Тунелювання електронів в гетероструктурі германій/кремній з германієвими квантовими точками: теорія
It is shown that electron tunneling through a potential barrier that separates two quantum dots of germanium leads to the splitting of electron states localized over spherical interfaces (a quantum dot – a silicon matrix). The dependence of the splitting values of the electron levels on the paramete...
Gespeichert in:
| Datum: | 2021 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2021
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/601 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Chemistry, Physics and Technology of Surface |