ФОРМОУТВОРЕННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ПРИ ЗМІНІ КОНФІГУРАЦІЇ РЕЗИСТИВНОЇ СИСТЕМИ НАГРІВУ В АПАРАТАХ ВИСОКОГО ТИСУ КУБІЧНОГО ТИПУ

ФОРМОУТВОРЕННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ПРИ ЗМІНІ КОНФІГУРАЦІЇ РЕЗИСТИВНОЇ СИСТЕМИ НАГРІВУ В АПАРАТАХ ВИСОКОГО ТИСУ КУБІЧНОГО ТИПУ

The limiting values of axial and radial temperature gradients for growing diamond single crystals of different types and habit have been calculated and experimentally studied. Defined temperature limit values, exceeding which leads to the growth of defective crystals; it is shown that such values di...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2024
Автори: Лисаковський, Валентин, Івахненко, Сергій, Бурченя, Андрій, Коваленко, Тетяна, Стрельчук, Віктор, Ніколенко, Андрій, Іванченко, Сергій, Марченко, Антон
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Институт сверхтвердых материалов им. В. Н. Бакуля Национальной академии наук Украины 2024
Теми:
градієнт температури
апарат високого тиску
габітус
куб
кубоктаєдр
октаедр.
Онлайн доступ:http://altis-ism.org.ua/index.php/ALTIS/article/view/349
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Tooling materials science

