ЗАКОНОМІРНОСТІ ЕЛЕКТОІСКРОВОГО СПІКАННЯ КОМПОЗИТІВ СИСТЕМ SІC – TIC, SIC – VC
The kinetic regularities of electric spark sintering of SiC-TiC, SiC-VC composites at a pressure of 45 MPa and temperatures of 1900 and 2000 °C have been established. At the first stage of the composite compaction process, the addition of TiC, VC impurities in the amount of 20 vol.% to silicon carbi...
        Збережено в:
      
    
    
    
          | Дата: | 2025 | 
|---|---|
| Автори: | , , , , , | 
| Формат: | Стаття | 
| Мова: | Ukrainian | 
| Опубліковано: | 
        
      Институт сверхтвердых материалов им. В. Н. Бакуля Национальной академии наук Украины    
    
      2025
     | 
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://altis-ism.org.ua/index.php/ALTIS/article/view/394 | 
| Теги: | 
       Додати тег    
     
      Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
   
 | 
| Назва журналу: | Tooling materials science | 
Репозитарії
Tooling materials science| id | 
                  oai:ojs2.altis-ism.org.ua:article-394 | 
    
|---|---|
| record_format | 
                  ojs | 
    
| spelling | 
                  oai:ojs2.altis-ism.org.ua:article-3942025-08-13T12:10:12Z REGULARITIES OF ELECTROSPARK SINTERING OF COMPOSITES OF SIC - TIC, SIC - VC SYSTEMS ЗАКОНОМІРНОСТІ ЕЛЕКТОІСКРОВОГО СПІКАННЯ КОМПОЗИТІВ СИСТЕМ SІC – TIC, SIC – VC Iвженко, Вячеслав Геворкян, Едвiн Косенчук, Тамара Чишкала, Володимир Чернявський, Вадим Шамсутдінова, Наталія silicon carbide, boron carbide, titanium carbide, electric spark sintering, temperature, compaction, structure, porosity, crack resistance, wear resistance карбід кремнію, карбід бору, карбід титану, електроіскрове спікання, температура, ущільнення, структура, пористість, тріщиностійкість, зносостійкість The kinetic regularities of electric spark sintering of SiC-TiC, SiC-VC composites at a pressure of 45 MPa and temperatures of 1900 and 2000 °C have been established. At the first stage of the composite compaction process, the addition of TiC, VC impurities in the amount of 20 vol.% to silicon carbide with a dispersion of 2 μm increases the compaction rate by 1.3 and 1.1 times, respectively, the addition of Ti, V carbides in the amount of 40 vol.% increases the compaction rate by 1.7 and 1.2 times, respectively. At the second stage of the compaction process, when Ti, V carbides are added in the amount of 40 vol.%, the compaction increases from 70 % in silicon carbide to 99.9 % in the 60 SiC-40 TiC composite and 91.2 % in the 60 SiC-40 VC composite. Solid-phase sintering in composites with an admixture of titanium carbide is better than in composites with an admixture of vanadium carbide due to an increase in interaction at the phase boundaries: the interaction zone increases from ~ 1.0 μm at the boundaries of silicon carbide and vanadium carbide grains to ~ 1.5 μm at the boundaries of silicon carbide and titanium carbide grains. Встановлені кінетичні закономірності електроіскрового спікання композитів SiС–TiС, SiС–VС при тиску 45 МПа і температурах 1900, 2000ºС. На першій стадії процесу ущільнення композитів додавання до карбіду кремнію дисперсністю 2 мкм домішок TiС, VС в кількості 20 об.% збільшує швидкість ущільнення відповідно в 1,3 та 1,1 рази, додавання карбідів Ti, V в кількості 40 об.% збільшує швидкість ущільнення відповідно в 1,7 та 1,2 рази. На другій стадії процесу ущільнення при додаванні карбідів Ti, V в кількості 40 об.% ущільнення збільшується з ~70% в карбіді кремнію до 99,9% в композиті 60 SiС–40 TiС та 91,2% в композиті 60 SiС–40 VС. Твердофазне спікання в композитах з домішкою карбіду титану краще, ніж в композитах з домішкою карбіду ванадію за рахунок збільшення взаємодії на границях фаз: зона взаємодії підвищується з ~ 1,0 мкм на границях зерен карбіду кремнію і карбіду ванадію до ~ 1,5 мкм на границях зерен карбіду кремнію і карбіду титану. Институт сверхтвердых материалов им. В. Н. Бакуля Национальной академии наук Украины 2025-04-24 Article Article application/pdf http://altis-ism.org.ua/index.php/ALTIS/article/view/394 Інструментальне матеріалознавство; Том 27 № 1 (2024): Інструментальне матеріалознавство; 373-386 Инструментальное материаловедение; Том 27 № 1 (2024): Інструментальне матеріалознавство; 373-386 Tooling materials science; Vol 27 No 1 (2024): Tooling materials science; 373-386 2708-7328 2708-731X uk http://altis-ism.org.ua/index.php/ALTIS/article/view/394/359 Авторське право (c) 2025 Інструментальне матеріалознавство | 
    
| institution | 
                  Tooling materials science | 
    
| baseUrl_str | 
                   | 
    
| datestamp_date | 
                  2025-08-13T12:10:12Z | 
    
| collection | 
                  OJS | 
    
| language | 
                  Ukrainian | 
    
| topic | 
                  карбід кремнію карбід бору карбід титану електроіскрове спікання температура ущільнення структура пористість тріщиностійкість зносостійкість  | 
    
