Microscopic structure of the semiconductor surface in the external electric field

• Дата: 2001
• Автори та афіліації: L. G. Il'chenko — Інститут хімії поверхні НАН України; V. V. Il'chenko — Taras Shevchenko University; T. V. Goraychuk — Інститут хімії поверхні НАН України; I. W. Rangelow — University of Kassel
• Ключові слова: keywords
• Автори: Il'chenko, L. G., Il'chenko, V. V., Goraychuk, T. V., Rangelow, I. W.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2001
• Онлайн доступ: https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/58
• Назва журналу: Surface

In this paper a theoretical model for the free semiconductor surface is proposed. The principled capability of the correct calculation of the electrostatic potential of the real semiconductors surface is demonstrated on the example of Silicon surface. The potential relief V(r̅,F) of Si(100) surface...