ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ТИПУ ІІа і Іb, ОДЕРЖАНИХ МЕТОДОМ Т-ГРАДІЄНТУ В НРНТ УМОВАХ
Вивчено оптичними методами структурно-домішковий стан монокристалів алмазу типу ІІа і Іb, одержаних методом Т-градієнту в НРНТ умовах, визначено їх теплопровідність і електроопір. Встановлено для зразка типу IIа значне пропускання в ультрафіолетовій (УФ) області спектру з краєм пропускання від 221 н...
Збережено в:
| Дата: | 2022 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Институт сверхтвердых материалов им. В. Н. Бакуля Национальной академии наук Украины
2022
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://altis-ism.org.ua/index.php/ALTIS/article/view/259 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Tooling materials science |
Репозитарії
Tooling materials science| Резюме: | Вивчено оптичними методами структурно-домішковий стан монокристалів алмазу типу ІІа і Іb, одержаних методом Т-градієнту в НРНТ умовах, визначено їх теплопровідність і електроопір.
Встановлено для зразка типу IIа значне пропускання в ультрафіолетовій (УФ) області спектру з краєм пропускання від 221 нм, що говорить про високий ступінь структурної досконалості кристала. Зразок типу Ib є непрозорим в УФ області, незначне пропускання реєструється в області від 290 нм з різким краєм пропускання поблизу 450 нм. В області довжин хвилі 800–1100 нм обидва зразки демонструють пропускання на рівні ~73%. Вимірюванням теплопровідності зразків визначено, що зразок монокристалу алмазу типу IIa має теплопровідність 1804± 36 Вт/(м×К), а зразок монокристалу алмазу типу Ib – відповідно 948 ± 47 Вт/(м×К). Електричний опір пластини алмазу типу IIa складає rs = 1,3·1011 Ом·см, а для пластини типу Ib (жовтої) був за межами діапазону вимірювань (rs >1012 Ом·см). |
|---|