ВПЛИВ ТЕПЛОПРОВІДНОСТІ ПРЕКУРСОРІВ І ЇХ РОЗЧИННИКІВ НА ТЕПЛОВИЙ СТАН КОМІРКИ АПАРАТА ВИСОКОГО ТИСКУ ПРИ КРИСТАЛІЗАЦІЇ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК СИСТЕМИ AIIIBV
За допомогою комп’ютерного моделювання досліджено тепловий стан комірки апарата високого тиску (АВТ), призначеної для вирощування кристалів InGaN. Розглянуто три типи розчинників: Fe, Fe3N та CoCr. Проаналізовано вплив використання підкладки з Al2O3 на розподіл температури та градієнта температури в...
Saved in:
| Date: | 2025 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Институт сверхтвердых материалов им. В. Н. Бакуля Национальной академии наук Украины
2025
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://altis-ism.org.ua/index.php/ALTIS/article/view/443 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Tooling materials science |
Institution
Tooling materials science| _version_ | 1860742117903564800 |
|---|---|
| author | Людвіченко, Олексій Лєщук, Олександр Гордєєв, Сергій Анісін, Олександр |
| author_facet | Людвіченко, Олексій Лєщук, Олександр Гордєєв, Сергій Анісін, Олександр |
| author_sort | Людвіченко, Олексій |
| baseUrl_str | http://altis-ism.org.ua/index.php/ALTIS/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-03-26T08:19:14Z |
| description | За допомогою комп’ютерного моделювання досліджено тепловий стан комірки апарата високого тиску (АВТ), призначеної для вирощування кристалів InGaN. Розглянуто три типи розчинників: Fe, Fe3N та CoCr. Проаналізовано вплив використання підкладки з Al2O3 на розподіл температури та градієнта температури в комірці. Встановлено, що застосування підкладки з Al2O3 зменшує значення ΔTmax, ΔTz та gradT для всіх розглянутих випадків. Мінімум неоднорідності температурних полів досягається при використанні розчинника CoCr у поєднанні з підкладкою Al2O3 (ΔTmax = 45 °С, ΔTz = 15 °С; gradT = 0,1–6,8 °С/мм). У випадку використання розчинника Fe3N необхідно модернізувати електрорезистивну систему АВТ, оскільки за розрахунками gradT перевищує 10 °С/мм. |
| first_indexed | 2026-03-26T16:19:27Z |
| format | Article |
| id | oai:ojs2.altis-ism.org.ua:article-443 |
| institution | Tooling materials science |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-03-26T16:19:27Z |
| publishDate | 2025 |
| publisher | Институт сверхтвердых материалов им. В. Н. Бакуля Национальной академии наук Украины |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:ojs2.altis-ism.org.ua:article-4432026-03-26T08:19:14Z ВПЛИВ ТЕПЛОПРОВІДНОСТІ ПРЕКУРСОРІВ І ЇХ РОЗЧИННИКІВ НА ТЕПЛОВИЙ СТАН КОМІРКИ АПАРАТА ВИСОКОГО ТИСКУ ПРИ КРИСТАЛІЗАЦІЇ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК СИСТЕМИ AIIIBV THE EFFECT OF THE THERMAL CONDUCTIVITY OF PRECURSORS AND ITS SOLVENTS ON THE THERMAL STATE OF THE HIGH-PRESSURE APPARATUS CELL DURING CRYSTALLIZATION OF SEMICONDUCTOR COMPOUNDS OF THE AIIIBV SYSTEM Влияние теплопроводности прекурсоров и их растворителей на тепловое состояние ячейки аппарата высокого давления при кристаллизации полупроводниковых соединений системы AIIIBV Людвіченко, Олексій Лєщук, Олександр Гордєєв, Сергій Анісін, Олександр solvent, InGaN crystallization, high-pressure apparatus (HPA), cell, thermal state, computer modeling розчинник, кристалізація InGaN, апарат високого тиску (АВТ), комірка, тепловий стан, комп’ютерне