ЗАСТОСУВАННЯ ШЕСТИПУАНСОННОЇ АПАРАТУРИ ВИСОКОГО ТИСКУ ДЛЯ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ТИПУ IB З МЕТОЮ ВИГОТОВЛЕННЯ ПЛАСТИН ПЛОЩЕЮ 80 – 100 ММ2
Досліджено методи отримання структурно досконалих монокристалів алмазу, які за формою та розмірами дозволяють виготовлення алмазні пластини площею до 100 мм2 та подальшого використання як ініціюючих CVD-кристалізацію алмазних поверхонь. Розроблено ростові комірки для отримання монокристалічних зразк...
Збережено в:
| Дата: | 2025 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Институт сверхтвердых материалов им. В. Н. Бакуля Национальной академии наук Украины
2025
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://altis-ism.org.ua/index.php/ALTIS/article/view/437 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Tooling materials science |
Репозитарії
Tooling materials science| _version_ | 1860742117910904832 |
|---|---|
| author | Бурченя , Андрій Іванченко, Сергій Лисаковський, Валентин Коваленко, Тетяна Заневській, Олег Івахненко, Сергій |
| author_facet | Бурченя , Андрій Іванченко, Сергій Лисаковський, Валентин Коваленко, Тетяна Заневській, Олег Івахненко, Сергій |
| author_sort | Бурченя , Андрій |
| baseUrl_str | http://altis-ism.org.ua/index.php/ALTIS/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-03-26T08:19:14Z |
| description | Досліджено методи отримання структурно досконалих монокристалів алмазу, які за формою та розмірами дозволяють виготовлення алмазні пластини площею до 100 мм2 та подальшого використання як ініціюючих CVD-кристалізацію алмазних поверхонь.
Розроблено ростові комірки для отримання монокристалічних зразків великого об’єму  шляхом НТНР-кристалізації в області термодинамічної стабільності; оптимізовані склади ростових систем для отримання кристалів типу Ib  на базі розчинників Fe-Ni, Fe-Co та  Fe-Co-Mg.
Розроблено методи для проведення операцій механічного розколювання, розпилювання та шліфування в залежності від габітусної форми кристалів, наявності та розташування дефектів структури;  випробувано їх використання для виготовлення пластин необхідної форми та кристалографічної орієнтації з метою їх застосування в якості ініціюючих підкладинок для проведення CVD-процесів кристалізації алмазу.
              Результати досліджень, виконаних в результаті проведення роботи, мають бути застосовані для CVD-осадження вуглецю для отримання алмазних поверхонь з метою використання як ініціюючих кристалізацію при одержані плівок. |
| first_indexed | 2026-03-26T16:19:27Z |
| format | Article |
| id | oai:ojs2.altis-ism.org.ua:article-437 |
| institution | Tooling materials science |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-03-26T16:19:27Z |
| publishDate | 2025 |
| publisher | Институт сверхтвердых материалов им. В. Н. Бакуля Национальной академии наук Украины |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:ojs2.altis-ism.org.ua:article-4372026-03-26T08:19:14Z ЗАСТОСУВАННЯ ШЕСТИПУАНСОННОЇ АПАРАТУРИ ВИСОКОГО ТИСКУ ДЛЯ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ТИПУ IB З МЕТОЮ ВИГОТОВЛЕННЯ ПЛАСТИН ПЛОЩЕЮ 80 – 100 ММ2 APPLICATION OF SIX-PUNCH HIGH-PRESSURE APPARATUS FOR GROWTH IB TYPE DIAMOND SINGLE CRYSTALS FOR THE PURPOSE OF MANUFACTURING PLATES WITH AN AREA OF 80 – 100 MM2 Бурченя , Андрій Іванченко, Сергій Лисаковський, Валентин Коваленко, Тетяна Заневській, Олег Івахненко, Сергій diamond, single crystal, growth rate, kinetics, crystallization, impurities, defects, diamond plates, CVD processes. алмаз, монокристал, швидкість