Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001)

DFT method (B3LYP, 6-31G**) calculated equilibrium spatial cluster structure Si96H84, relaxed fragment reproducing the Si(001) (4×2), and adsorption complexes Ge atoms and dimer by Ge2 face Si (001). Determination of types of active centers face Si(001) (4×2), in which there is a germanium atomic ad...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Datum:2013
Hauptverfasser: Tkachuk, O. I., Terebinska, M. I., Lobanov, V. V.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainisch
Veröffentlicht: Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2013
Online Zugang:https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/502
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Назва журналу:Surface
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Institution

Surface