элементов, фотоэлектронных приборов, а также фотокатализаторов. Существуют
множество методов синтеза сульфида кадмия среди которых особого внимания
заслуживают: использование микроволнового излучения [3] и гидротермальные
процессы [5,6].
Эксперимент
Синтез наноразмерного CdS на поверхности SiO2 осуществляли гидротермальным
методом. Для получения нанокомпозита с объемным содержанием CdS 0,50 на
поверхности высокодисперсного диоксида кремния брали 7,74 г Cd(NO3)2·4H2O и 1,91 г
тиомочевины растворяли в 50 мл дистиллированной воды. В раствор предварительно
вносили 1,5 г высокодисперсного кремнезема марки А-300 и обрабатывали на
ультразвуковом диспергаторе УЗДН-А в течение 2 мин. Полученную смесь помещали в
тефлоновый стакан, который нагревался в автоклаве при температуре 160°С в течение 4
ч. После охлаждения автоклава до комнатной температуры продукт центрифугировали,
промывали водой и сушили при температуре 60°C. Описанный метод использовался для
получения образцов с различным содержанием CdS. После получения наночастиц CdS
на поверхности SiO2 осуществляли синтез гетероструктуры Ag2S/CdS/SiO2 замещением
ионов кадмия на ионы серебра.
214
Наличие в системе кристаллической структуры определяли с использованием
рентгеноструктурного анализа. Рентгенограммы регистрировали на дифрактометре
ДРОН-4-07 в излучении медного катода с никелевым фильтром в отраженном пучке при
геометрии съемки по Бреггу – Брентано. Электропроводность на низких частотах (0,1; 1
и 10 кГц) определяли двухконтактным методом при помощи измерителя иммитанса Е7-
14, а действительную ε' и мнимую ε'' составляющие комплексной диэлектрической
проницаемости в сверхвысокочастотном (СВЧ) диапазоне с помощью интерферометра
на частоте 9 ГГц [7]. Полимернаполненные композиты получали путем прессования при
давлении 10 МПа и температурах расплава полимеров.
Результаты и обсуждение
Проведенный анализ рентгенограмм синтезированных образцов показал, что на
рентгенограммах присутствуют рефлексы, которые относятся к гексагoнальной
кристаллической решетке CdS (рис. 1, кривые 1-3) и моноклинной α-Ag2S (рис. 1,
кривые 1,3). Низкая концентрация CdS и Ag2S в синтезированных композитах (рис. 1,
кривые 2,3) не дает возможности рассчитать размер кристаллитов из-за существенного
гало, которое относится к SiO2.
0 10 20 30 40 50 60 70
I, отн.ед.
2
1
2
3
(1
21
)
A
g 2S
(1
21
)
A
g 2S
(1
12
)
C
dS
(1
10
)
C
dS
Рис.1. Дифрактограммы нанокомпозитов: 1 – 0,2 Ag2S/CdS, 2 – 0,1 CdS/SiO2, 3 –
0,005Ag2S/0,095CdS/0,9SiO2.
Температурные зависимости электропроводности систем ПХТФЭ–SiO2/СdS и
ПВДФ–Ag2S/CdS/SiO2 в температурном диапазоне 40–170ºС приведены на рис.2.
Композиты Ag2S/CdS/SiO2 получены путем замещения 30% ионов кадмия на ионы
серебра в системе CdS/SiO2.
Зависимости электропроводности (σ) синтезированных нанокомпозитов от
температуры на частоте 1 кГц (рис 2) в полулогарифмическом масштабе имеют
окололинейный характер. Угол наклона кривых в указанных координатах слабо зависит
от состава нанокомпозитов. Наибольшую энергию активации Ea электропроводности,
которая определяется из уравнения Аррениуса, которое описывает прыжковый механизм
проводимости
σ=σ0 exp(-Ea/2kT),
где σ0 – параметр, зависящий от природы полупроводника, k – постоянная Больцмана, а
Т – температура, имеет образец с наибольшим содержаним SiO2 и наименьшим
содержанием полупроводниковой компоненты (табл. 1). Поскольку энергия,
215
соответствующая ширине запрещенной зоны монокристаллов CdS, составляет
Wз=2Ea=2,4 эВ, а полученные значения энергии активации электропроводности в
температурном интервале до 120ºС значительно меньше, можно предположить
существование иных механизмов термоактивации электропроводности. В частности,
электропроводность может осуществляться зарядами, сосредоточенными в области
межфазных границ, т. е. дефектами поверхности.