моделювання За допомогою комп’ютерного моделювання досліджено тепловий стан комірки апарата високого тиску (АВТ), призначеної для вирощування кристалів InGaN. Розглянуто три типи розчинників: Fe, Fe3N та CoCr. Проаналізовано вплив використання підкладки з Al2O3 на розподіл температури та градієнта температури в комірці. Встановлено, що застосування підкладки з Al2O3 зменшує значення ΔTmax, ΔTz та gradT для всіх розглянутих випадків. Мінімум неоднорідності температурних полів досягається при використанні розчинника CoCr у поєднанні з підкладкою Al2O3 (ΔTmax = 45 °С, ΔTz = 15 °С; gradT = 0,1–6,8 °С/мм). У випадку використання розчинника Fe3N необхідно модернізувати електрорезистивну систему АВТ, оскільки за розрахунками gradT перевищує 10 °С/мм. Computer modeling was used to study the thermal state of the high-pressure apparatus (HPA) cell designed for growing InGaN crystals. Three types of solvents were considered: Fe, Fe3N, and CoCr. The effect of using an Al₂O₃ substrate on the temperature distribution and temperature gradient in the cell was analyzed. It was found that the use of an Al₂O₃ substrate reduces the values of ΔTmax, ΔTz, and gradT for all cases considered. The minimum temperature field heterogeneity is achieved when using a CoCr solvent in combination with an Al₂O₃ substrate (ΔTmax = 45 °C, ΔTz = 15 °C; gradT = 0.1–6.8 °C/mm). When using Fe3N as a solvent, it is necessary to upgrade the HPA electrical resistance system, since according to calculations, gradT exceeds 10 °C/mm. Институт сверхтвердых материалов им. В. Н. Бакуля Национальной академии наук Украины 2025-11-21 Article Article application/pdf http://altis-ism.org.ua/index.php/ALTIS/article/view/443 Інструментальне матеріалознавство; Том 1 № 28 (2025): Інструментальне матеріалознавство; 217-227 Инструментальное материаловедение; Том 1 № 28 (2025): Інструментальне матеріалознавство; 217-227 Tooling materials science; Vol 1 No 28 (2025): Tooling materials Science; 217-227 2708-7328 2708-731X uk http://altis-ism.org.ua/index.php/ALTIS/article/view/443/375 Авторське право (c) 2025 Інструментальне матеріалознавство |
| spellingShingle | розчинник кристалізація InGaN апарат високого тиску (АВТ) комірка тепловий стан комп’ютерне моделювання Людвіченко, Олексій Лєщук, Олександр Гордєєв, Сергій Анісін, Олександр ВПЛИВ ТЕПЛОПРОВІДНОСТІ ПРЕКУРСОРІВ І ЇХ РОЗЧИННИКІВ НА ТЕПЛОВИЙ СТАН КОМІРКИ АПАРАТА ВИСОКОГО ТИСКУ ПРИ КРИСТАЛІЗАЦІЇ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК СИСТЕМИ AIIIBV |
| title | ВПЛИВ ТЕПЛОПРОВІДНОСТІ ПРЕКУРСОРІВ І ЇХ РОЗЧИННИКІВ НА ТЕПЛОВИЙ СТАН КОМІРКИ АПАРАТА ВИСОКОГО ТИСКУ ПРИ КРИСТАЛІЗАЦІЇ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК СИСТЕМИ AIIIBV |
| title_alt | THE EFFECT OF THE THERMAL CONDUCTIVITY OF PRECURSORS AND ITS SOLVENTS ON THE THERMAL STATE OF THE HIGH-PRESSURE APPARATUS CELL DURING CRYSTALLIZATION OF SEMICONDUCTOR COMPOUNDS OF THE AIIIBV SYSTEM Влияние теплопроводности прекурсоров и их растворителей на тепловое состояние ячейки аппарата высокого давления при кристаллизации полупроводниковых соединений системы AIIIBV |
| title_full | ВПЛИВ ТЕПЛОПРОВІДНОСТІ ПРЕКУРСОРІВ І ЇХ РОЗЧИННИКІВ НА ТЕПЛОВИЙ СТАН КОМІРКИ АПАРАТА ВИСОКОГО ТИСКУ ПРИ КРИСТАЛІЗАЦІЇ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК СИСТЕМИ AIIIBV |
