ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ТИПУ ІІа і Іb, ОДЕРЖАНИХ МЕТОДОМ Т-ГРАДІЄНТУ В НРНТ УМОВАХ

Вивчено оптичними методами структурно-домішковий стан монокристалів алмазу типу ІІа і Іb, одержаних методом Т-градієнту в НРНТ умовах, визначено їх теплопровідність і електроопір. Встановлено для зразка типу IIа значне пропускання в ультрафіолетовій (УФ) області спектру з краєм пропускання від 221 н...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2022
Автори: Ніколенко, A. C., Даниленко, I. M., Стрельчук, B. B., Шульженко, O. O., Соколов, O. M., Гаргін, В. Г., Савіцький, O. B., Лисаковський, B. B.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Институт сверхтвердых материалов им. В. Н. Бакуля Национальной академии наук Украины 2022
Теми:
Онлайн доступ:http://altis-ism.org.ua/index.php/ALTIS/article/view/259
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Tooling materials science

Репозитарії

Tooling materials science
id oai:ojs2.altis-ism.org.ua:article-259
record_format ojs
institution Tooling materials science
baseUrl_str
datestamp_date 2022-08-02T12:12:27Z
collection OJS
language Ukrainian
topic монокристал алмазу
структурно-домішковий стан
раманівська спектроскопія
інфрачервона спектроскопія
ультрафіолетова спектроскопія
теплопровідність
електроопір
spellingShingle монокристал алмазу
структурно-домішковий стан
раманівська спектроскопія
інфрачервона спектроскопія
ультрафіолетова спектроскопія
теплопровідність
електроопір
Ніколенко, A. C.
Даниленко, I. M.
Стрельчук, B. B.
Шульженко, O. O.
Соколов, O. M.
Гаргін, В. Г.
Савіцький, O. B.
Лисаковський, B. B.
ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ТИПУ ІІа і Іb, ОДЕРЖАНИХ МЕТОДОМ Т-ГРАДІЄНТУ В НРНТ УМОВАХ
topic_facet diamond single crystal
structural impurity state
Raman spectroscopy
infrared spectroscopy
ultraviolet spectroscopy
thermal conductivity
electrical resistance
монокристалл алмаза
структурно-примесное состояние
рамановская спектроскопия
инфракрасная спектроскопия
ультрафиолетовая спектроскопия
теплопроводность
электросопротивление
монокристал алмазу
структурно-домішковий стан
раманівська спектроскопія
інфрачервона спектроскопія
ультрафіолетова спектроскопія
теплопровідність
електроопір
format Article
author Ніколенко, A. C.
Даниленко, I. M.
Стрельчук, B. B.
Шульженко, O. O.
Соколов, O. M.
Гаргін, В. Г.
Савіцький, O. B.
Лисаковський, B. B.
author_facet Ніколенко, A. C.
Даниленко, I. M.
Стрельчук, B. B.
Шульженко, O. O.
Соколов, O. M.
Гаргін, В. Г.
Савіцький, O. B.
Лисаковський, B. B.
author_sort Ніколенко, A. C.
title ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ТИПУ ІІа і Іb, ОДЕРЖАНИХ МЕТОДОМ Т-ГРАДІЄНТУ В НРНТ УМОВАХ
title_short ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ТИПУ ІІа і Іb, ОДЕРЖАНИХ МЕТОДОМ Т-ГРАДІЄНТУ В НРНТ УМОВАХ
title_full ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ТИПУ ІІа і Іb, ОДЕРЖАНИХ МЕТОДОМ Т-ГРАДІЄНТУ В НРНТ УМОВАХ
title_fullStr ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ТИПУ ІІа і Іb, ОДЕРЖАНИХ МЕТОДОМ Т-ГРАДІЄНТУ В НРНТ УМОВАХ
title_full_unstemmed ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ТИПУ ІІа і Іb, ОДЕРЖАНИХ МЕТОДОМ Т-ГРАДІЄНТУ В НРНТ УМОВАХ
title_sort фізичні властивості монокристалів алмазу типу ііа і іb, одержаних методом т-градієнту в нрнт умовах
title_alt PHYSICAL PROPERTIES OF TYPE IIa AND Ib DIAMOND SINGLE CRYSTALS OBTAINED BY THE T-GRADIENT METHOD AT HRHT CONDITIONS
ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА ТИПА IIа И Ib, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ Т-ГРАДИЕНТА В НРНТ УСЛОВИЯХ
description Вивчено оптичними методами структурно-домішковий стан монокристалів алмазу типу ІІа і Іb, одержаних методом Т-градієнту в НРНТ умовах, визначено їх теплопровідність і електроопір. Встановлено для зразка типу IIа значне пропускання в ультрафіолетовій (УФ) області спектру з краєм пропускання від 221 нм, що говорить про високий ступінь структурної досконалості кристала. Зразок типу Ib є непрозорим в УФ області, незначне пропускання реєструється в області від 290 нм з різким краєм пропускання поблизу 450 нм. В області довжин хвилі 800–1100 нм обидва зразки демонструють пропускання на рівні ~73%. Вимірюванням теплопровідності зразків визначено, що зразок монокристалу алмазу типу IIa має теплопровідність 1804± 36 Вт/(м×К), а зразок монокристалу алмазу типу Ib – відповідно 948 ± 47 Вт/(м×К). Електричний опір пластини алмазу типу IIa складає rs = 1,3·1011 Ом·см, а для пластини типу Ib (жовтої) був за межами діапазону вимірювань (rs >1012 Ом·см).
