Характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні InGaN для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання
The energy storage was probed by hybrid materials of GaN, InN, InGaN, Si@InGaN, Zn@InGaN, Ag@InGaNusing first-principles studies. Electromagnetic and thermodynamic properties of GaN, InN, InGaN, Si@InGaN, Zn@InGaN, Ag@InGaN hetero clusters have been evaluated. The hypothesis of the energy adsorption...
Gespeichert in:
| Datum: | 2025 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2025
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/778 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
Institution
Chemistry, Physics and Technology of Surface| _version_ | 1856543968746012672 |
|---|---|
| author | Mollaamin, F. |
| author_facet | Mollaamin, F. |
| author_sort | Mollaamin, F. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-06-19T08:56:29Z |
| description | The energy storage was probed by hybrid materials of GaN, InN, InGaN, Si@InGaN, Zn@InGaN, Ag@InGaNusing first-principles studies. Electromagnetic and thermodynamic properties of GaN, InN, InGaN, Si@InGaN, Zn@InGaN, Ag@InGaN hetero clusters have been evaluated. The hypothesis of the energy adsorption phenomenon was confirmed by density distributions of PDOS and ELF for GaN, InN, InGaN, Si@InGaN, Zn@InGaN, Ag@InGaN hetero clusters. The two hetero clusters of Zn@InGaN and Ag@InGaN with the fluctuations of In, Ga, N and transition metals of Zn, Ag have indicated the same sensitivity graph of electric potential via charge distribution with = 0.9998. Therefore, it can be considered that zinc and silver atoms in the functionalized Zn@InGaN and Ag@InGaN may have more effective sensitivity for admitting the electrons in the status of energy adsorption mechanism. Furthermore, Ag@InGaN is potentially advantageous for certain high-frequency applications requiring solar cells for energy storage. The advantages of silver over indium gallium nitride include its higher electron and hole mobility, allowing silver doping devices to operate at higher frequencies than silicon and zinc doping devices. |
| first_indexed | 2025-07-22T19:35:41Z |
| format | Article |
| id | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-778 |
| institution | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
| language | English |
| last_indexed | 2025-09-24T17:46:01Z |
| publishDate | 2025 |
| publisher | Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-7782025-06-19T08:56:29Z Characterization and functionalization of ternary InGaN nanosurface towards energy storage system in solar cell basics: a molecular modelling study Характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні InGaN для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання Mollaamin, F. Energy-saving Si@InGaN Zn@InGaN Ag@InGaN DFT енергозберігання Si@InGaN Zn@InGaN Ag@InGaN ТФГ The energy storage was probed by hybrid materials of GaN, InN, InGaN, Si@InGaN, Zn@InGaN, Ag@InGaNusing first-principles studies. Electromagnetic and thermodynamic properties of GaN, InN, InGaN, Si@InGaN, Zn@InGaN, Ag@InGaN hetero clusters have been evaluated. The hypothesis of the energy adsorption phenomenon was confirmed by density distributions of PDOS and ELF for GaN, InN, InGaN, Si@InGaN, Zn@InGaN, Ag@InGaN hetero clusters. The two hetero clusters of Zn@InGaN and Ag@InGaN with the fluctuations of In, Ga, N and transition metals of Zn, Ag have indicated the same sensitivity graph of electric potential via charge distribution with = 0.9998. Therefore, it can be considered that zinc and silver atoms in the functionalized Zn@InGaN and Ag@InGaN may have more effective sensitivity for admitting the electrons in the status of energy adsorption mechanism. Furthermore, Ag@InGaN is potentially advantageous for certain high-frequency applications requiring solar cells for energy storage. The advantages of silver over indium gallium nitride include its higher electron and hole mobility, allowing silver doping devices to operate at higher frequencies than silicon and zinc doping devices. Зберігання енергії гібридними матеріалами GaN, InN, InGaN, Si@InGaN, Zn@InGaN, Ag@InGaN було досліджено з використанням перших принципів. Оцінено електромагнітні та термодинамічні властивості гетерокластерів GaN, InN, InGaN, Si@InGaN, Zn@InGaN, Ag@InGaN. Гіпотезу про явище абсорбції енергії було підтверджено розподілами густини PDOS та ELF для гетерокластерів GaN, InN, InGaN, Si@InGaN, Zn@InGaN, Ag@InGaN. Два гетерокластери Zn@InGaN і Ag@InGaN з флуктуаціями In, Ga, N і перехідних металів Zn, Ag показали однаковий графік чутливості електричного потенціалу через розподіл заряду з R_(Zn/Ag-InGaN)^2= 0,9998. Таким чином, можна вважати, що атоми цинку та срібла у функціоналізованих Zn@InGaN та Ag@InGaN можуть мати більш ефективну чутливість до пропуску електронів через механізм абсорбції енергії. Крім того, Ag@InGaN є потенційно вигідним для певних високочастотних застосувань, які вимагають сонячних елементів для зберігання енергії. Переваги срібла над нітридом галію-індію включають його більш високу рухливість електронів і дірок, що дозволяє пристроям для легування сріблом працювати на більш високих частотах, ніж пристрої для легування кремнієм і цинком. Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2025-06-01 Article Article application/pdf https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/778 10.15407/hftp16.02.271 Chemistry, Physics and Technology of Surface; Vol. 16 No. 2 (2025): Chemistry, Physics and Technology of Surface / Himia, Fizika ta Tehnologia Poverhni; 271-287 Химия, физика и технология поверхности; Том 16 № 2 (2025): Chemistry, Physics and Technology of Surface / Himia, Fizika ta Tehnologia Poverhni; 271-287 Хімія, фізика та технологія поверхні; Том 16 № 2 (2025): Хімія, фізика та технологія поверхні; 271-287 2518-1238 2079-1704 10.15407/hftp16.02 en https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/778/796 Copyright (c) 2025 F. Mollaamin |
| spellingShingle | енергозберігання Si@InGaN Zn@InGaN Ag@InGaN ТФГ Mollaamin, F. Характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні InGaN для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання |
| title | Характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні InGaN для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання |
| title_alt | Characterization and functionalization of ternary InGaN nanosurface towards energy storage system in solar cell basics: a molecular modelling study |
| title_full | Характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні InGaN для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання |
| title_fullStr | Характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні InGaN для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання |
| title_full_unstemmed | Характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні InGaN для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання |
| title_short | Характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні InGaN для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання |
| title_sort | характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні ingan для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання |
| topic | енергозберігання Si@InGaN Zn@InGaN Ag@InGaN ТФГ |
| topic_facet | Energy-saving Si@InGaN Zn@InGaN Ag@InGaN DFT енергозберігання Si@InGaN Zn@InGaN Ag@InGaN ТФГ |
| url | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/778 |
| work_keys_str_mv | AT mollaaminf characterizationandfunctionalizationofternaryingannanosurfacetowardsenergystoragesysteminsolarcellbasicsamolecularmodellingstudy AT mollaaminf harakteristikatafunkcíonalízacíâpotríjnoínanopoverhníingandlâsisteminakopičennâenergíívosnovahsonâčnihelementívdoslídžennâmetodommolekulârnogomodelûvannâ |