росту, кінетика, кристалізація, домішки, дефекти, алмазні пластини, CVD-процеси. Досліджено методи отримання структурно досконалих монокристалів алмазу, які за формою та розмірами дозволяють виготовлення алмазні пластини площею до 100 мм2 та подальшого використання як ініціюючих CVD-кристалізацію алмазних поверхонь. Розроблено ростові комірки для отримання монокристалічних зразків великого об’єму  шляхом НТНР-кристалізації в області термодинамічної стабільності; оптимізовані склади ростових систем для отримання кристалів типу Ib  на базі розчинників Fe-Ni, Fe-Co та  Fe-Co-Mg. Розроблено методи для проведення операцій механічного розколювання, розпилювання та шліфування в залежності від габітусної форми кристалів, наявності та розташування дефектів структури;  випробувано їх використання для виготовлення пластин необхідної форми та кристалографічної орієнтації з метою їх застосування в якості ініціюючих підкладинок для проведення CVD-процесів кристалізації алмазу.               Результати досліджень, виконаних в результаті проведення роботи, мають бути застосовані для CVD-осадження вуглецю для отримання алмазних поверхонь з метою використання як ініціюючих кристалізацію при одержані плівок. Methods for obtaining structurally perfect diamond single crystals, which in shape and size allow the manufacture of diamond plates with an area of up to 100 mm2 and their further use as initiators of CVD crystallization of diamond surfaces, have been investigated. Growth cells have been developed to obtain large-volume single-crystal samples by HTNR crystallization in the thermodynamic stability region; the compositions of growth systems have been optimized to obtain type Ib crystals based on Fe-Ni, Fe-Co, and Fe-Co-Mg solvents. Methods have been developed for performing mechanical splitting, sawing, and grinding operations depending on the crystal habit shape, the presence and location of structural defects; their use was tested for the manufacture of plates of the required shape and crystallographic orientation with the aim of using them as initiating substrates for CVD processes of diamond crystallization. The results of the research carried out as a result of the work should be applied to CVD carbon deposition to obtain diamond surfaces for use as crystallization initiators in the production of films. Keywords: diamond, single crystal, growth rate, kinetics, crystallization, impurities, defects, diamond plates, CVD processes. Институт сверхтвердых материалов им. В. Н. Бакуля Национальной академии наук Украины 2025-11-21 Article Article application/pdf http://altis-ism.org.ua/index.php/ALTIS/article/view/437 Інструментальне матеріалознавство; Том 1 № 28 (2025): Інструментальне матеріалознавство; 182-190 Инструментальное материаловедение; Том 1 № 28 (2025): Інструментальне матеріалознавство; 182-190 Tooling materials science; Vol 1 No 28 (2025): Tooling materials Science; 182-190 2708-7328 2708-731X uk http://altis-ism.org.ua/index.php/ALTIS/article/view/437/365 Авторське право (c) 2025 Інструментальне матеріалознавство |
| spellingShingle | алмаз монокристал швидкість росту кінетика кристалізація домішки дефекти алмазні пластини CVD-процеси. Бурченя , Андрій Іванченко, Сергій Лисаковський, Валентин Коваленко, Тетяна Заневській, Олег Івахненко, Сергій ЗАСТОСУВАННЯ ШЕСТИПУАНСОННОЇ АПАРАТУРИ ВИСОКОГО ТИСКУ ДЛЯ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ТИПУ IB З МЕТОЮ ВИГОТОВЛЕННЯ ПЛАСТИН ПЛОЩЕЮ 80 – 100 ММ2 |
