Визначення профілів розподілу елементів по глибині приповерхневого шару тонких плівок Ge33As12Se55

Визначення профілів розподілу елементів по глибині приповерхневого шару тонких плівок Ge33As12Se55

Depth profiles of the near-surface region and chemical composition for amorphous films deposited from Ge33As12Se55 bulk glasses and their changes resulting from six months ageing under ambient conditions have been studied by the methods of Auger electron spectroscopy and X-ray photoelectron spectros...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2010
Автори: Shchurova, T. N., Savchenko, N. D., Popovic, K. O., Baran, N. Yu.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2010
Онлайн доступ:https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/50
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Chemistry, Physics and Technology of Surface

Репозитарії

Chemistry, Physics and Technology of Surface
id oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-50
record_format ojs
spelling oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-502022-06-29T10:24:39Z Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33As12Se55 Thin Films Определение профилей распределения элементов по толщине приповерхностного слоя тонких пленок Ge33As12Se55 Визначення профілів розподілу елементів по глибині приповерхневого шару тонких плівок Ge33As12Se55 Shchurova, T. N. Savchenko, N. D. Popovic, K. O. Baran, N. Yu. Depth profiles of the near-surface region and chemical composition for amorphous films deposited from Ge33As12Se55 bulk glasses and their changes resulting from six months ageing under ambient conditions have been studied by the methods of Auger electron spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that there is a surface layer of about 30 nm thickness enriched with oxygen, germanium, and selenium atoms and depleted of arsenic atoms. It has been found that in the process of natural ageing in the near-surface layer of Ge33As12Se55film the decrease in the relative concentration of germanium and arsenic is observed, with the simultaneous increase in the concentration of selenium and oxygen associated with the formation of As2O3 and GeO2, oxide compounds resulting in а loosening of the surface layer. Методами Оже-электронной спектроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследовались профили распределения элементов по толщине приповерхностного слоя и химический состав аморфных пленок, напыленных из стекол Ge33As12Se55, а также их изменение при естественном старении в течение полугода. Показано, что существует поверхностный слой толщиной до 30 нм, обогащенный атомами кислорода, германия и селена, и обедненный атомами мышьяка. В процессе естественного старения в приповерхностном слое пленки Ge33As12Se55 наблюдается снижение относительной концентрации германия и мышьяка при одновременном увеличении концентрации селена и кислорода, что связано с образованием оксидных соединений As2O3 и GеО2, вследствие чего происходит разрыхление поверхностного слоя. Методами Оже-електронної спектроскопії і рентгенівської фотоелектронної спектроскопії досліджувалися профілі розподілу елементів по глибині приповерхневого шару і хімічний склад аморфних плівок напилених зі стекол Ge33As12Se55, а також їх зміна при природному старінні протягом півроку. Показано, що існує поверхневий шар товщиною до 30 нм, збагачений атомами оксигену, германію та селену і збіднений атомами арсену. У процесі природного старіння в приповерхневому шарі плівки Ge33As12Se55 спостерігається зниження відносної концентрації германію та арсену при одночасному збільшенні концентрації селену та оксигену, що пов'язано з утворенням оксидних сполук As2O3 і GеО2, внаслідок чого відбувається розпушення поверхневого шару. Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2010-08-01 Article Article application/pdf https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/50 Chemistry, Physics and Technology of Surface; Vol. 1 No. 3 (2010): Chemistry, Physics and Technology of Surface / Himia, Fizika ta Tehnologia Poverhni; 343-347 Химия, физика и технология поверхности; Том 1 № 3 (2010): Химия, физика и технология поверхности; 343-347 Хімія, фізика та технологія поверхні; Том 1 № 3 (2010): Хімія, фізика та технологія поверхні; 343-347 2518-1238 2079-1704 en https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/50/47 Copyright (c) 2010 T. N. Shchurova, N. D. Savchenko, K. O. Popovic, N. Yu. Baran
