Просторовий розподіл електрон-діркових пар в Si/Ge гетероструктурах

Photogeneration and transport of nonequilibrium charge carriers, and the determination of photoresponce mechanisms in semiconductor SiGe/Si and SiGe/SiO2/p-Si heterostructures with nanoisland were investigated. The structures were grown by molecular beam epitaxy technique. The work generalizes the r...

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Bibliographische Detailangaben
Datum:2015
Hauptverfasser: Lysenko, V. S., Kondratenko, S. V., Melnichuk, Ye. Ye., Terebinska, M. I., Tkachuk, O. I., Kozyrev, Yu. N., Lobanov, V. V.
Format: Artikel
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2015
Online Zugang:https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/591
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Назва журналу:Surface
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Institution

Surface