СТВОРЕННЯ АПАРАТУРИ ДЛЯ НИЗЬКОТЕМПЕРАТУРНИХ ДОСЛІДЖЕНЬ ВОЛЬТ-АМПЕРНИХ ХАРАКТЕРИСТИК І ГАЛЬВАНОМАГНІТНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ МАТЕРІАЛІВ ТА СТРУКТУР НА ЇХНІЙ ОСНОВI В ПОЛІ ЗОВНІШНЬОГО МАГНІТА
Вступ. Дослідження вольт-амперних характеристик (ВАХ) та гальваномагнітних властивостей напівпровідникових матеріалів та структур на їхній основі під дією НВЧ випромінювання та магнітних полів у широкому діапазоні температур є актуальною задачею для розробки елементної бази спінтроніки та надчутливи...
Gespeichert in:
| Datum: | 2022 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
PH “Akademperiodyka”
2022
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://scinn-eng.org.ua/ojs/index.php/ni/article/view/219 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Science and Innovation |
Institution
Science and Innovation| Zusammenfassung: | Вступ. Дослідження вольт-амперних характеристик (ВАХ) та гальваномагнітних властивостей напівпровідникових матеріалів та структур на їхній основі під дією НВЧ випромінювання та магнітних полів у широкому діапазоні температур є актуальною задачею для розробки елементної бази спінтроніки та надчутливих сенсорів.Проблематика. Наразі не існує прецизійного комплексу терморегульованої кріогенної апаратури для низькотемпературних досліджень в полі зовнішнього магніта ВАХ та гальваномагнітних властивостей напівпровідникових матеріалів та структур на їхній основі, яка б повністю могла задовільнити потреби вивчення параметрів надпровідних матеріалів.Мета. Розробка конструкції та виготовлення єдиного комп’ютеризованого комплексу терморегульованої кріогенної апаратури.Матеріали й методи. На основі наявного вітчизняного досвіду створення кріосистем для магніто-фізичних досліджень та аксесуарів до них виконано розробку та виготовлення комплексу терморегульованої кріогенної апаратури для досліджень вольт-амперних характеристик та гальваномагнітних властивостей напівпровідникових матеріалів та структур на їхній основі на базі кріостата із спеціалізованим маніпулятором.Результати. Створено комплекс прецизійної кріогенної апаратури у складі терморегульованої у діапазоні 1,5–300 К кріосистеми на базі гелієвого кріостата рідинно-проточного типу з вузьким хвостовиком, з вбудованого у міжполюсний отвір зовнішнього магніта із спеціалізованим маніпулятором з вбудованим ємнісним вимірювачем рівня рідкого гелію в шахті кріостата, з регулятором температури, з блоками вимірювання вольт-амперних характеристик та гальваномагнітних властивостей напівпровідникових матеріалів та програмним забезпеченням.Висновки. Характеристики розробленої апаратури не поступаються показникам кращих західних аналогів, а за витратами кріоагента й сервісу перевищують їх. |
|---|