institution Chemistry, Physics and Technology of Surface
baseUrl_str
datestamp_date 2022-06-29T10:24:39Z
collection OJS
language English
format Article
author Shchurova, T. N.
Savchenko, N. D.
Popovic, K. O.
Baran, N. Yu.
spellingShingle Shchurova, T. N.
Savchenko, N. D.
Popovic, K. O.
Baran, N. Yu.
Визначення профілів розподілу елементів по глибині приповерхневого шару тонких плівок Ge33As12Se55
author_facet Shchurova, T. N.
Savchenko, N. D.
Popovic, K. O.
Baran, N. Yu.
author_sort Shchurova, T. N.
title Визначення профілів розподілу елементів по глибині приповерхневого шару тонких плівок Ge33As12Se55
title_short Визначення профілів розподілу елементів по глибині приповерхневого шару тонких плівок Ge33As12Se55
title_full Визначення профілів розподілу елементів по глибині приповерхневого шару тонких плівок Ge33As12Se55
title_fullStr Визначення профілів розподілу елементів по глибині приповерхневого шару тонких плівок Ge33As12Se55
title_full_unstemmed Визначення профілів розподілу елементів по глибині приповерхневого шару тонких плівок Ge33As12Se55
title_sort визначення профілів розподілу елементів по глибині приповерхневого шару тонких плівок ge33as12se55
title_alt Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33As12Se55 Thin Films
Определение профилей распределения элементов по толщине приповерхностного слоя тонких пленок Ge33As12Se55
description Depth profiles of the near-surface region and chemical composition for amorphous films deposited from Ge33As12Se55 bulk glasses and their changes resulting from six months ageing under ambient conditions have been studied by the methods of Auger electron spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that there is a surface layer of about 30 nm thickness enriched with oxygen, germanium, and selenium atoms and depleted of arsenic atoms. It has been found that in the process of natural ageing in the near-surface layer of Ge33As12Se55film the decrease in the relative concentration of germanium and arsenic is observed, with the simultaneous increase in the concentration of selenium and oxygen associated with the formation of As2O3 and GeO2, oxide compounds resulting in а loosening of the surface layer.
publisher Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
publishDate 2010
url https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/50
work_keys_str_mv AT shchurovatn depthprofilingofthenearsurfacelayerforge33as12se55thinfilms
AT savchenkond depthprofilingofthenearsurfacelayerforge33as12se55thinfilms
AT popovicko depthprofilingofthenearsurfacelayerforge33as12se55thinfilms
AT barannyu depthprofilingofthenearsurfacelayerforge33as12se55thinfilms
AT shchurovatn opredelenieprofilejraspredeleniâélementovpotolŝinepripoverhnostnogosloâtonkihplenokge33as12se55
AT savchenkond opredelenieprofilejraspredeleniâélementovpotolŝinepripoverhnostnogosloâtonkihplenokge33as12se55
AT popovicko opredelenieprofilejraspredeleniâélementovpotolŝinepripoverhnostnogosloâtonkihplenokge33as12se55
AT barannyu opredelenieprofilejraspredeleniâélementovpotolŝinepripoverhnostnogosloâtonkihplenokge33as12se55
AT shchurovatn viznačennâprofílívrozpodíluelementívpoglibinípripoverhnevogošarutonkihplívokge33as12se55
AT savchenkond viznačennâprofílívrozpodíluelementívpoglibinípripoverhnevogošarutonkihplívokge33as12se55
AT popovicko viznačennâprofílívrozpodíluelementívpoglibinípripoverhnevogošarutonkihplívokge33as12se55
AT barannyu viznačennâprofílívrozpodíluelementívpoglibinípripoverhnevogošarutonkihplívokge33as12se55
first_indexed 2025-09-24T17:44:38Z
last_indexed 2025-09-24T17:44:38Z
_version_ 1849658158837923840

Схожі ресурси