Трансформація аддимерів >Ge=GeGe=Si< ТА >Si=Si< на релаксованій грані Si(001)(4×2)
By the method of density functional theory (B3LYP, 6-31G **) three types of displacements are calculated, namely oscillations as a whole, rotation and diffusion of dimers &gt;&nbsp;Ge = Ge &lt;, &gt; Ge = Si &lt; and &gt; Si = Si &lt;, which ar...
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| Datum: | 2021 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Теребінська, М. І., Ткачук, О. І., Дацюк, А. М., Філоненко, О. В., Лобанов, В. В. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2021
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/726 |
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| Назва журналу: | Surface |
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