| title | ЗАСТОСУВАННЯ ШЕСТИПУАНСОННОЇ АПАРАТУРИ ВИСОКОГО ТИСКУ ДЛЯ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ТИПУ IB З МЕТОЮ ВИГОТОВЛЕННЯ ПЛАСТИН ПЛОЩЕЮ 80 – 100 ММ2 |
| title_alt | APPLICATION OF SIX-PUNCH HIGH-PRESSURE APPARATUS FOR GROWTH IB TYPE DIAMOND SINGLE CRYSTALS FOR THE PURPOSE OF MANUFACTURING PLATES WITH AN AREA OF 80 – 100 MM2 |
| title_full | ЗАСТОСУВАННЯ ШЕСТИПУАНСОННОЇ АПАРАТУРИ ВИСОКОГО ТИСКУ ДЛЯ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ТИПУ IB З МЕТОЮ ВИГОТОВЛЕННЯ ПЛАСТИН ПЛОЩЕЮ 80 – 100 ММ2 |
| title_fullStr | ЗАСТОСУВАННЯ ШЕСТИПУАНСОННОЇ АПАРАТУРИ ВИСОКОГО ТИСКУ ДЛЯ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ТИПУ IB З МЕТОЮ ВИГОТОВЛЕННЯ ПЛАСТИН ПЛОЩЕЮ 80 – 100 ММ2 |
| title_full_unstemmed | ЗАСТОСУВАННЯ ШЕСТИПУАНСОННОЇ АПАРАТУРИ ВИСОКОГО ТИСКУ ДЛЯ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ТИПУ IB З МЕТОЮ ВИГОТОВЛЕННЯ ПЛАСТИН ПЛОЩЕЮ 80 – 100 ММ2 |
| title_short | ЗАСТОСУВАННЯ ШЕСТИПУАНСОННОЇ АПАРАТУРИ ВИСОКОГО ТИСКУ ДЛЯ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ТИПУ IB З МЕТОЮ ВИГОТОВЛЕННЯ ПЛАСТИН ПЛОЩЕЮ 80 – 100 ММ2 |
| title_sort | застосування шестипуансонної апаратури високого тиску для вирощування монокристалів алмазу типу ib з метою виготовлення пластин площею 80 – 100 мм2 |
| topic | алмаз монокристал швидкість росту кінетика кристалізація домішки дефекти алмазні пластини CVD-процеси. |
| topic_facet | diamond single crystal growth rate kinetics crystallization impurities defects diamond plates CVD processes. алмаз монокристал швидкість росту кінетика кристалізація домішки дефекти алмазні пластини CVD-процеси. |
| url | http://altis-ism.org.ua/index.php/ALTIS/article/view/437 |
| work_keys_str_mv | AT burčenâandríj zastosuvannâšestipuansonnoíaparaturivisokogotiskudlâviroŝuvannâmonokristalívalmazutipuibzmetoûvigotovlennâplastinploŝeû80100mm2 AT ívančenkosergíj zastosuvannâšestipuansonnoíaparaturivisokogotiskudlâviroŝuvannâmonokristalívalmazutipuibzmetoûvigotovlennâplastinploŝeû80100mm2 AT lisakovsʹkijvalentin zastosuvannâšestipuansonnoíaparaturivisokogotiskudlâviroŝuvannâmonokristalívalmazutipuibzmetoûvigotovlennâplastinploŝeû80100mm2 AT kovalenkotetâna zastosuvannâšestipuansonnoíaparaturivisokogotiskudlâviroŝuvannâmonokristalívalmazutipuibzmetoûvigotovlennâplastinploŝeû80100mm2 AT zanevsʹkíjoleg zastosuvannâšestipuansonnoíaparaturivisokogotiskudlâviroŝuvannâmonokristalívalmazutipuibzmetoûvigotovlennâplastinploŝeû80100mm2 AT ívahnenkosergíj zastosuvannâšestipuansonnoíaparaturivisokogotiskudlâviroŝuvannâmonokristalívalmazutipuibzmetoûvigotovlennâplastinploŝeû80100mm2 AT burčenâandríj applicationofsixpunchhighpressureapparatusforgrowthibtypediamondsinglecrystalsforthepurposeofmanufacturingplateswithanareaof80100mm2 AT ívančenkosergíj applicationofsixpunchhighpressureapparatusforgrowthibtypediamondsinglecrystalsforthepurposeofmanufacturingplateswithanareaof80100mm2 AT lisakovsʹkijvalentin applicationofsixpunchhighpressureapparatusforgrowthibtypediamondsinglecrystalsforthepurposeofmanufacturingplateswithanareaof80100mm2 AT kovalenkotetâna applicationofsixpunchhighpressureapparatusforgrowthibtypediamondsinglecrystalsforthepurposeofmanufacturingplateswithanareaof80100mm2 AT zanevsʹkíjoleg applicationofsixpunchhighpressureapparatusforgrowthibtypediamondsinglecrystalsforthepurposeofmanufacturingplateswithanareaof80100mm2 AT ívahnenkosergíj applicationofsixpunchhighpressureapparatusforgrowthibtypediamondsinglecrystalsforthepurposeofmanufacturingplateswithanareaof80100mm2 |