Репозитарії

Tooling materials science
id oai:ojs2.altis-ism.org.ua:article-349
record_format ojs
spelling oai:ojs2.altis-ism.org.ua:article-3492024-02-06T06:49:22Z FORMATION OF DIAMOND SINGLE CRYSTALS WHEN CHANGING THE CONFIGURATION OF THE RESISTIVE HEATING SYSTEM IN HIGH-PRESSURE CUBIC-TYPE DEVICES ФОРМОУТВОРЕННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ПРИ ЗМІНІ КОНФІГУРАЦІЇ РЕЗИСТИВНОЇ СИСТЕМИ НАГРІВУ В АПАРАТАХ ВИСОКОГО ТИСУ КУБІЧНОГО ТИПУ Лисаковський, Валентин Івахненко, Сергій Бурченя, Андрій Коваленко, Тетяна Стрельчук, Віктор Ніколенко, Андрій Іванченко, Сергій Марченко, Антон temperature gradient, high-pressure device, habitus, cube, cuboctahedron, octahedron. градієнт температури, апарат високого тиску, габітус, куб, кубоктаєдр, октаедр. The limiting values of axial and radial temperature gradients for growing diamond single crystals of different types and habit have been calculated and experimentally studied. Defined temperature limit values, exceeding which leads to the growth of defective crystals; it is shown that such values differ for each solution-melt system and must be selected separately. The necessary temperature conditions for the formation of cubic and cuboctahedral diamond single crystals have been established, as well as the prevention of the formation of binary crystals with the development of a defective region of the crystal associated with a change in the characteristics of carbon transfer from the source to the crystallization front. Розраховано та експериментально вивчено граничні величини осьових та радіальних градієнтів температури для вирощування монокристалів алмаза різних типів та габітусу. Визначені граничні значення температури, перевищення яких призводить до росту дефектних кристалів; показано, що для кожної розчин-розплавної системи такі значення відрізняються і їх необхідно підбирати окремо. Встановлені необхідні температурні умови для формування монокристалів алмазу кубічного і кубоктаедричноого габітусу, а також запобігання утворенню кристалів бінарної форми з розвитком дефектної області кристалу, пов’язану із зміненням характеристик переносу вуглецю від джерела до фронту кристалізації. Институт сверхтвердых материалов им. В. Н. Бакуля Национальной академии наук Украины 2024-01-24 Article Article application/pdf http://altis-ism.org.ua/index.php/ALTIS/article/view/349 Інструментальне матеріалознавство; Том 26 № 1 (2023): Інструментальне матеріалознавство; 103-110 Инструментальное материаловедение; Том 26 № 1 (2023): Інструментальне матеріалознавство; 103-110 Tooling materials science; Vol 26 No 1 (2023): Tooling marerials science; 103-110 2708-7328 2708-731X uk http://altis-ism.org.ua/index.php/ALTIS/article/view/349/279 Авторське право (c) 2023 Інструментальне матеріалознавство
institution Tooling materials science
baseUrl_str
datestamp_date 2024-02-06T06:49:22Z
collection OJS
language Ukrainian
topic градієнт температури
апарат високого тиску
габітус
куб
кубоктаєдр
октаедр.
spellingShingle градієнт температури
апарат високого тиску
габітус
куб
кубоктаєдр
октаедр.
Лисаковський, Валентин
Івахненко, Сергій
Бурченя, Андрій
Коваленко, Тетяна
Стрельчук, Віктор
Ніколенко, Андрій
Іванченко, Сергій
Марченко, Антон
ФОРМОУТВОРЕННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ПРИ ЗМІНІ КОНФІГУРАЦІЇ РЕЗИСТИВНОЇ СИСТЕМИ НАГРІВУ В АПАРАТАХ ВИСОКОГО ТИСУ КУБІЧНОГО ТИПУ
topic_facet temperature gradient
high-pressure device
habitus
cube
cuboctahedron
octahedron.
градієнт температури
апарат високого тиску
габітус
куб
кубоктаєдр
октаедр.
format Article
author Лисаковський, Валентин
Івахненко, Сергій
Бурченя, Андрій
Коваленко, Тетяна
Стрельчук, Віктор
Ніколенко, Андрій
Іванченко, Сергій
Марченко, Антон
author_facet Лисаковський, Валентин
Івахненко, Сергій
Бурченя, Андрій
Коваленко, Тетяна
Стрельчук, Віктор
Ніколенко, Андрій
Іванченко, Сергій
Марченко, Антон
author_sort Лисаковський, Валентин
title ФОРМОУТВОРЕННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ПРИ ЗМІНІ КОНФІГУРАЦІЇ РЕЗИСТИВНОЇ СИСТЕМИ НАГРІВУ В АПАРАТАХ ВИСОКОГО ТИСУ КУБІЧНОГО ТИПУ
title_short ФОРМОУТВОРЕННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ПРИ ЗМІНІ КОНФІГУРАЦІЇ РЕЗИСТИВНОЇ СИСТЕМИ НАГРІВУ В АПАРАТАХ ВИСОКОГО ТИСУ КУБІЧНОГО ТИПУ
title_full ФОРМОУТВОРЕННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ПРИ ЗМІНІ КОНФІГУРАЦІЇ РЕЗИСТИВНОЇ СИСТЕМИ НАГРІВУ В АПАРАТАХ ВИСОКОГО ТИСУ КУБІЧНОГО ТИПУ
title_fullStr ФОРМОУТВОРЕННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ПРИ ЗМІНІ КОНФІГУРАЦІЇ РЕЗИСТИВНОЇ СИСТЕМИ НАГРІВУ В АПАРАТАХ ВИСОКОГО ТИСУ КУБІЧНОГО ТИПУ
title_full_unstemmed ФОРМОУТВОРЕННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ПРИ ЗМІНІ КОНФІГУРАЦІЇ РЕЗИСТИВНОЇ СИСТЕМИ НАГРІВУ В АПАРАТАХ ВИСОКОГО ТИСУ КУБІЧНОГО ТИПУ
title_sort формоутворення монокристалів алмазу при зміні конфігурації резистивної системи нагріву в апаратах високого тису кубічного типу
title_alt FORMATION OF DIAMOND SINGLE CRYSTALS WHEN CHANGING THE CONFIGURATION OF THE RESISTIVE HEATING SYSTEM IN HIGH-PRESSURE CUBIC-TYPE DEVICES
description The limiting values of axial and radial temperature gradients for growing diamond single crystals of different types and habit have been calculated and experimentally studied. Defined temperature limit values, exceeding which leads to the growth of defective crystals; it is shown that such values differ for each solution-melt system and must be selected separately. The necessary temperature conditions for the formation of cubic and cuboctahedral diamond single crystals have been established, as well as the prevention of the formation of binary crystals with the development of a defective region of the crystal associated with a change in the characteristics of carbon transfer from the source to the crystallization front.
publisher Институт сверхтвердых материалов им. В. Н. Бакуля Национальной академии наук Украины
publishDate 2024
url http://altis-ism.org.ua/index.php/ALTIS/article/view/349
work_keys_str_mv AT lisakovsʹkijvalentin formationofdiamondsinglecrystalswhenchangingtheconfigurationoftheresistiveheatingsysteminhighpressurecubictypedevices
AT ívahnenkosergíj formationofdiamondsinglecrystalswhenchangingtheconfigurationoftheresistiveheatingsysteminhighpressurecubictypedevices
AT burčenâandríj formationofdiamondsinglecrystalswhenchangingtheconfigurationoftheresistiveheatingsysteminhighpressurecubictypedevices
AT kovalenkotetâna formationofdiamondsinglecrystalswhenchangingtheconfigurationoftheresistiveheatingsysteminhighpressurecubictypedevices
AT strelʹčukvíktor formationofdiamondsinglecrystalswhenchangingtheconfigurationoftheresistiveheatingsysteminhighpressurecubictypedevices
AT níkolenkoandríj formationofdiamondsinglecrystalswhenchangingtheconfigurationoftheresistiveheatingsysteminhighpressurecubictypedevices
AT ívančenkosergíj formationofdiamondsinglecrystalswhenchangingtheconfigurationoftheresistiveheatingsysteminhighpressurecubictypedevices
AT marčenkoanton formationofdiamondsinglecrystalswhenchangingtheconfigurationoftheresistiveheatingsysteminhighpressurecubictypedevices
AT lisakovsʹkijvalentin formoutvorennâmonokristalívalmazuprizmíníkonfíguracíírezistivnoísisteminagrívuvaparatahvisokogotisukubíčnogotipu
AT ívahnenkosergíj formoutvorennâmonokristalívalmazuprizmíníkonfíguracíírezistivnoísisteminagrívuvaparatahvisokogotisukubíčnogotipu
AT burčenâandríj formoutvorennâmonokristalívalmazuprizmíníkonfíguracíírezistivnoísisteminagrívuvaparatahvisokogotisukubíčnogotipu
AT kovalenkotetâna formoutvorennâmonokristalívalmazuprizmíníkonfíguracíírezistivnoísisteminagrívuvaparatahvisokogotisukubíčnogotipu
AT strelʹčukvíktor formoutvorennâmonokristalívalmazuprizmíníkonfíguracíírezistivnoísisteminagrívuvaparatahvisokogotisukubíčnogotipu
AT níkolenkoandríj formoutvorennâmonokristalívalmazuprizmíníkonfíguracíírezistivnoísisteminagrívuvaparatahvisokogotisukubíčnogotipu
AT ívančenkosergíj formoutvorennâmonokristalívalmazuprizmíníkonfíguracíírezistivnoísisteminagrívuvaparatahvisokogotisukubíčnogotipu
AT marčenkoanton formoutvorennâmonokristalívalmazuprizmíníkonfíguracíírezistivnoísisteminagrívuvaparatahvisokogotisukubíčnogotipu
first_indexed 2025-09-24T17:42:09Z
last_indexed 2025-09-24T17:42:09Z
_version_ 1850410053879726080

Схожі ресурси