Морфологія та оптичні константи нанокристалічних плівок Gе на поверхні Sі(001)

• Дата: 2016
• Автори та афіліації: Y. N. Kozyrev — Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України; V. S. Lysenko — Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України; Y. V. Gomeniuk — нститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України; O. S. Kondratenko — Київський національний університет імені Тараса Шевченка; S. A. Iliash — Київський національний університет імені Тараса Шевченка; S. V. Kondratenko — Київський національний університет імені Тараса Шевченка
• Ключові слова: keywords
• Автори: Kozyrev, Y. N., Lysenko, V. S., Gomeniuk, Y. V., Kondratenko, O. S., Iliash, S. A., Kondratenko, S. V.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2016
• Онлайн доступ: https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/620
• Назва журналу: Surface

The Ge and SiGe nanocrystalline films were grown on Si(001) surface by molecular-beam epitaxy. The optical constants of thin films were determined by multy-angle monochromatic ellipsometry. Optical properties of such systems were described using the Bruggeman's theory of effective medium approximation. Deposition of Si on the surface with Ge nanoclusters changes the effective optical constants due to porosity of the nanocrystalline films.