Buchumschlag

Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001)

DFT method (B3LYP, 6-31G**) calculated equilibrium spatial cluster structure Si96H84, relaxed fragment reproducing the Si(001) (4×2), and adsorption complexes Ge atoms and dimer by Ge2 face Si (001). Determination of types of active centers face Si(001) (4×2), in which there is a germanium atomic ad...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2013
Hauptverfasser:	Tkachuk, O. I., Terebinska, M. I., Lobanov, V. V.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2013
Online Zugang:	https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/502
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Surface
Завантажити файл:

Institution

Surface

Ähnliche Einträge

Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001)
von: Ткачук, О.І., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Structure of the dimeric adsorption complex Ge on the face of Si(001)
von: O. I. Tkachuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Трансформація аддимерів >Ge=GeGe=Si< ТА >Si=Si< на релаксованій грані Si(001)(4×2)
von: Теребінська, М. І., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
von: Afanasieva, T.V., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Гідратаційні ефекти та структура адсорбційних комплексів глюкози на поверхні кремнезему
von: Tsendra, O. M., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Transformation of addimers &gt;Ge=Ge&lt;, &gt;Ge=Si&lt; AND &gt;Si=Si&lt; on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
von: M. I. Terebinska, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Гідратаційні ефекти та структура адсорбційних комплексів глюкози на поверхні кремнезему
von: Цендра, О.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Коливальні стани кластерів, які моделюють адсорбційні комплекси кисню на грані Si(100)
von: Terebinska, M. I., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Study of the interaction of atoms of the IV- and V-th groups with Si(001) and Ge(001) surfaces
von: T. V. Afanasieva
Veröffentlicht: (2015)

Study of the interaction of atoms of the IV- and V-th groups with Si(001) and Ge(001) surfaces
von: T. V. Afanasieva
Veröffentlicht: (2015)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
von: Dugaev, V.K., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Синтез димерних n-ацетилглюкозамінідів
von: Zemlyakov, O. Ye., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Квантовохімічне моделювання адсорбційних комплексів фрагментів полі(2 гідроксіетилметакрилат)у на поверхні кремнезему
von: Demianenko, E. M., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Коливальні стани кисню на грані (111) силіцію
von: Terebinska, M. I., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Morphology and optical constants of ge nanocrystalline films deposited on Si(001)
von: Yu. M. Kozyriev, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Триплет-синглетний перехід при адсорбції молекули О2 на грані Si (111)
von: Terebinskaya, M. I., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001)
von: Lysenko, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Квантовохімічне моделювання адсорбційних комплексів фрагментів полі(2 гідроксіетилметакрилат)у на поверхні кремнезему
von: Дем’яненко, Є.М., et al.
Veröffentlicht: (2016)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
von: V. S. Lysenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
von: Lysenko, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Просторовий розподіл електрон-діркових пар в Si/Ge гетероструктурах
von: Lysenko, V. S., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Microstructure of the relaxed (001) Si surface
von: Kiv, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Дослiдження взаємодiї атомiв елементiв IV та V груп з гранями Si(001), Ge(001)
von: Afanasieva, T. V.
Veröffentlicht: (2019)

Мережива на грані часу
von: Тимошенко, І.
Veröffentlicht: (2010)

Адсорбція молекулярного кисню на по-верхню Si1–xGex/Si(001)
von: Greenchuk, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Будова поверхні діоксиду титану та природа його адсорбційних центрів
von: Lobanov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (1997)

High-temperature configurations of dimers in Si (001) surface layers
von: Kiv, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
von: O. A. Hrynchuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Відновлення адсорбційних властивостей шунгіту
von: Діюк, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
von: A. A. Greenchuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Нові грані співробітництва
von: Букет, Є.
Veröffentlicht: (2013)

Нові грані співробітництва
Veröffentlicht: (2006)

Грані гуманітарної кібернетики
von: Крейн, І.
Veröffentlicht: (2002)

Topography of Si epitaxial monolayers obtained on Si (001) substrate by computer simulations
von: Pyziak, L., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Поверхневi напруження на початкових етапах окислення GexSi1−x/Si(001)
von: Grynchuk, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
von: O. A. Hrynchuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Коливальні стани кластерів, які моделюють адсорбційні комплекси кисню на грані Si(100)
von: Теребінська, М.І., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
von: A. A. Grynchuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Грані творчості Феодосія Гуменюка
von: Підгора, В.
Veröffentlicht: (1991)

Україна — Туреччина: грані співробітництва
von: Біляєва, С.О., et al.
Veröffentlicht: (2019)