Трансформація аддимерів >Ge=GeGe=Si< ТА >Si=Si< на релаксованій грані Si(001)(4×2)
By the method of density functional theory (B3LYP, 6-31G **) three types of displacements are calculated, namely oscillations as a whole, rotation and diffusion of dimers &gt;&nbsp;Ge = Ge &lt;, &gt; Ge = Si &lt; and &gt; Si = Si &lt;, which ar...
Збережено в:
| Дата: | 2021 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2021
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/726 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Surface |
| Завантажити файл: | |
Репозитарії
SurfaceБудьте першим, хто залишить коментар!