Buchumschlag

Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs

The synthesis and characterization of heterostructure por-Ga2O3/GaAs represent a crucial advancement in nanomaterials, particularly in optoelectronic applications. Employing a two-stage electrochemical etching methodology, this research has elucidated the precise conditions required to fabricate suc...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2024
Hauptverfasser:	Kovachov, S. S., Bohdanov, I. T., Drozhcha, D. S., Tikhovod, K. M., Bondarenko, V. V., Kosogov, I. G., Suchikova, Ya. O.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2024
Schlagworte:	Ga2O3 GaAs електрохімічне травлення оксидування пори гетероструктури
Online Zugang:	https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/722
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Chemistry, Physics and Technology of Surface

Institution

Chemistry, Physics and Technology of Surface

Ähnliche Einträge

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
von: Stempitsky, V. R., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Формування ?-SiC на поверхні por-Si/mono-Si за механізмом Странського – Крастанова
von: Suchikova, Y. O., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
von: Krasnov, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні InGaN для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання
von: Mollaamin, F.
Veröffentlicht: (2025)

GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
von: Storozhenko, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

ТЕРМОДИНАМІЧНИЙ РОЗРАХУНОК ДІАГРАМИ ПЛАВКОСТІ СИСТЕМИ Ga-N ЗА АТМОСФЕРНОГО ТА ВИСОКИХ ТИСКІВ
von: Туркевич, В. З., et al.
Veröffentlicht: (2022)

MODELLING OF OPERATION MODES AND ELECTROMAGNETIC INTERFERENCES OF GaN-TRANSISTOR CONVERTERS
von: Onikienko, Y. O., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Отримання мікропоруватих шарів GaAs методом хімічного травлення на підкладках р-GaAs та їхня фотолюмінісценція
von: Paschenko, G. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
von: Melebayew, D., et al.
Veröffentlicht: (2008)

A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY
von: Zozulia, V. O., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури
von: Abdulkhaev, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
von: Venger, E. F., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Вплив розкиду значень електричних параметрів RGB-світлодіодів на однорідність світіння світлодіодних екранів при мінімальній градації яскравості
von: Veleschuk, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Одержання та дослідження гетероструктури ZnO:Al/por-Si/Si
von: Dyadenchuk, A. F., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2011)

Процеси кристалізації тонких полікристалічних шарів стибніту галію для термофотовольтаїчного застосування
von: Bahanov, Yevgen, et al.
Veröffentlicht: (2022)

Вирощування гетероепітаксійних шарів на неізоперіодних підкладках мeтодом скануючої рідиннофазової епітаксії
von: Tsybulenko, Vadym, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Analysis of the influence of load inductance on nonlinear distortions of a class D amplifier caused by «dead time»
von: Naida, S. A., et al.
Veröffentlicht: (2021)

THE PALEOARCHEAN (3.3 Ga) AND MESOARCHEAN (3.0 Ga) TTGs OF THE WESTERN AZOV AREA, THE UKRAINIAN SHIELD
von: Артеменко, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Гібридна модель штучного інтелекту інтегрована в ГІС для прогнозування аварій на мережах водопостачання
von: Zaychenko, Yuriy, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Композит, який складається з гідратованого діоксиду цирконію та оксиду графену, для вилучення органічних та неорганічних компонентів з води
von: Dzyazko, Yu. S., et al.
Veröffentlicht: (2018)

ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА
von: Осинський, В. І., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
von: Pokladok, N. T., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Особливості структури сколотих поверхонь шаруватих кристалів GaSe‹Sn›
von: Pashayev, A. M., et al.
Veröffentlicht: (2011)

ЗАКОНОМІРНОСТІ ГІДРОЛІЗУ АЛЮМІНІЮ, АКТИВОВАНОГО ЕВТЕКТИЧНИМ СПЛАВОМ Ga-In-Sn ТА ЦИНКОМ
von: Manilevich, Fedor, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts
von: Storozhenko, I. P.
Veröffentlicht: (2013)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
von: Andronova, E. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Kudrynskyi, Z. R., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
von: Dobrovol’skii, Yu. G.
Veröffentlicht: (2012)