Тунелювання електронів в гетероструктурі германій/кремній з германієвими квантовими точками: теорія

It is shown that electron tunneling through a potential barrier that separates two quantum dots of germanium leads to the splitting of electron states localized over spherical interfaces (a quantum dot – a silicon matrix). The dependence of the splitting values of the electron levels on the paramete...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2021
Hauptverfasser: Pokutnyi, S. I., Shkoda, N. G.
Format: Artikel
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2021
Schlagworte:
Online Zugang:https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/601
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Chemistry, Physics and Technology of Surface

Institution

Chemistry, Physics and Technology of Surface