publisher Институт сверхтвердых материалов им. В. Н. Бакуля Национальной академии наук Украины
publishDate 2022
url http://altis-ism.org.ua/index.php/ALTIS/article/view/259
work_keys_str_mv AT níkolenkoac physicalpropertiesoftypeiiaandibdiamondsinglecrystalsobtainedbythetgradientmethodathrhtconditions
AT danilenkoim physicalpropertiesoftypeiiaandibdiamondsinglecrystalsobtainedbythetgradientmethodathrhtconditions
AT strelʹčukbb physicalpropertiesoftypeiiaandibdiamondsinglecrystalsobtainedbythetgradientmethodathrhtconditions
AT šulʹženkooo physicalpropertiesoftypeiiaandibdiamondsinglecrystalsobtainedbythetgradientmethodathrhtconditions
AT sokolovom physicalpropertiesoftypeiiaandibdiamondsinglecrystalsobtainedbythetgradientmethodathrhtconditions
AT gargínvg physicalpropertiesoftypeiiaandibdiamondsinglecrystalsobtainedbythetgradientmethodathrhtconditions
AT savícʹkijob physicalpropertiesoftypeiiaandibdiamondsinglecrystalsobtainedbythetgradientmethodathrhtconditions
AT lisakovsʹkijbb physicalpropertiesoftypeiiaandibdiamondsinglecrystalsobtainedbythetgradientmethodathrhtconditions
AT níkolenkoac fízičnívlastivostímonokristalívalmazutipuííaííboderžanihmetodomtgradíêntuvnrntumovah
AT danilenkoim fízičnívlastivostímonokristalívalmazutipuííaííboderžanihmetodomtgradíêntuvnrntumovah
AT strelʹčukbb fízičnívlastivostímonokristalívalmazutipuííaííboderžanihmetodomtgradíêntuvnrntumovah
AT šulʹženkooo fízičnívlastivostímonokristalívalmazutipuííaííboderžanihmetodomtgradíêntuvnrntumovah
AT sokolovom fízičnívlastivostímonokristalívalmazutipuííaííboderžanihmetodomtgradíêntuvnrntumovah
AT gargínvg fízičnívlastivostímonokristalívalmazutipuííaííboderžanihmetodomtgradíêntuvnrntumovah
AT savícʹkijob fízičnívlastivostímonokristalívalmazutipuííaííboderžanihmetodomtgradíêntuvnrntumovah
AT lisakovsʹkijbb fízičnívlastivostímonokristalívalmazutipuííaííboderžanihmetodomtgradíêntuvnrntumovah
AT níkolenkoac fizičeskiesvojstvamonokristallovalmazatipaiiaiibpolučennyhmetodomtgradientavnrntusloviâh
AT danilenkoim fizičeskiesvojstvamonokristallovalmazatipaiiaiibpolučennyhmetodomtgradientavnrntusloviâh
AT strelʹčukbb fizičeskiesvojstvamonokristallovalmazatipaiiaiibpolučennyhmetodomtgradientavnrntusloviâh
AT šulʹženkooo fizičeskiesvojstvamonokristallovalmazatipaiiaiibpolučennyhmetodomtgradientavnrntusloviâh
AT sokolovom fizičeskiesvojstvamonokristallovalmazatipaiiaiibpolučennyhmetodomtgradientavnrntusloviâh
AT gargínvg fizičeskiesvojstvamonokristallovalmazatipaiiaiibpolučennyhmetodomtgradientavnrntusloviâh
AT savícʹkijob fizičeskiesvojstvamonokristallovalmazatipaiiaiibpolučennyhmetodomtgradientavnrntusloviâh
AT lisakovsʹkijbb fizičeskiesvojstvamonokristallovalmazatipaiiaiibpolučennyhmetodomtgradientavnrntusloviâh
first_indexed 2025-09-24T17:41:59Z
last_indexed 2025-09-24T17:41:59Z
_version_ 1850410045420863488
spelling oai:ojs2.altis-ism.org.ua:article-2592022-08-02T12:12:27Z PHYSICAL PROPERTIES OF TYPE IIa AND Ib DIAMOND SINGLE CRYSTALS OBTAINED BY THE T-GRADIENT METHOD AT HRHT CONDITIONS ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ТИПУ ІІа і Іb, ОДЕРЖАНИХ МЕТОДОМ Т-ГРАДІЄНТУ В НРНТ УМОВАХ ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА ТИПА IIа И Ib, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ Т-ГРАДИЕНТА В НРНТ УСЛОВИЯХ Ніколенко, A. C. Даниленко, I. M. Стрельчук, B. B. Шульженко, O. O. Соколов, O. M. Гаргін, В. Г. Савіцький, O. B. Лисаковський, B. B. diamond single crystal, structural impurity state, Raman spectroscopy, infrared spectroscopy, ultraviolet spectroscopy, thermal conductivity, electrical resistance монокристалл алмаза, структурно-примесное состояние, рамановская спектроскопия, инфракрасная спектроскопия, ультрафиолетовая спектроскопия, теплопроводность, электросопротивление монокристал алмазу, структурно-домішковий стан, раманівська