On Increasing of Stability of HEMT Low Noise Amplifiers
В настоящей работе описывается способ повышения устойчивости усилителей на HEMT, основанный на непосредственном каскадировании в сочетании с местной обратной связью. Теоретически и экспериментально подтверждена возможность предотвращения паразитной генерации вне рабочей полосы частот усилителя без у...
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автор: | Korolev, O. M. |
Формат: | Стаття |
Мова: | rus |
Опубліковано: |
Видавничий дім «Академперіодика»
2013
|
Онлайн доступ: | http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/778 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Radio physics and radio astronomy |
Репозитарії
Radio physics and radio astronomyСхожі ресурси
-
Peculiarities of HEMT Ultra-Low-Noise Amplifier Implementation at Non-Сryogenic Сooling Level
за авторством: Korolev, O. M., та інші
Опубліковано: (2013) -
Ultra-Low-Noise Cryogenic PHEMT Amplifiers
за авторством: Korolev, O. M., та інші
Опубліковано: (2013) -
Unsaturated Regime as Alternative Method to Provide Stability of Low-Noise Amplifier on High-Electron-Mobility Transistors
за авторством: Korolev, O. M., та інші
Опубліковано: (2012) -
Ultra-Low-Noise Operation of Broadband Uncooled PHEMT Amplifier in Ultrahigh-Frequency Band
за авторством: Korolev, O. M., та інші
Опубліковано: (2013) -
SiGe HBT low noise amplifiers for ultra-wideband systems
за авторством: V. P. Popov, та інші
Опубліковано: (2013)