| spellingShingle | 
                  карбід кремнію карбід бору карбід титану електроіскрове спікання температура ущільнення структура пористість тріщиностійкість зносостійкість Iвженко, Вячеслав Геворкян, Едвiн Косенчук, Тамара Чишкала, Володимир Чернявський, Вадим Шамсутдінова, Наталія ЗАКОНОМІРНОСТІ ЕЛЕКТОІСКРОВОГО СПІКАННЯ КОМПОЗИТІВ СИСТЕМ SІC – TIC, SIC – VC  | 
    
| topic_facet | 
                  silicon carbide boron carbide titanium carbide electric spark sintering temperature compaction structure porosity crack resistance wear resistance карбід кремнію карбід бору карбід титану електроіскрове спікання температура ущільнення структура пористість тріщиностійкість зносостійкість  | 
    
| format | 
                  Article | 
    
| author | 
                  Iвженко, Вячеслав Геворкян, Едвiн Косенчук, Тамара Чишкала, Володимир Чернявський, Вадим Шамсутдінова, Наталія  | 
    
| author_facet | 
                  Iвженко, Вячеслав Геворкян, Едвiн Косенчук, Тамара Чишкала, Володимир Чернявський, Вадим Шамсутдінова, Наталія  | 
    
| author_sort | 
                  Iвженко, Вячеслав | 
    
| title | 
                  ЗАКОНОМІРНОСТІ ЕЛЕКТОІСКРОВОГО СПІКАННЯ КОМПОЗИТІВ СИСТЕМ SІC – TIC, SIC – VC | 
    
| title_short | 
                  ЗАКОНОМІРНОСТІ ЕЛЕКТОІСКРОВОГО СПІКАННЯ КОМПОЗИТІВ СИСТЕМ SІC – TIC, SIC – VC | 
    
| title_full | 
                  ЗАКОНОМІРНОСТІ ЕЛЕКТОІСКРОВОГО СПІКАННЯ КОМПОЗИТІВ СИСТЕМ SІC – TIC, SIC – VC | 
    
| title_fullStr | 
                  ЗАКОНОМІРНОСТІ ЕЛЕКТОІСКРОВОГО СПІКАННЯ КОМПОЗИТІВ СИСТЕМ SІC – TIC, SIC – VC | 
    
| title_full_unstemmed | 
                  ЗАКОНОМІРНОСТІ ЕЛЕКТОІСКРОВОГО СПІКАННЯ КОМПОЗИТІВ СИСТЕМ SІC – TIC, SIC – VC | 
    
| title_sort | 
                  закономірності електоіскрового спікання композитів систем sіc – tic, sic – vc | 
    
| title_alt | 
                  REGULARITIES OF ELECTROSPARK SINTERING OF COMPOSITES OF SIC - TIC, SIC - VC SYSTEMS | 
    
| description | 
                  The kinetic regularities of electric spark sintering of SiC-TiC, SiC-VC composites at a pressure of 45 MPa and temperatures of 1900 and 2000 °C have been established. At the first stage of the composite compaction process, the addition of TiC, VC impurities in the amount of 20 vol.% to silicon carbide with a dispersion of 2 μm increases the compaction rate by 1.3 and 1.1 times, respectively, the addition of Ti, V carbides in the amount of 40 vol.% increases the compaction rate by 1.7 and 1.2 times, respectively. At the second stage of the compaction process, when Ti, V carbides are added in the amount of 40 vol.%, the compaction increases from 70 % in silicon carbide to 99.9 % in the 60 SiC-40 TiC composite and 91.2 % in the 60 SiC-40 VC composite. Solid-phase sintering in composites with an admixture of titanium carbide is better than in composites with an admixture of vanadium carbide due to an increase in interaction at the phase boundaries: the interaction zone increases from ~ 1.0 μm at the boundaries of silicon carbide and vanadium carbide grains to ~ 1.5 μm at the boundaries of silicon carbide and titanium carbide grains. | 
    
| publisher | 
                  Институт сверхтвердых материалов им. В. Н. Бакуля Национальной академии наук Украины | 
    
| publishDate | 
                  2025 | 
    
| url | 
                  http://altis-ism.org.ua/index.php/ALTIS/article/view/394 | 
    
| work_keys_str_mv | 
                  AT ivženkovâčeslav regularitiesofelectrosparksinteringofcompositesofsicticsicvcsystems AT gevorkânedvin regularitiesofelectrosparksinteringofcompositesofsicticsicvcsystems AT kosenčuktamara regularitiesofelectrosparksinteringofcompositesofsicticsicvcsystems AT čiškalavolodimir regularitiesofelectrosparksinteringofcompositesofsicticsicvcsystems AT černâvsʹkijvadim regularitiesofelectrosparksinteringofcompositesofsicticsicvcsystems AT šamsutdínovanatalíâ regularitiesofelectrosparksinteringofcompositesofsicticsicvcsystems AT ivženkovâčeslav zakonomírnostíelektoískrovogospíkannâkompozitívsistemsícticsicvc AT gevorkânedvin zakonomírnostíelektoískrovogospíkannâkompozitívsistemsícticsicvc AT kosenčuktamara zakonomírnostíelektoískrovogospíkannâkompozitívsistemsícticsicvc AT čiškalavolodimir zakonomírnostíelektoískrovogospíkannâkompozitívsistemsícticsicvc AT černâvsʹkijvadim zakonomírnostíelektoískrovogospíkannâkompozitívsistemsícticsicvc AT šamsutdínovanatalíâ zakonomírnostíelektoískrovogospíkannâkompozitívsistemsícticsicvc  | 
    
| first_indexed | 
                  2025-09-24T17:42:13Z | 
    
| last_indexed | 
                  2025-09-24T17:42:13Z | 
    
| _version_ | 
                  1847825384590016512 |