300 320 340 360 380 400 420 440 460
-10,0
-9,5
-9,0
-8,5
-8,0
-7,5
-7,0
5
4
3
2
T, K
lg(Ом-1см-1)
1
Рис. 2. Зависимость логарифма электропроводности от температуры для
нанокомпозитов: 1 – 0,75ПХТФЭ–0,037Ag2S/0,088CdS/0,125SiO2, 2 – 0,5ПВДФ–
0,25CdS/0,25SiO2, 3 – 0,5ПВДФ–0,05CdS/0,45SiO2, 4 – 0,75ПХТФЭ–
0,05Ag2S/0,125CdS/0,075SiO2, 5 – 0,5ПХТФЭ–0,5CdS (CdS промышленного
изготовления).
Таблица 1. Энергия активации (эВ) электропроводимости нанокомпозитов
Температура
Образец
60-80ºС 140-160ºС
0,5ПВДФ–0,05/CdS/0,45SiO2 0,85 1,3
0,5ПВДФ–0,25CdS/0,25SiO2 0,88 1,17
0,75ПХТФЭ–0,037Ag2S/0,088CdS/0,125SiO2 0,64 1,1
0,75ПХТФЭ–0,05Ag2S/0,125CdS/0,075 SiO2 0,34 1,24
0,5ПХТФЭ–0,5CdS (CdS промышленного
изготовления)
0,37 1,16
Зависимость действительной и мнимой составляющих комплексной
диэлектрической проницаемости синтезированных дисперсных порошков CdS/SiO2 и
Ag2S/CdS/SiO2 от концентрации полупроводниковой фазы приведена на рис. 3.
Анализ зависимостей комплексной диэлектрической проницаемости от содержания
CdS в системе CdS/SiO2 (Рис. 3а) свидетельствует об увеличении значений ε' и ε" с
ростом содержания CdS до объемного содержания 0,50. При дальнейшем увеличении
концентрации CdS на поверхности SiO2 значения ε' и ε" уменьшаются. Это может быть
результатом отображения на концентрационной зависимости поверхностных эффектов,
связанных с процессами межфазного взаимодействия. На поверхности SiO2 образуются
поляризованные диполи, которые взаимодействуют с электромагнитным излучением.
216
Как известно, максимальная межфазная поверхность в гетерогенных системах
образуется в области объемного содержания компонентов 0,50, и вследствие этого
максимальная концентрация возмущенных диполей будет наблюдаться при таких
соотношениях компонентов [8]. Поскольку на СВЧ исследовались высокодисперсные
порошки системы CdS/SiO2 с насыпной плотностью порядка 0,6 г/см3, а
электропроводимость CdS имеет значение порядка 10-8 (Ом·см) -1, то для этой системы
не достигается классический порог перколяции согласно уравнению (1) , так как оба
компонента имеют свойства диэлектриков.
σ=σ0 (θ-θС)t , (1)
где θС – содержание наполнителя в композите, соответствующее порогу
перколяции, t – показатель степени, σ0 – электропроводность проводящей
составляющей.
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
' ''
а
0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
1,6
1,8
2,0
2,2
2,4
0,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
''
'
б
Рис. 3. Зависимость ε' и ε'' от содержания полупроводниковой фазы в композитах: а -
CdS/SiO2, б - Ag2S/CdS/SiO2.
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
10-8
10-7
10-6
10-5
10-4
10-3
2
(Ом-1см-1)
1
Рис. 4. Зависимость электропроводности от содержания полупроводниковой фазы в
композитах: 1 - CdS/SiO2, 2 - Ag2S/CdS/SiO2.
