Трансформація аддимерів >Ge=GeGe=Si< ТА >Si=Si< на релаксованій грані Si(001)(4×2)

• Date: 2021
• Author Affiliations: М. І. Теребінська — Інститут хімії поверхні ім. О.О.Чуйка Національної академії наук України; О. І. Ткачук — Інститут хімії поверхні ім. О.О.Чуйка Національної академії наук України; А. М. Дацюк — Інститут хімії поверхні ім. О.О.Чуйка Національної академії наук України; О. В. Філоненко — Інститут хімії поверхні ім. О.О.Чуйка Національної академії наук України; В. В. Лобанов — Інститут хімії поверхні ім. О.О.Чуйка Національної академії наук України
• Keywords: keywords
• Main Authors: Теребінська, М. І., Ткачук, О. І., Дацюк, А. М., Філоненко, О. В., Лобанов, В. В.
• Format: Article
• Language: Ukrainian
• Published: Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2021
• Subjects: метод теорії функціоналу густини; адсорбція германію; переміщення по поверхні; перехідний стан
• Online Access: https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/726
• Journal Title: Surface

By the method of density functional theory (B3LYP, 6-31G **) three types of displacements are calculated, namely oscillations as a whole, rotation and diffusion of dimers > Ge = Ge <, > Ge = Si < and > Si = Si <, which ar...