СТВОРЕННЯ АПАРАТУРИ ДЛЯ НИЗЬКОТЕМПЕРАТУРНИХ ДОСЛІДЖЕНЬ ВОЛЬТ-АМПЕРНИХ ХАРАКТЕРИСТИК І ГАЛЬВАНОМАГНІТНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ МАТЕРІАЛІВ ТА СТРУКТУР НА ЇХНІЙ ОСНОВI В ПОЛІ ЗОВНІШНЬОГО МАГНІТА

Вступ. Дослідження вольт-амперних характеристик (ВАХ) та гальваномагнітних властивостей напівпровідникових матеріалів та структур на їхній основі під дією НВЧ випромінювання та магнітних полів у широкому діапазоні температур є актуальною задачею для розробки елементної бази спінтроніки та надчутливи...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2022
Hauptverfasser: ZHARKOV, I., SAFRONOV, V., KHODUNOV, V., KONOVAL, V., PALAMARHUK , I., SELIVANOV, O., SOLONETSKY, А., ALEYNIKOV, A., VIRKO, S.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: PH “Akademperiodyka” 2022
Schlagworte:
Online Zugang:https://scinn-eng.org.ua/ojs/index.php/ni/article/view/219
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Science and Innovation

Institution

Science and Innovation
Beschreibung
Zusammenfassung:Вступ. Дослідження вольт-амперних характеристик (ВАХ) та гальваномагнітних властивостей напівпровідникових матеріалів та структур на їхній основі під дією НВЧ випромінювання та магнітних полів у широкому діапазоні температур є актуальною задачею для розробки елементної бази спінтроніки та надчутливих сенсорів.Проблематика. Наразі не існує прецизійного комплексу терморегульованої кріогенної апаратури для низькотемпературних досліджень в полі зовнішнього магніта ВАХ та гальваномагнітних властивостей напівпровідникових матеріалів та структур на їхній основі, яка б повністю могла задовільнити потреби вивчення параметрів надпровідних матеріалів.Мета. Розробка конструкції та виготовлення єдиного комп’ютеризованого комплексу терморегульованої кріогенної апаратури.Матеріали й методи. На основі наявного вітчизняного досвіду створення кріосистем для магніто-фізичних досліджень та аксесуарів до них виконано розробку та виготовлення комплексу терморегульованої кріогенної апаратури для досліджень вольт-амперних характеристик та гальваномагнітних властивостей напівпровідникових матеріалів та структур на їхній основі на базі кріостата із спеціалізованим маніпулятором.Результати. Створено комплекс прецизійної кріогенної апаратури у складі терморегульованої у діапазоні 1,5–300 К кріосистеми на базі гелієвого кріостата рідинно-проточного типу з вузьким хвостовиком, з вбудованого у міжполюсний отвір зовнішнього магніта із спеціалізованим маніпулятором з вбудованим ємнісним вимірювачем рівня рідкого гелію в шахті кріостата, з регулятором температури, з блоками вимірювання вольт-амперних характеристик та гальваномагнітних властивостей напівпровідникових матеріалів та програмним забезпеченням.Висновки. Характеристики розробленої апаратури не поступаються показникам кращих західних аналогів, а за витратами кріоагента й сервісу перевищують їх.