Просторовий розподіл електрон-діркових пар в Si/Ge гетероструктурах

• Дата: 2015
• Автори та афіліації: V. S. Lysenko — Інститут фізики напіпровідників Національної академії наук України; S. V. Kondratenko — Київський національний університет імені Тараса Шевченка; Ye. Ye. Melnichuk — Київський національний університет імені Тараса Шевченка; M. I. Terebinska — Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України; O. I. Tkachuk — Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України; Yu. N. Kozyrev — Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України; V. V. Lobanov — Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України
• Ключові слова: keywords
• Автори: Lysenko, V. S., Kondratenko, S. V., Melnichuk, Ye. Ye., Terebinska, M. I., Tkachuk, O. I., Kozyrev, Yu. N., Lobanov, V. V.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2015
• Онлайн доступ: https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/591
• Назва журналу: Surface

Photogeneration and transport of nonequilibrium charge carriers, and the determination of photoresponce mechanisms in semiconductor SiGe/Si and SiGe/SiO2/p-Si heterostructures with nanoisland were investigated. The structures were grown by molecular beam epitaxy technique. The work generalizes the r...