217
Замена ионов Cd на ионы Ag при синтезе системы Ag2S/CdS/SiO2 существенно не
изменяет поведение зависимости ε' и ε" от содержания полупроводниковой фазы в
нанокомпозите. Эффекты, связанные с изменениями электропроводности в композитах
системы Ag2S/CdS/SiO2, не наблюдаются, поскольку также не имеют ярко выраженного
перколяционного характера согласно (1), хотя в монокристаллическом Ag2S значение
электропроводности лежит в пределах 10-3 – 103 (Ом·см)-1 при изменении температуры
от 0 до 180ºС. Это свидетельствует об отсутствии сплошного перколяционного кластера
для ионов Ag. Изменение перераспределения зарядов в такой системе (Ag2S/CdS/SiO2)
приводит к незначительному изменению комплексной диэлектрической
проницаемости на СВЧ.
Значения электропроводности композита Ag2S/CdS/SiO2 ниже, чем у CdS/SiO2
(рис.4) при равном содержании полупроводниковой фазы. Это также говорит о том, что
отсутствует сплошное покрытие кристаллической фазой Ag2S поверхности CdS и не
достигается порог перколяции при ионном замещении Cd на Ag.
Выводы
Исследованы электрофизические свойства композиционных материалов на основе
нанокристаллического CdS и гетероструктуры Ag2S/CdS на поверхности
высокодисперсного диоксида кремния, полученных гидротермальным методом. На
концентрационных зависимостях диэлектрической проницаемости системы CdS/SiO2 и
гетероструктурного Ag2S/CdS/SiO2 наблюдаются максимумы, связанные с межфазным
взаимодействием, соответствующие 0,50 объемного содержания полупроводниковой
фазы.
Литература
1. Hullavarad N.V., Hullavarad S.S. Synthesis and characterization of monodispersed CdS
nanoparticles in SiO2 fibers by sol–gel method // Photonics and Nanostructures –
Fundamentals and Applications – 2007. – V.5. – P. 156–163.
2. Hea J., Zhao X.-N., Zhu J.-J., Wang J. Preparation of CdS nanowires by the
decomposition of the complex in the presence of microwave irradiation // J. Cryst.
Growth – 2002. – V. 240, № 3–4. – P. 389–394.
3. Yang H., Huang C., Li X., Shi R., Zhang K. Luminescent and photocatalytic properties
of cadmium sulfide nanoparticles synthesized via microwave irradiation // Mater. Chem.
Phys. – 2005. – V. 90, № 1. – P. 155–158.
4. Qingqing W., Gaoling Z., Gaorong H. Synthesis of single crystalline CdS nanorods by a
PVP-assisted solvothermal method // Mater. Lett. – 2005. – V. 59, № 21. – P. 2625–2629.
5. Zhang B., Jian J.K., Zheng Y., Sun Y., Chen Y., Cui L. Low Temperature hydrotermal
syntesis of CdS submicro- and microspheres self-assembled from nanoparticles // Mater.
Lett. – 2008. – V. 62, № 12-13. – P. 1827–1830.
6. Коленько Ю.В., Бурухин А.А., Чурагулов Б.Р. Олейников Н.Н., Муханов В.А.
Синтез гидротермальным методом нанокристаллических порошков различных
кристаллических модификаций ZrO2 и TiO2 // Журн. Неорг. химии – 2002. – Т.47,
№11. – С.1755–1762.
7. Ганюк Л.Н., Игнатков В.Д., Махно С.Н., Сорока П.Н. Исследование
диэлектрических свойств волокнистого материала // Укр. физ. журн. – 1995. – Т.40,
№6. – С. 627–629.
8. Гаркуша О.М., Горбик П.П., Дзюбенко Л.С., Левандовский В.В., Махно С.Н.,
Бакунцева М.В. Электрофизические свойства системы полихлортрифторэтилен –
дисперсный иодид серебра в сверхвысокочастотном диапазоне // Металлофизика и
новейшие технологии.-2000.-Т.22, № 8.-С. 12–18.
