Тунелювання електронів в гетероструктурі германій/кремній з германієвими квантовими точками: теорія

It is shown that electron tunneling through a potential barrier that separates two quantum dots of germanium leads to the splitting of electron states localized over spherical interfaces (a quantum dot – a silicon matrix). The dependence of the splitting values of the electron levels on the paramete...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2021
Автори: Pokutnyi, S. I., Shkoda, N. G.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2021
Теми:
Онлайн доступ:https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/601
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Chemistry, Physics and Technology of Surface

Репозитарії

Chemistry, Physics and Technology of Surface