Buchumschlag

Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs

The synthesis and characterization of heterostructure por-Ga2O3/GaAs represent a crucial advancement in nanomaterials, particularly in optoelectronic applications. Employing a two-stage electrochemical etching methodology, this research has elucidated the precise conditions required to fabricate suc...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2024
Hauptverfasser:	Kovachov, S. S., Bohdanov, I. T., Drozhcha, D. S., Tikhovod, K. M., Bondarenko, V. V., Kosogov, I. G., Suchikova, Ya. O.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2024
Schlagworte:	Ga2O3 GaAs електрохімічне травлення оксидування пори гетероструктури
Online Zugang:	https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/722
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Chemistry, Physics and Technology of Surface

Institution

Chemistry, Physics and Technology of Surface

Ähnliche Einträge

Study on phase characteristics of heterostructure por-Ga2O3/GaAs
von: S. S. Kovachov, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
von: Stempitsky, V. R., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Формування ?-SiC на поверхні por-Si/mono-Si за механізмом Странського – Крастанова
von: Suchikova, Y. O., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
von: Krasnov, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні InGaN для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання
von: Mollaamin, F.
Veröffentlicht: (2025)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: Vainberg, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Formation of β-SiC on por-Si/mono-Si surface according to Stranski - Krastanow mechanism
von: Y. O. Suchikova, et al.
Veröffentlicht: (2022)

A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
von: Sghaier, H., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
von: Karimov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)

GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
von: Storozhenko, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Одержання та дослідження гетероструктури ZnO:Al/por-Si/Si
von: Dyadenchuk, A. F., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

ТЕРМОДИНАМІЧНИЙ РОЗРАХУНОК ДІАГРАМИ ПЛАВКОСТІ СИСТЕМИ Ga-N ЗА АТМОСФЕРНОГО ТА ВИСОКИХ ТИСКІВ
von: Туркевич, В. З., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
von: Holovatsky, V.A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: M. M. Vinoslavskii, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: Vinoslavskii, M.M., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
von: Кулик, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)

2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
von: L. V. Kulik, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)

MODELLING OF OPERATION MODES AND ELECTROMAGNETIC INTERFERENCES OF GaN-TRANSISTOR CONVERTERS
von: Onikienko, Y. O., et al.
Veröffentlicht: (2020)

TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment
von: Kryshtab, T.G., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Effect of γ-irradiation on the structure of high density polyethylene composites with GaAs and GaAs<Te> fillers
von: Gadzhieva, N.N., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
von: V. R. Rasulov
Veröffentlicht: (2016)

Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
von: V. R. Rasulov
Veröffentlicht: (2016)

A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs)
von: H. Sghaier, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
von: Iliash, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
von: Круковский, С.И.
Veröffentlicht: (2002)

Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
von: A. P. Savelev, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Structural properties of lattice-matched InGaPN on GaAs (001)
von: P. Sritonwong, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Structural properties of lattice-matched InGaPN on GaAs (001)
von: P. Sritonwong, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
von: S. A. Iliash, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
von: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)