218
ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПОЛІМЕРНИХ
НАНОКОМПОЗИТІВ НА ОСНОВІ ГЕТЕРОСТРУКТУР Ag2S/CdS
О.В. Котенок, С.Л. Прокопенко, С.М. Махно, П.П. Горбик
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України
вул. Генерала Наумова 17, Київ, 03164, Україна
Досліджені електрофізичні властивості нових композиційних матеріалів на основі
нанокристалічного сульфіду кадмію, сульфіду срібла, поліхлортрифторетилену (ПХТФЕ),
полівініліденфториду (ПВДФ) і високодисперсного кремнезему. Встановлено, що залежності
дійсної ε' та уявної ε'' складових комплексної діелектричної проникності від об'ємного вмісту
напівпровідникової фази для сульфіду кадмію, отриманого гідротермальним синтезом на
поверхні SiO2, а також гетероструктури (Ag2S/CdS/SiO2), отриманої методом часткового
заміщення іонів Cd на Ag, в надвисокочастотному діапазоні мають максимуми при
концентрації 0,50. Визначені енергії активації електропровідності для систем ПВДФ-CdS/SiO2 і
ПХТФЕ-Ag2S/CdS/SiO2.
ELECTROPHYSICAL PROPERTIES OF POLYMER
NANOCOMPOSITES ON THE BASIS OF HETEROSTRUCTURES Ag2S/CdS
E.V. Kotenok, S.L. Prokopenko, S.N. Makhno, P.P. Gorbyk
Chuiko Institute of Surface Chemistry of National Academy of Sciences of Ukraine
17 General Naumov Str., Kyiv, 03164, Ukraine
The electrophysical properties of new composite materials on the basis of nanocrystalline
cadmium sulfide, silver sulfide, polychlorotrifluoroethylene (PCTFE), polyvinylidenefluoride (PVDF)
and highly dispersible silica have been studied. The relationship between values valid ε' and imaginary
ε" a component of complex dielectric permittivity and concentration of the semiconductor phase for
cadmium sulfide, obtained by hydrothermal synthesis on the surface of SiO2 and the heterostructure
(Ag2S/CdS/SiO2), which is obtained by partial substitution of Cd on Ag, within microwave range have
maxima at a concentration of 0.50. The activation energy of conductivity for the systems PVDF-
CdS/SiO2 and PCTFE-Ag2S/CdS/SiO2 is defined.
|
| id | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-487 |
| institution | Surface |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Russian |
| last_indexed | 2026-03-12T17:13:13Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine |
| record_format | ojs |
| resource_txt_mv | surfacezbircomua/8e/28fbd78cd4e91f13115f5feefa28b58e.pdf |
| spelling | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-4872018-11-27T09:37:46Z Electrophysical properties of polymer nanocomposites on the basis of heterostructures Ag2S/CdS Электрофизические свойства полимерных нанокомпозитов на основе гетероструктур Ag2S/CdS Електрофізичні властивості полімерних нанокомпозитів на основі гетероструктур Ag2S/CdS Kotenok, E. V. Prokopenko, S. L. Makhno, S. N. Gorbyk, P. P. The electrophysical properties of new composite materials on the basis of nanocrystalline cadmium sulfide, silver sulfide, polychlorotrifluoroethylene (PCTFE), polyvinylidenefluoride (PVDF) and highly dispersible silica have been studied. The relationship between values valid ε' and imaginary ε" a component of complex dielectric permittivity and concentration of the semiconductor phase for cadmium sulfide, obtained by hydrothermal synthesis on the surface of SiO2 and the heterostructure (Ag2S/CdS/SiO2), which is obtained by partial substitution of Cd on Ag, within microwave range have maxima at a concentration of 0.50. The activation energy of conductivity for the systems PVDF-CdS/SiO2 and PCTFE-Ag2S/CdS/SiO2 is defined. Исследованы электрофизические свойства новых композиционных материалов на основе нанокристаллического сульфида кадмия, сульфида серебра, полихлортрифторэтилена (ПХТФЭ), поливинилиденфторида (ПВДФ) и высокодисперсного кремнезема. Установлено, что зависимости действительной ε' и мнимой ε'' составляющих комплексной