Peculiarities of FET Matching for Low-Noise Operation in Decimeter Range
Особенности согласования полевых транзисторных структур на минимум шум-фактора в дециметровом диапазоне
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автор: | Korolev, O. M. |
Формат: | Стаття |
Мова: | rus |
Опубліковано: |
Видавничий дім «Академперіодика»
2013
|
Онлайн доступ: | http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/838 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Radio physics and radio astronomy |
Репозитарії
Radio physics and radio astronomyСхожі ресурси
-
Low-frequency noise in nFinFETs of different dimensions processed in strained and non-strained SOI wafers
за авторством: Lukyanchikova, N., та інші
Опубліковано: (2008) -
Ultra-Low-Noise Operation of Broadband Uncooled PHEMT Amplifier in Ultrahigh-Frequency Band
за авторством: Korolev, O. M., та інші
Опубліковано: (2013) -
On Increasing of Stability of HEMT Low Noise Amplifiers
за авторством: Korolev, O. M.
Опубліковано: (2013) -
Peculiarities of HEMT Ultra-Low-Noise Amplifier Implementation at Non-Сryogenic Сooling Level
за авторством: Korolev, O. M., та інші
Опубліковано: (2013) -
Ultra-Low-Noise Cryogenic PHEMT Amplifiers
за авторством: Korolev, O. M., та інші
Опубліковано: (2013)