Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію: За матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 року
A numerical procedure for calculating the current-voltage characteristics was developed, which was applied to the analysis of an InSb diode with a p-n junction, and the optimal doping profile of an electrically active impurity was determined. It has been shown that to achieve a high efficiency of ph...
Збережено в:
| Дата: | 2023 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Видавничий дім "Академперіодика"
2023
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasu-periodicals.org.ua/index.php/visnyk/article/view/780 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Visnyk of the National Academy of Sciences of Ukraine |
Репозитарії
Visnyk of the National Academy of Sciences of Ukraine| id |
oai:ojs2.nasu-periodicals.org.ua:article-780 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:ojs2.nasu-periodicals.org.ua:article-7802024-03-19T20:13:38Z Mass spectrometric studies in the technology of manufacturing multi-element IR photodetectors based on indium antimonide: According to the materials of report at the meeting of the Presidium of the NAS of Ukraine, December 28, 2022 Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію: За матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 року Дубіковський, Олександр Володимирович IR photodetector secondary ion mass spectrometry ion doping multilayer nanostructures ІЧ-фотоприймач мас-спектрометрія вторинних іонів іонне легування багатошарові наноструктури A numerical procedure for calculating the current-voltage characteristics was developed, which was applied to the analysis of an InSb diode with a p-n junction, and the optimal doping profile of an electrically active impurity was determined. It has been shown that to achieve a high efficiency of photodetection, it is necessary to use multi-energy ion implantation with energies from 20 to 200 keV. The corresponding technology was implemented, and secondary ion mass spectrometry methods were used at different stages of the process, which made it possible to adjust the technological parameters, in particular, control the impurity distribution profiles. It has been established that oxides of indium and antimonide, as well as segregation of antimonide, lead to current leakages, additional processing modes have been found that lead to a decrease in such parasitic effects. The processes of passivation of diode structures have been studied and it has been shown that silicon nitride films are the optimal coatings. A technology has been developed and experimental models of photodiodes have been manufactured. Cite this article: Dubikovskyi O.V. Mass spectrometric studies in the technology of manufacturing multi-element IR photodetectors based on indium antimonide. Visn. Nac. Akad. Nauk Ukr. 2023. (2): 79—84. https://doi.org/10.15407/visn2023.02.079 Розроблено чисельну процедуру розрахунків вольт-амперних характеристик, яку застосовано для аналізу InSb-діода з p-n-переходом. Визначено оптимальний профіль легування елекрично активної домішки. Показано, що для досягнення високої ефективності фотодетектування потрібно застосовувати мультиенергетичну іонну імплантацію з енергією від 20 до 200 кеВ. Відповідну технологію було реалізовано. На різних етапах процесу використовували методи мас-спектрометрії вторинних іонів, що дало можливість коригувати технологічні параметри, зокрема контролювати профілі розподілу домішок. Встановлено, що оксиди індію та антимоніду, а також сегрегація антимоніду призводять до витоків струму. Знайдено режими додаткової обробки, які знижують такі паразитні ефекти. Досліджено процеси пасивації діодних структур і показано, що оптимальними покриттями є плівки нітриду кремнію. Розроблено технологію та виготовлено експериментальні зразки фотодіодів. Цитування: Дубіковський О.В. Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію. Вісник НАН України. 2023. № 2. С. 79—84. https://doi.org/10.15407/visn2023.02.079 Видавничий дім "Академперіодика" 2023-02-20 Article Article application/pdf https://nasu-periodicals.org.ua/index.php/visnyk/article/view/780 10.15407/visn2023.02.079 Visnik Nacional noi academii nauk Ukrai ni; No. 2 (2023): Visnyk of the National Academy of Sciences of Ukraine; 79-84 Visnik Nacional noi academii nauk Ukrai ni; № 2 (2023): Вісник Національної академії наук України; 79-84 2518-1203 1027-3239 10.15407/visn2023.02 uk https://nasu-periodicals.org.ua/index.php/visnyk/article/view/780/742 Авторське право (c) 2023 Вісник НАН України |
| institution |
Visnyk of the National Academy of Sciences of Ukraine |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2024-03-19T20:13:38Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
ІЧ-фотоприймач мас-спектрометрія вторинних іонів іонне легування багатошарові наноструктури |
| spellingShingle |
ІЧ-фотоприймач мас-спектрометрія вторинних іонів іонне легування багатошарові наноструктури Дубіковський, Олександр Володимирович Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію: За матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 року |
| topic_facet |
IR photodetector secondary ion mass spectrometry ion doping multilayer nanostructures ІЧ-фотоприймач мас-спектрометрія вторинних іонів іонне легування багатошарові наноструктури |
| format |
Article |
| author |
Дубіковський, Олександр Володимирович |
| author_facet |
Дубіковський, Олександр Володимирович |
| author_sort |
Дубіковський, Олександр Володимирович |
| title |
Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію: За матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 року |
| title_short |
Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію: За матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 року |
| title_full |
Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію: За матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 року |
| title_fullStr |
Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію: За матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 року |
| title_full_unstemmed |
Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію: За матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 року |
| title_sort |
мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних іч-фотоприймачів на основі антимоніду індію: за матеріалами наукового повідомлення на засіданні президії нан україни 28 грудня 2022 року |
| title_alt |
Mass spectrometric studies in the technology of manufacturing multi-element IR photodetectors based on indium antimonide: According to the materials of report at the meeting of the Presidium of the NAS of Ukraine, December 28, 2022 |
| description |
A numerical procedure for calculating the current-voltage characteristics was developed, which was applied to the analysis of an InSb diode with a p-n junction, and the optimal doping profile of an electrically active impurity was determined. It has been shown that to achieve a high efficiency of photodetection, it is necessary to use multi-energy ion implantation with energies from 20 to 200 keV. The corresponding technology was implemented, and secondary ion mass spectrometry methods were used at different stages of the process, which made it possible to adjust the technological parameters, in particular, control the impurity distribution profiles. It has been established that oxides of indium and antimonide, as well as segregation of antimonide, lead to current leakages, additional processing modes have been found that lead to a decrease in such parasitic effects. The processes of passivation of diode structures have been studied and it has been shown that silicon nitride films are the optimal coatings. A technology has been developed and experimental models of photodiodes have been manufactured.
Cite this article: Dubikovskyi O.V. Mass spectrometric studies in the technology of manufacturing multi-element IR photodetectors based on indium antimonide. Visn. Nac. Akad. Nauk Ukr. 2023. (2): 79—84. https://doi.org/10.15407/visn2023.02.079 |
| publisher |
Видавничий дім "Академперіодика" |
| publishDate |
2023 |
| url |
https://nasu-periodicals.org.ua/index.php/visnyk/article/view/780 |
| work_keys_str_mv |
AT dubíkovsʹkijoleksandrvolodimirovič massspectrometricstudiesinthetechnologyofmanufacturingmultielementirphotodetectorsbasedonindiumantimonideaccordingtothematerialsofreportatthemeetingofthepresidiumofthenasofukrainedecember282022 AT dubíkovsʹkijoleksandrvolodimirovič masspektrometričnídoslídžennâvtehnologíívigotovlennâbagatoelementnihíčfotoprijmačívnaosnovíantimoníduíndíûzamateríalaminaukovogopovídomlennânazasídanníprezidíínanukraíni28grudnâ2022roku |
| first_indexed |
2025-09-24T17:16:27Z |
| last_indexed |
2025-09-24T17:16:27Z |
| _version_ |
1849548056194711552 |