Зображення обкладинки

Трансформація аддимерів >Ge=GeGe=Si< ТА >Si=Si< на релаксованій грані Si(001)(4×2)

By the method of density functional theory (B3LYP, 6-31G **) three types of displacements are calculated, namely oscillations as a whole, rotation and diffusion of dimers &gt;&nbsp;Ge = Ge &lt;, &gt; Ge = Si &lt; and &gt; Si = Si &lt;, which ar...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2021
Автори:	Теребінська, М. І., Ткачук, О. І., Дацюк, А. М., Філоненко, О. В., Лобанов, В. В.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2021
Теми:	метод теорії функціоналу густини адсорбція германію переміщення по поверхні перехідний стан
Онлайн доступ:	https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/726
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Surface
Завантажити файл:

Репозитарії

Surface

Схожі ресурси

Transformation of addimers &gt;Ge=Ge&lt;, &gt;Ge=Si&lt; AND &gt;Si=Si&lt; on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021)

Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
за авторством: Afanasieva, T.V., та інші
Опубліковано: (2022)

Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001)
за авторством: Ткачук, О.І., та інші
Опубліковано: (2013)

Структура димерних адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001)
за авторством: Tkachuk, O. I., та інші
Опубліковано: (2013)

Quantum magnetoresistance in Si &lt;B, Ni&gt; whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2021)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)

Formation of composite coatings by the method of ultrasonic plasma spraying of powders based on the intermetallic TiAl with non-metallic refrectory compounds SiC And Si&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt;N&lt;sub&gt;4&lt;/sub&gt;
за авторством: Yu. S. Borysov, та інші
Опубліковано: (2022)

CuSi&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt; application for joining art products by arc TIG braze-welding
за авторством: S. M. Minakov, та інші
Опубліковано: (2023)

Influence of Al–Si AND Al–Cu multilayer on the formation of the joint structure of SiC&lt;sub&gt;R&lt;/sub&gt;–AMh5 composite during diffusion welding
за авторством: A. I. Ustinov, та інші
Опубліковано: (2022)

Structure of the dimeric adsorption complex Ge on the face of Si(001)
за авторством: O. I. Tkachuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)

Morphology and optical constants of ge nanocrystalline films deposited on Si(001)
за авторством: Yu. M. Kozyriev, та інші
Опубліковано: (2016)

Prediction of thermodynamic properties of melts of CaO–Al&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;O&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt;
за авторством: I. A. Goncharov, та інші
Опубліковано: (2014)

The effect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid films
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)

Екситон з переносом заряда у гетероструктурах Ge/Si з квантовими точками германію (міні-огляд)
за авторством: Покутній, С. І., та інші
Опубліковано: (2025)

Study of the interaction of atoms of the IV- and V-th groups with Si(001) and Ge(001) surfaces
за авторством: T. V. Afanasieva
Опубліковано: (2015)

Study of the interaction of atoms of the IV- and V-th groups with Si(001) and Ge(001) surfaces
за авторством: T. V. Afanasieva
Опубліковано: (2015)

Study of the excitation of 11/2&lt;sup&gt;–&lt;/sup&gt; isomeric state of the nucleus &lt;sup&gt;139&lt;/sup&gt;Se in reaction (&amp;gamma;,n)&lt;sup&gt;m&lt;/sup&gt; in the giant E1-resonance region
за авторством: V. M. Mazur, та інші
Опубліковано: (2017)

Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2000)

Two-functional sensor of magnetic field and deformation based on Si &lt;B, Ni&gt; microcrystals
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2017)

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge &lt;As&gt; single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2015)

Development of the CoCrAlY/ZrO&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;–8 % Y&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;O&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt; type thermal barrier coating by surface doping of the metal layer with aluminum
за авторством: Yu. Yakovchuk, та інші
Опубліковано: (2022)

Особенности осцилляций Шубникова–де Гааза проводимости высокоподвижного двумерного дырочного газа в квантовой яме SiGe/Ge/SiGe
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2006)

Investigation of presence of Mn&lt;sup&gt;+4&lt;/sup&gt; in welding aerosols
за авторством: O. M. Korduban, та інші
Опубліковано: (2021)

Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001)
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2021)

Influence of TiN and ZrO&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt; on phase transformations IN BaO–ZrO&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt; (TIN) binary systems
за авторством: D. D. Mishchenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Variations in electrophysical properties of heavily doped single crystals of n-Ge&lt;As&gt; under the effect of thermal annealings
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2018)

Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)

Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si
за авторством: Хижный, В.И.
Опубліковано: (2008)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)

Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures
за авторством: Kozyrev, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2008)

Photoresponse in Ge/Si nanostructures with quantum dots
за авторством: Nikolenko, A.S., та інші
Опубліковано: (2006)

Structure and properties of welded joints of Ni&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt;Al intermetallic
за авторством: I. S. Hakh, та інші
Опубліковано: (2022)

Theory and software implementations of Shor&#039;s &lt;i&gt;r&lt;/i&gt;-algorithms
за авторством: P. I. Stetsjuk
Опубліковано: (2017)

Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
за авторством: Гниленко, А.Б., та інші
Опубліковано: (2015)

Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
за авторством: Gnilenko, A. B., та інші
Опубліковано: (2015)

Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2006)

Modification of radiation defects in Si and Ge by background impurity
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013)

Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2011)