ФОРМОУТВОРЕННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ПРИ ЗМІНІ КОНФІГУРАЦІЇ РЕЗИСТИВНОЇ СИСТЕМИ НАГРІВУ В АПАРАТАХ ВИСОКОГО ТИСУ КУБІЧНОГО ТИПУ
The limiting values of axial and radial temperature gradients for growing diamond single crystals of different types and habit have been calculated and experimentally studied. Defined temperature limit values, exceeding which leads to the growth of defective crystals; it is shown that such values di...
Gespeichert in:
| Datum: | 2024 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Институт сверхтвердых материалов им. В. Н. Бакуля Национальной академии наук Украины
2024
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://altis-ism.org.ua/index.php/ALTIS/article/view/349 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Tooling materials science |
Institution
Tooling materials science| _version_ | 1856543812377116672 |
|---|---|
| author | Лисаковський, Валентин Івахненко, Сергій Бурченя, Андрій Коваленко, Тетяна Стрельчук, Віктор Ніколенко, Андрій Іванченко, Сергій Марченко, Антон |
| author_facet | Лисаковський, Валентин Івахненко, Сергій Бурченя, Андрій Коваленко, Тетяна Стрельчук, Віктор Ніколенко, Андрій Іванченко, Сергій Марченко, Антон |
| author_sort | Лисаковський, Валентин |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2024-02-06T06:49:22Z |
| description | The limiting values of axial and radial temperature gradients for growing diamond single crystals of different types and habit have been calculated and experimentally studied. Defined temperature limit values, exceeding which leads to the growth of defective crystals; it is shown that such values differ for each solution-melt system and must be selected separately. The necessary temperature conditions for the formation of cubic and cuboctahedral diamond single crystals have been established, as well as the prevention of the formation of binary crystals with the development of a defective region of the crystal associated with a change in the characteristics of carbon transfer from the source to the crystallization front. |
| first_indexed | 2025-09-24T17:42:09Z |
| format | Article |
| id | oai:ojs2.altis-ism.org.ua:article-349 |
| institution | Tooling materials science |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-09-24T17:42:09Z |
| publishDate | 2024 |
| publisher | Институт сверхтвердых материалов им. В. Н. Бакуля Национальной академии наук Украины |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:ojs2.altis-ism.org.ua:article-3492024-02-06T06:49:22Z FORMATION OF DIAMOND SINGLE CRYSTALS WHEN CHANGING THE CONFIGURATION OF THE RESISTIVE HEATING SYSTEM IN HIGH-PRESSURE CUBIC-TYPE DEVICES ФОРМОУТВОРЕННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ПРИ ЗМІНІ КОНФІГУРАЦІЇ РЕЗИСТИВНОЇ СИСТЕМИ НАГРІВУ В АПАРАТАХ ВИСОКОГО ТИСУ КУБІЧНОГО ТИПУ Лисаковський, Валентин Івахненко, Сергій Бурченя, Андрій Коваленко, Тетяна Стрельчук, Віктор Ніколенко, Андрій Іванченко, Сергій Марченко, Антон temperature gradient, high-pressure device, habitus, cube, cuboctahedron, octahedron. градієнт температури, апарат високого тиску, габітус, куб, кубоктаєдр, октаедр. The limiting values of axial and radial temperature gradients for growing diamond single crystals of different types and habit have been calculated and experimentally studied. Defined temperature limit values, exceeding which leads to the growth of defective crystals; it is shown that such values differ for each solution-melt system and must be selected separately. The necessary temperature conditions for the formation of cubic and cuboctahedral diamond single crystals have been established, as well as the prevention of the formation of binary crystals with the development of a defective region of the crystal associated with a change in the characteristics of carbon transfer from the source to the crystallization front. Розраховано та експериментально вивчено граничні величини осьових та радіальних градієнтів температури для вирощування монокристалів алмаза різних типів та габітусу. Визначені граничні значення температури, перевищення яких призводить до росту дефектних кристалів; показано, що для кожної розчин-розплавної системи такі значення відрізняються і їх необхідно підбирати окремо. Встановлені необхідні температурні умови для формування монокристалів алмазу кубічного і кубоктаедричноого габітусу, а також запобігання утворенню кристалів бінарної форми з розвитком дефектної області кристалу, пов’язану із зміненням характеристик переносу вуглецю від джерела до фронту кристалізації. Институт сверхтвердых материалов им. В. Н. Бакуля Национальной академии наук Украины 2024-01-24 Article Article application/pdf http://altis-ism.org.ua/index.php/ALTIS/article/view/349 Інструментальне матеріалознавство; Том 26 № 1 (2023): Інструментальне матеріалознавство; 103-110 Инструментальное материаловедение; Том 26 № 1 (2023): Інструментальне матеріалознавство; 103-110 Tooling materials science; Vol 26 No 1 (2023): Tooling marerials science; 103-110 2708-7328 2708-731X uk http://altis-ism.org.ua/index.php/ALTIS/article/view/349/279 Авторське право (c) 2023 Інструментальне матеріалознавство |
