ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ

• Date: 2025
• Main Authors: Ковбаса, С.М., Вербовий, Ю.В., Коломійчук , Є.В.
• Format: Article
• Language: Ukrainian
• Published: Інститут електродинаміки НАН України, Київ 2025
• Subjects: напівпровідники з широкою забороненою зоною; тест подвійним імпульсом; силова електроніка; Si-MOSFET; SiC-MOSFET; Si-IGBT; втрати на перемикання; електропривод; високочастотна ШІМ
• Online Access: https://techned.org.ua/index.php/techned/article/view/1709
• Journal Title: Technical Electrodynamics

This work is dedicated to the practical determination and comparison of the dynamic characteristics of silicon (Si) MOSFET, silicon carbide (SiC) MOSFET, and silicon IGBT when switching an active-inductive load, which is the most used mode of operation in electric drives and power converters. The ma...