ТЕРМОДИНАМІЧНИЙ РОЗРАХУНОК ДІАГРАМИ ПЛАВКОСТІ СИСТЕМИ Ga-N ЗА АТМОСФЕРНОГО ТА ВИСОКИХ ТИСКІВ
It was done melting diagram calculation of Ga–N system at atmospheric pressure (0,1 MPa) and at high pressures (1, 4, 6 GPa) within the phenomenological thermodynamics models. It is shown that increasing of pressure up to 6 GPa doesn't lead to the new phases formation, but allows to extend the...
Gespeichert in:
| Datum: | 2022 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Туркевич, В. З., Румянцева, Ю. Ю., Туркевич, Д. B., Чернієнко, О. I., Савицький, О. В., Гордєєв, С. O., Кущ, О. B., Садова, Ю. I. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Институт сверхтвердых материалов им. В. Н. Бакуля Национальной академии наук Украины
2022
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://altis-ism.org.ua/index.php/ALTIS/article/view/247 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Tooling materials science |
Institution
Tooling materials scienceÄhnliche Einträge
-
Термодинамічний розрахунок діаграми стану системи Si–C при тисках до 8 ГПа
von: Туркевич, В.З., et al.
Veröffentlicht: (2016) -
ЯК ПОЧИНАЛОСЬ АЛМАЗНЕ ВИРОБНИЦТВО В КИЄВІ (Спогади Житнецького Василя Івановича)
von: Соколов, Олександр
Veröffentlicht: (2025) -
Вплив розкиду значень електричних параметрів RGB-світлодіодів на однорідність світіння світлодіодних екранів при мінімальній градації яскравості
von: Veleschuk, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2017) -
Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
von: Stempitsky, V. R., et al.
Veröffentlicht: (2017) -
ВПЛИВ ДИСПЕРСНОСТІ ПОРОШКУ, ТИСКУ І ТЕМПЕРАТУРИ СПІКАННЯ НА МІКРОСТРУКТУРУ І ФІЗИКО-МЕХАНІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КЕРАМІКИ З КАРБІДУ БОРА
von: Урбанович, В. С., et al.
Veröffentlicht: (2018)