Ultra-Low-Noise Cryogenic PHEMT Amplifiers

Ultra-Low-Noise Cryogenic PHEMT Amplifiers

Предложен новый подход к разработке криогенно охлаждаемых малошумящих усилителей в диапазоне 0.5-4 ГГц. Особое внимание уделено устойчивости и шумовым характеристикам при криогенных температурах. При охлаждении до 20-80 К шумовая температура представленных устройств составляет единицы градусов Кельв...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2013
Автори: Korolev, O. M., Shulga, V. M.
Формат: Стаття
Мова:rus
Опубліковано: Видавничий дім «Академперіодика» 2013
Онлайн доступ:http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/612
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Radio physics and radio astronomy

Репозитарії

Radio physics and radio astronomy
id oai:ri.kharkov.ua:article-612
record_format ojs
spelling oai:ri.kharkov.ua:article-6122013-02-08T00:31:43Z Сверхмалошумящие криогенно охлаждаемые усилители на псевдоморфных гетероструктурных полевых транзисторах Ultra-Low-Noise Cryogenic PHEMT Amplifiers Korolev, O. M. Shulga, V. M. Предложен новый подход к разработке криогенно охлаждаемых малошумящих усилителей в диапазоне 0.5-4 ГГц. Особое внимание уделено устойчивости и шумовым характеристикам при криогенных температурах. При охлаждении до 20-80 К шумовая температура представленных устройств составляет единицы градусов Кельвина. Такие значения являются лучшим результатом для устройств на коммерчески доступных псевдоморфных гетероструктурных полевых транзисторах (PHEMT) и близки к характеристикам аналогов на фосфид-индиевых HEMT, специально предназначенных для охлаждаемых усилителей. Основная область применения разработанных усилителей – радиоастрономические приемные устройства, в которых эти усилители могут использоваться в качестве входных или как усилители промежуточных частот. A novel approach is suggested to design the cryogenically cooled low-noise amplifiers for the frequency range 0.5 to 4 GHz with emphasis on noise and stability performances. When cooled to 20-80 Kelvin, the noise temperature of the represented devices, being about a few degrees Kelvin, shows to be the best for the devices on commercially available PHEMTs being close to those using special-purpose cooled InP-HEMTs. The major scope of application for such devices are radio astronomy receivers where these amplifiers can be used either as input or IF ones. Видавничий дім «Академперіодика» 2013-02-07 Article Article application/pdf http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/612 РАДИОФИЗИКА И РАДИОАСТРОНОМИЯ; Vol 12, No 1 (2007); 84 RADIO PHYSICS AND RADIO ASTRONOMY; Vol 12, No 1 (2007); 84 РАДІОФІЗИКА І РАДІОАСТРОНОМІЯ; Vol 12, No 1 (2007); 84 2415-7007 1027-9636 rus http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/612/182
institution Radio physics and radio astronomy
collection OJS
language rus
format Article
author Korolev, O. M.
Shulga, V. M.
spellingShingle Korolev, O. M.
Shulga, V. M.
Ultra-Low-Noise Cryogenic PHEMT Amplifiers
author_facet Korolev, O. M.
Shulga, V. M.
author_sort Korolev, O. M.
title Ultra-Low-Noise Cryogenic PHEMT Amplifiers
title_short Ultra-Low-Noise Cryogenic PHEMT Amplifiers
title_full Ultra-Low-Noise Cryogenic PHEMT Amplifiers
title_fullStr Ultra-Low-Noise Cryogenic PHEMT Amplifiers
title_full_unstemmed Ultra-Low-Noise Cryogenic PHEMT Amplifiers
title_sort ultra-low-noise cryogenic phemt amplifiers
title_alt Сверхмалошумящие криогенно охлаждаемые усилители на псевдоморфных гетероструктурных полевых транзисторах
description Предложен новый подход к разработке криогенно охлаждаемых малошумящих усилителей в диапазоне 0.5-4 ГГц. Особое внимание уделено устойчивости и шумовым характеристикам при криогенных температурах. При охлаждении до 20-80 К шумовая температура представленных устройств составляет единицы градусов Кельвина. Такие значения являются лучшим результатом для устройств на коммерчески доступных псевдоморфных гетероструктурных полевых транзисторах (PHEMT) и близки к характеристикам аналогов на фосфид-индиевых HEMT, специально предназначенных для охлаждаемых усилителей. Основная область применения разработанных усилителей – радиоастрономические приемные устройства, в которых эти усилители могут использоваться в качестве входных или как усилители промежуточных частот.
publisher Видавничий дім «Академперіодика»
publishDate 2013
url http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/612
work_keys_str_mv AT korolevom sverhmalošumâŝiekriogennoohlaždaemyeusilitelinapsevdomorfnyhgeterostrukturnyhpolevyhtranzistorah
AT shulgavm sverhmalošumâŝiekriogennoohlaždaemyeusilitelinapsevdomorfnyhgeterostrukturnyhpolevyhtranzistorah
AT korolevom ultralownoisecryogenicphemtamplifiers
AT shulgavm ultralownoisecryogenicphemtamplifiers
first_indexed 2024-05-26T06:32:49Z
last_indexed 2024-05-26T06:32:49Z
_version_ 1800095840244596736

Схожі ресурси