Buchumschlag

Триплет-синглетний перехід при адсорбції молекули О2 на грані Si (111)

Calculations of optimal spatial structure (TFG, B3LYP, 6-31G **) adsorption complex molecules of oxygen on the cluster medeliruyuschem face of the Si (111), showed that at distances greater than 0.35 nm, the axis perpendicular to the surface of the molecule and a molecule of O2 is in the triplet sta...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2015
Hauptverfasser:	Terebinskaya, M. I., Filonenko, O. V., Tkachuk, O. I., Lobanov, V. V.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2015
Online Zugang:	https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/564
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Surface
Завантажити файл:

Institution

Surface

Ähnliche Einträge

Триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы О₂ на грани Si(111)
von: Теребинская, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Коливальні стани кисню на грані (111) силіцію
von: Terebinska, M. I., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Квантовохімічні розрахунки адсорбції молекули O2 на поверхні (001) анатазу
von: Smirnova, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Triplet-singlet transitions during the adsorption of O2 molecules on the face Si(111)
von: M. I. Terebinskaja, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001)
von: Tkachuk, O. I., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Коливальні стани кластерів, які моделюють адсорбційні комплекси кисню на грані Si(100)
von: Terebinska, M. I., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Квантовохімічний кластерний підхід при дослідженні адсорбції деяких нітросполук на поверхні грані {100} α-кварцу
von: Tsendra, O., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Квантовохімічні розрахунки адсорбції молекули O₂ на поверхні (001) анатазу
von: Смірнова, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap
von: K. T. Dovranov, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap
von: K. T. Dovranov, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Виготовлення тонких плівок з Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111) та CoSi2/Si(111) і оцінка їхніх оптично прямих та непрямих заборонених зон
von: Dovranov, K.T., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Золь-гель перехід у гідрогелях як фазовий перехід першого роду
von: Zabashta, Yu.F., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001)
von: Ткачук, О.І., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Нові грані співробітництва
Veröffentlicht: (2006)

Нові грані співробітництва
von: Букет, Є.
Veröffentlicht: (2013)

Грані гуманітарної кібернетики
von: Крейн, І.
Veröffentlicht: (2002)

Нестехіометричний оксид кремнію SiOx (x < 2)
von: Filonenko, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Трансформація аддимерів >Ge=GeGe=Si< ТА >Si=Si< на релаксованій грані Si(001)(4×2)
von: Теребінська, М. І., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Transformation of addimers &gt;Ge=Ge&lt;, &gt;Ge=Si&lt; AND &gt;Si=Si&lt; on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
von: M. I. Terebinska, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Non-stoichiometric silicon oxides SiOx (x &lt; 2)
von: O. V. Filonenko, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Мережива на грані часу
von: Тимошенко, І.
Veröffentlicht: (2010)

Грані творчості Феодосія Гуменюка
von: Підгора, В.
Veröffentlicht: (1991)

Україна — Туреччина: грані співробітництва
von: Біляєва, С.О., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Структурний перехід у рідинній системі вода−ліпіди
von: Bulavin, L.A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Frequencies of normal vibrations of oxygen complexes on silicon (111) face
von: M. I. Terebinska, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Квантовохімічне моделювання міжмолекулярної взаємодії фулереноподібних молекул діоксиду силіцію (SiO2)n(H2O)n/2
von: Filonenko, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2014)

X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al2O3(0001) substrates
von: N. V. Safriuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Коливальні стани кластерів, які моделюють адсорбційні комплекси кисню на грані Si(100)
von: Теребінська, М.І., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Грані Шевченкового таланту: новий погляд
von: Іванишин, П.
Veröffentlicht: (2011)

Грані духовного світу Івана Чендея
von: Вертій, О.
Veröffentlicht: (2016)

Quantum chemical modeling of intermolecular interactionsof fullerene-like silicon dioxide molecules (SiO2)n(H2O)n/2
von: O. V. Filonenko, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Структурний перехід у розбавлених розчинах стрижнеподібних макромолекул
von: Alekseev, O. M., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Іонізація молекули етиленгліколю електронним ударом
von: Mykyta, M.I., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3×3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)
von: Gasparov, V.A.
Veröffentlicht: (2011)

Молекули в ранньому Всесвіті
von: Новосядлий, Б., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Електрослабкий фазовий перехід в спонтанно намагніченій плазмі
von: Minaiev, P., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Церковне кримознавство: нові грані актуальної теми
von: Непомнящий, А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Surface and electron structure of the 6H-SiC(0001)-(3Ч3) surface and ultrathin Ag films on Si(111) and Si(001)
von: V. A. Gasparov
Veröffentlicht: (2011)

Optical properties of AlN/n-Si(111) films obtained by method of HF reactive magnetron sputtering
von: Zayats, M.S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Chlorine atomic chains on Ag(111) surface
von: N. V. Petrova, et al.
Veröffentlicht: (2012)