спектроскопія, інфрачервона спектроскопія, ультрафіолетова спектроскопія, теплопровідність, електроопір Вивчено оптичними методами структурно-домішковий стан монокристалів алмазу типу ІІа і Іb, одержаних методом Т-градієнту в НРНТ умовах, визначено їх теплопровідність і електроопір. Встановлено для зразка типу IIа значне пропускання в ультрафіолетовій (УФ) області спектру з краєм пропускання від 221 нм, що говорить про високий ступінь структурної досконалості кристала. Зразок типу Ib є непрозорим в УФ області, незначне пропускання реєструється в області від 290 нм з різким краєм пропускання поблизу 450 нм. В області довжин хвилі 800–1100 нм обидва зразки демонструють пропускання на рівні ~73%. Вимірюванням теплопровідності зразків визначено, що зразок монокристалу алмазу типу IIa має теплопровідність 1804± 36 Вт/(м×К), а зразок монокристалу алмазу типу Ib – відповідно 948 ± 47 Вт/(м×К). Електричний опір пластини алмазу типу IIa складає rs = 1,3·1011 Ом·см, а для пластини типу Ib (жовтої) був за межами діапазону вимірювань (rs >1012 Ом·см). The structural impurity state of diamond single crystals of type IIa and Ib obtained by the T-gradient method in NRNT conditions was studied by optical methods, and their thermal conductivity and electrical resistance were determined. A significant transmission in the ultraviolet (UV) region of the spectrum with a transmission edge of 221 nm was found for the type IIa sample, which indicates a high degree of structural perfection of the crystal. The type Ib sample is opaque in the UV region, low transmission is registered in the region from 290 nm with a sharp transmission edge near 450 nm. In the wavelength range of 800–1100 nm, both samples show transmission at the level of ~ 73%. By measuring the thermal conductivity of the samples, it was determined that the sample of diamond single crystal type IIa has a thermal conductivity of 1804 ± 36 W/(m×K), and the sample of diamond single crystal type Ib - respectively 948 ± 47 W/(m×K). The electrical resistance of the type IIa diamond plate is rs = 1.3×1011 Ohm×cm, and for the type Ib plate (yellow) it was outside the measurement range (rs> 1012 Ohm×cm). Изучено оптическими методами структурно-примесное состояние монокристаллов алмаза типа IIa, и Ib, полученных методом Т-градиента в НРНТ условиях, определены их теплопроводность и электросопротивление. Установлено для образца типа IIа значительное пропускание в ультрафиолетовой (УФ) области спектра с краем пропускания от 221 нм, что говорит о высокой степени структурного совершенства кристалла. Образец типа Ib является непрозрачным в УФ области, незначительное пропускание регистрируется в области от 290 нм с резким краем пропускания вблизи 450 нм. В области длин волны 800–1100 нм оба образца демонстрируют пропускание на уровне ~73%. Измерением теплопроводности образцов определено, что образец монокристалла алмаза типа IIa имеет теплопроводность 1804±36 Вт/(м×К), а образец монокристалла алмаза типа Ib – соответственно 948±47 Вт / (м×К). Электрическое сопротивление пластины алмаза типа IIa составляет rs = 1.3×1011 Ом×см, а для пластины типа Ib (желтой) был вне диапазона измерений (rs> 1012 Ом×см). Институт сверхтвердых материалов им. В. Н. Бакуля Национальной академии наук Украины 2022-02-11 Article Article application/pdf http://altis-ism.org.ua/index.php/ALTIS/article/view/259 Інструментальне матеріалознавство; Том 24 № 1 (2021): Інструментальне матеріалознавство; 175-186 Инструментальное материаловедение; Том 24 № 1 (2021): Инструментальное материаловедение; 175-186 Tooling materials science; Vol 24 No 1 (2021): Instrumental Materials Science; 175-186 2708-7328 2708-731X uk http://altis-ism.org.ua/index.php/ALTIS/article/view/259/191 Авторське право (c) 2021 Інструментальне матеріалознавство