МІКРОСМУЖКОВІ НАПІВПРОВІДНИКОВІ СТРУКТУРИ З ОПТИЧНИМ КЕРУВАННЯМ

• Datum: 2025
• Hauptverfasser: TKACHENKO, N., DIDENKO, Yu., TATARCHUK, D., POPLAVKO, Yu., OLIINYK, O.
• Format: Artikel
• Sprache: English
• Veröffentlicht: PH “Akademperiodyka” 2025
• Schlagworte: НВЧ фільтри з оптичним керуванням; напівпровідникові НВЧ фільтри; керовані НВЧ фільтри; напівпровідникові НВЧ фільтри з оптичним керуванням; напівпровідникові структури з оптичним керуванням; оптичне керування
• Online Zugang: https://scinn-eng.org.ua/ojs/index.php/ni/article/view/699
• Назва журналу: Science and Innovation

Вступ. Розвиток інформаційних технологій потребує оновлення апаратної бази, створення більш ефективних комунікаційних пристроїв мікрохвильового діапазону частот, зокрема й частотноселективних пристроїв з керованими характеристиками.Проблематика. Існуючі методи керування характеристиками частотноселективних пристроїв мають низку недоліків. Так, пристрої з механічним й електромеханічним керуванням мають низьку швидкодію, габаритні і потребують високих керувальних напруг. Пристрої з електронним керуванням мають невеликий діапазон перелаштування частоти, низький рівень розв’язки зі схемою керування та складну технологію виготовлення. Отже, розробка нових керованих частотноселективних пристроїв потребує принципово інших підходів до схемотехнічних рішень, способів керування робочими параметрами таких пристроїв, технологій їх виготовлення.Мета. Аналіз можливості використання оптичнокерованих напівпровідникових резонансних структур для створення частотноселективних пристроїв.Матеріали й методи. Основою для створення таких структур можуть стати напівпровідникові матеріали, наприклад, GaAs або CdS, провідністю яких можна керувати за допомогою лазерного опромінення з довжиною хвилі, що відповідає максимуму спектральної чутливості матеріалів.Результати. Проаналізовано підходи до створення частотноселективних пристроїв з керованими характеристиками та запропоновано новий підхід до їх реалізації. Протестовано макет мікросмужкового оптичнокерованого фільтру на основі GaAs у діапазоні частот від 3 до 6 ГГц. Значення перелаштування резонансної частоти склало 69 МГц (2% від початкового значення).Висновки. Показано можливість реалізації оптичнокерованих фільтрів на основі напівпровідникових мікросмужкових ліній, запропоновано конструкцію керованої частотноселективної структури мікрохвильового діапазону. Остання може бути виготовлена за стандартною планарною технологією в єдиному технологічному циклі з активними компонентами.