МОДЕЛЮВАННЯ ПЕРЕХІДНИХ ПРОЦЕСІВ У РОЗРЯДНО-ІМПУЛЬСНІЙ СИСТЕМІ ОБРОБЛЕННЯ ГРАНУЛЬОВАНИХ СТРУМОПРОВІДНИХ СЕРЕДОВИЩ З ВИКОРИСТАННЯМ УТОЧНЕНОЇ ЗАЛЕЖНОСТІ ЇХНЬОГО ОПОРУ ВІД ЧАСУ

Досліджено залежності від часу опору плазмоерозійного навантаження. Вперше виявлено дві нові характерні ділянки першої моди цієї залежності. В результаті їхнього аналізу обґрунтовано явище повторного утвореннястримерних і лідерних плазмових каналів після згасання переважної більшості плазмових канал...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2019
Hauptverfasser: Шидловська, Н.А., Захарченко, С.М., Черкаський, О.П.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainisch
Veröffentlicht: Інститут електродинаміки НАН України, Київ 2019
Schlagworte:
Online Zugang:https://techned.org.ua/index.php/techned/article/view/554
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Technical Electrodynamics

Institution

Technical Electrodynamics
Beschreibung
Zusammenfassung:Досліджено залежності від часу опору плазмоерозійного навантаження. Вперше виявлено дві нові характерні ділянки першої моди цієї залежності. В результаті їхнього аналізу обґрунтовано явище повторного утвореннястримерних і лідерних плазмових каналів після згасання переважної більшості плазмових каналів, які утворилися раніше. З урахуванням двох нових характерних ділянок першої моди залежності опору плазмоерозійного навантаження від часу побудовано її уточнену параметричну модель. Знайдено оптимальні за критеріями трьох основних параметрів нев’язки апроксимації значення параметрів цієї моделі. Запропоновано функції, які апроксимують залежності цих параметрів від амплітуди імпульсів напруги, прикладеної до навантаження, тазнайдено оптимальні значення їхніх коефіцієнтів. У програмному пакеті Mathlab Simulink створено модель розрядно-імпульсної системи з уточненою параметричною моделлю плазмоерозійного навантаження і розраховано перехідні процеси у ній. Представлено оцінку адекватності моделювання перехідних процесів у порівнянніз реальними процесами. Бібл. 18, рис. 4, табл. 4.