диэлектрической проницаемости от объемного содержания полупроводниковой фазы для сульфида кадмия, полученного гидротермальным синтезом на поверхности SiO2, а также гетероструктуры (Ag2S/CdS/SiO2), полученной методом частичного замещения ионов Cd на Ag, в сверхвысокочастотном диапазоне имеют максимумы при концентрации 0,50. Определены энергии активации электропроводности для систем ПВДФ–CdS/SiO2 и ПХТФЭ–Ag2S/CdS/SiO2. Досліджені електрофізичні властивості нових композиційних матеріалів на основі нанокристалічного сульфіду кадмію, сульфіду срібла, поліхлортрифторетилену (ПХТФЕ), полівініліденфториду (ПВДФ) і високодисперсного кремнезему. Встановлено, що залежності дійсної ε' та уявної ε'' складових комплексної діелектричної проникності від об'ємного вмісту напівпровідникової фази для сульфіду кадмію, отриманого гідротермальним синтезом на поверхні SiO2, а також гетероструктури (Ag2S/CdS/SiO2), отриманої методом часткового заміщення іонів Cd на Ag, в надвисокочастотному діапазоні мають максимуми при концентрації 0,50. Визначені енергії активації електропровідності для систем ПВДФ-CdS/SiO2 і ПХТФЕ-Ag2S/CdS/SiO2. Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2012-09-04 Article Article application/pdf https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/487 Surface; No. 4(19) (2012): Surface; 213-218 Поверхность; № 4(19) (2012): Поверхность; 213-218 Поверхня; № 4(19) (2012): Поверхня; 213-218 3154-8091 3154-8083 ru https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/487/486 Авторське право (c) 2012 E.V. Kotenok, S.L. Prokopenko, S.N. Makhno, P.P. Gorbyk |
| spellingShingle | Kotenok, E. V. Prokopenko, S. L. Makhno, S. N. Gorbyk, P. P. Електрофізичні властивості полімерних нанокомпозитів на основі гетероструктур Ag2S/CdS |
| title | Електрофізичні властивості полімерних нанокомпозитів на основі гетероструктур Ag2S/CdS |
| title_alt | Electrophysical properties of polymer nanocomposites on the basis of heterostructures Ag2S/CdS Электрофизические свойства полимерных нанокомпозитов на основе гетероструктур Ag2S/CdS |
| title_full | Електрофізичні властивості полімерних нанокомпозитів на основі гетероструктур Ag2S/CdS |
| title_fullStr | Електрофізичні властивості полімерних нанокомпозитів на основі гетероструктур Ag2S/CdS |
| title_full_unstemmed | Електрофізичні властивості полімерних нанокомпозитів на основі гетероструктур Ag2S/CdS |
| title_short | Електрофізичні властивості полімерних нанокомпозитів на основі гетероструктур Ag2S/CdS |
| title_sort | електрофізичні властивості полімерних нанокомпозитів на основі гетероструктур ag2s/cds |
| url | https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/487 |
| work_keys_str_mv | AT kotenokev electrophysicalpropertiesofpolymernanocompositesonthebasisofheterostructuresag2scds AT prokopenkosl electrophysicalpropertiesofpolymernanocompositesonthebasisofheterostructuresag2scds AT makhnosn electrophysicalpropertiesofpolymernanocompositesonthebasisofheterostructuresag2scds AT gorbykpp electrophysicalpropertiesofpolymernanocompositesonthebasisofheterostructuresag2scds AT kotenokev élektrofizičeskiesvojstvapolimernyhnanokompozitovnaosnovegeterostrukturag2scds AT prokopenkosl élektrofizičeskiesvojstvapolimernyhnanokompozitovnaosnovegeterostrukturag2scds AT makhnosn élektrofizičeskiesvojstvapolimernyhnanokompozitovnaosnovegeterostrukturag2scds AT gorbykpp élektrofizičeskiesvojstvapolimernyhnanokompozitovnaosnovegeterostrukturag2scds AT kotenokev elektrofízičnívlastivostípolímernihnanokompozitívnaosnovígeterostrukturag2scds AT prokopenkosl elektrofízičnívlastivostípolímernihnanokompozitívnaosnovígeterostrukturag2scds AT makhnosn elektrofízičnívlastivostípolímernihnanokompozitívnaosnovígeterostrukturag2scds AT gorbykpp elektrofízičnívlastivostípolímernihnanokompozitívnaosnovígeterostrukturag2scds |