| spellingShingle | градієнт температури апарат високого тиску габітус куб кубоктаєдр октаедр. Лисаковський, Валентин Івахненко, Сергій Бурченя, Андрій Коваленко, Тетяна Стрельчук, Віктор Ніколенко, Андрій Іванченко, Сергій Марченко, Антон ФОРМОУТВОРЕННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ПРИ ЗМІНІ КОНФІГУРАЦІЇ РЕЗИСТИВНОЇ СИСТЕМИ НАГРІВУ В АПАРАТАХ ВИСОКОГО ТИСУ КУБІЧНОГО ТИПУ |
| title | ФОРМОУТВОРЕННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ПРИ ЗМІНІ КОНФІГУРАЦІЇ РЕЗИСТИВНОЇ СИСТЕМИ НАГРІВУ В АПАРАТАХ ВИСОКОГО ТИСУ КУБІЧНОГО ТИПУ |
| title_alt | FORMATION OF DIAMOND SINGLE CRYSTALS WHEN CHANGING THE CONFIGURATION OF THE RESISTIVE HEATING SYSTEM IN HIGH-PRESSURE CUBIC-TYPE DEVICES |
| title_full | ФОРМОУТВОРЕННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ПРИ ЗМІНІ КОНФІГУРАЦІЇ РЕЗИСТИВНОЇ СИСТЕМИ НАГРІВУ В АПАРАТАХ ВИСОКОГО ТИСУ КУБІЧНОГО ТИПУ |
| title_fullStr | ФОРМОУТВОРЕННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ПРИ ЗМІНІ КОНФІГУРАЦІЇ РЕЗИСТИВНОЇ СИСТЕМИ НАГРІВУ В АПАРАТАХ ВИСОКОГО ТИСУ КУБІЧНОГО ТИПУ |
| title_full_unstemmed | ФОРМОУТВОРЕННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ПРИ ЗМІНІ КОНФІГУРАЦІЇ РЕЗИСТИВНОЇ СИСТЕМИ НАГРІВУ В АПАРАТАХ ВИСОКОГО ТИСУ КУБІЧНОГО ТИПУ |
| title_short | ФОРМОУТВОРЕННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ПРИ ЗМІНІ КОНФІГУРАЦІЇ РЕЗИСТИВНОЇ СИСТЕМИ НАГРІВУ В АПАРАТАХ ВИСОКОГО ТИСУ КУБІЧНОГО ТИПУ |
| title_sort | формоутворення монокристалів алмазу при зміні конфігурації резистивної системи нагріву в апаратах високого тису кубічного типу |
| topic | градієнт температури апарат високого тиску габітус куб кубоктаєдр октаедр. |
| topic_facet | temperature gradient high-pressure device habitus cube cuboctahedron octahedron. градієнт температури апарат високого тиску габітус куб кубоктаєдр октаедр. |
| url | http://altis-ism.org.ua/index.php/ALTIS/article/view/349 |
| work_keys_str_mv | AT lisakovsʹkijvalentin formationofdiamondsinglecrystalswhenchangingtheconfigurationoftheresistiveheatingsysteminhighpressurecubictypedevices AT ívahnenkosergíj formationofdiamondsinglecrystalswhenchangingtheconfigurationoftheresistiveheatingsysteminhighpressurecubictypedevices AT burčenâandríj formationofdiamondsinglecrystalswhenchangingtheconfigurationoftheresistiveheatingsysteminhighpressurecubictypedevices AT kovalenkotetâna formationofdiamondsinglecrystalswhenchangingtheconfigurationoftheresistiveheatingsysteminhighpressurecubictypedevices AT strelʹčukvíktor formationofdiamondsinglecrystalswhenchangingtheconfigurationoftheresistiveheatingsysteminhighpressurecubictypedevices AT níkolenkoandríj formationofdiamondsinglecrystalswhenchangingtheconfigurationoftheresistiveheatingsysteminhighpressurecubictypedevices AT ívančenkosergíj formationofdiamondsinglecrystalswhenchangingtheconfigurationoftheresistiveheatingsysteminhighpressurecubictypedevices AT marčenkoanton formationofdiamondsinglecrystalswhenchangingtheconfigurationoftheresistiveheatingsysteminhighpressurecubictypedevices AT lisakovsʹkijvalentin formoutvorennâmonokristalívalmazuprizmíníkonfíguracíírezistivnoísisteminagrívuvaparatahvisokogotisukubíčnogotipu AT ívahnenkosergíj formoutvorennâmonokristalívalmazuprizmíníkonfíguracíírezistivnoísisteminagrívuvaparatahvisokogotisukubíčnogotipu AT burčenâandríj formoutvorennâmonokristalívalmazuprizmíníkonfíguracíírezistivnoísisteminagrívuvaparatahvisokogotisukubíčnogotipu AT kovalenkotetâna formoutvorennâmonokristalívalmazuprizmíníkonfíguracíírezistivnoísisteminagrívuvaparatahvisokogotisukubíčnogotipu AT strelʹčukvíktor formoutvorennâmonokristalívalmazuprizmíníkonfíguracíírezistivnoísisteminagrívuvaparatahvisokogotisukubíčnogotipu AT níkolenkoandríj formoutvorennâmonokristalívalmazuprizmíníkonfíguracíírezistivnoísisteminagrívuvaparatahvisokogotisukubíčnogotipu AT ívančenkosergíj formoutvorennâmonokristalívalmazuprizmíníkonfíguracíírezistivnoísisteminagrívuvaparatahvisokogotisukubíčnogotipu AT marčenkoanton formoutvorennâmonokristalívalmazuprizmíníkonfíguracíírezistivnoísisteminagrívuvaparatahvisokogotisukubíčnogotipu |