| title_fullStr | ВПЛИВ ТЕПЛОПРОВІДНОСТІ ПРЕКУРСОРІВ І ЇХ РОЗЧИННИКІВ НА ТЕПЛОВИЙ СТАН КОМІРКИ АПАРАТА ВИСОКОГО ТИСКУ ПРИ КРИСТАЛІЗАЦІЇ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК СИСТЕМИ AIIIBV |
| title_full_unstemmed | ВПЛИВ ТЕПЛОПРОВІДНОСТІ ПРЕКУРСОРІВ І ЇХ РОЗЧИННИКІВ НА ТЕПЛОВИЙ СТАН КОМІРКИ АПАРАТА ВИСОКОГО ТИСКУ ПРИ КРИСТАЛІЗАЦІЇ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК СИСТЕМИ AIIIBV |
| title_short | ВПЛИВ ТЕПЛОПРОВІДНОСТІ ПРЕКУРСОРІВ І ЇХ РОЗЧИННИКІВ НА ТЕПЛОВИЙ СТАН КОМІРКИ АПАРАТА ВИСОКОГО ТИСКУ ПРИ КРИСТАЛІЗАЦІЇ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК СИСТЕМИ AIIIBV |
| title_sort | вплив теплопровідності прекурсорів і їх розчинників на тепловий стан комірки апарата високого тиску при кристалізації напівпровідникових сполук системи aiiibv |
| topic | розчинник кристалізація InGaN апарат високого тиску (АВТ) комірка тепловий стан комп’ютерне моделювання |
| topic_facet | solvent InGaN crystallization high-pressure apparatus (HPA) cell thermal state computer modeling розчинник кристалізація InGaN апарат високого тиску (АВТ) комірка тепловий стан комп’ютерне моделювання |
| url | http://altis-ism.org.ua/index.php/ALTIS/article/view/443 |
| work_keys_str_mv | AT lûdvíčenkooleksíj vplivteploprovídnostíprekursorívííhrozčinnikívnateplovijstankomírkiaparatavisokogotiskuprikristalízacíínapívprovídnikovihspoluksistemiaiiibv AT lêŝukoleksandr vplivteploprovídnostíprekursorívííhrozčinnikívnateplovijstankomírkiaparatavisokogotiskuprikristalízacíínapívprovídnikovihspoluksistemiaiiibv AT gordêêvsergíj vplivteploprovídnostíprekursorívííhrozčinnikívnateplovijstankomírkiaparatavisokogotiskuprikristalízacíínapívprovídnikovihspoluksistemiaiiibv AT anísínoleksandr vplivteploprovídnostíprekursorívííhrozčinnikívnateplovijstankomírkiaparatavisokogotiskuprikristalízacíínapívprovídnikovihspoluksistemiaiiibv AT lûdvíčenkooleksíj theeffectofthethermalconductivityofprecursorsanditssolventsonthethermalstateofthehighpressureapparatuscellduringcrystallizationofsemiconductorcompoundsoftheaiiibvsystem AT lêŝukoleksandr theeffectofthethermalconductivityofprecursorsanditssolventsonthethermalstateofthehighpressureapparatuscellduringcrystallizationofsemiconductorcompoundsoftheaiiibvsystem AT gordêêvsergíj theeffectofthethermalconductivityofprecursorsanditssolventsonthethermalstateofthehighpressureapparatuscellduringcrystallizationofsemiconductorcompoundsoftheaiiibvsystem AT anísínoleksandr theeffectofthethermalconductivityofprecursorsanditssolventsonthethermalstateofthehighpressureapparatuscellduringcrystallizationofsemiconductorcompoundsoftheaiiibvsystem AT lûdvíčenkooleksíj vliânieteploprovodnostiprekursoroviihrastvoritelejnateplovoesostoânieâčejkiapparatavysokogodavleniâprikristallizaciipoluprovodnikovyhsoedinenijsistemyaiiibv AT lêŝukoleksandr vliânieteploprovodnostiprekursoroviihrastvoritelejnateplovoesostoânieâčejkiapparatavysokogodavleniâprikristallizaciipoluprovodnikovyhsoedinenijsistemyaiiibv AT gordêêvsergíj vliânieteploprovodnostiprekursoroviihrastvoritelejnateplovoesostoânieâčejkiapparatavysokogodavleniâprikristallizaciipoluprovodnikovyhsoedinenijsistemyaiiibv AT anísínoleksandr vliânieteploprovodnostiprekursoroviihrastvoritelejnateplovoesostoânieâčejkiapparatavysokogodavleniâprikristallizaciipoluprovodnikovyhsoedinenijsistemyaiiibv |