Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Cr⁴⁺:АИГ
The features of developing microchip lasers with passive Q-switching are considered. The active medium of the laser is an epitaxial layer of the saturable absorber Cr⁴⁺:YAG grown by liquid-phase epitaxy on an Nd:YAG substrate. Laser mirrors were deposited by electron-beam evaporation. Pumping was c...
Gespeichert in:
| Datum: | 2005 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2005
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.6.30 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1862496238056767488 |
|---|---|
| author | Izhnin, I. I. Vakiv, N. M. Izhnin, А. I. Syvorotka, I. M. Ubizskii, S. B. Syvorotka, I. M. |
| author_facet | Izhnin, I. I. Vakiv, N. M. Izhnin, А. I. Syvorotka, I. M. Ubizskii, S. B. Syvorotka, I. M. |
| author_sort | Izhnin, I. I. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-04-14T13:06:18Z |
| description |
The features of developing microchip lasers with passive Q-switching are considered. The active medium of the laser is an epitaxial layer of the saturable absorber Cr⁴⁺:YAG grown by liquid-phase epitaxy on an Nd:YAG substrate. Laser mirrors were deposited by electron-beam evaporation. Pumping was carried out with a continuous-wave semiconductor laser (808 nm). The obtained laser parameters are: pulse duration of 1.3 ns, pulse repetition rate of 5.5 kHz, and peak pulse power of 1.2 kW.
|
| first_indexed | 2026-04-15T01:00:26Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1003 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-04-15T01:00:26Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-10032026-04-14T13:06:18Z Microchip lasers with passive Q-switching based on Nd:YAG/Cr⁴⁺:YAG epitaxial structures Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Cr⁴⁺:АИГ Izhnin, I. I. Vakiv, N. M. Izhnin, А. I. Syvorotka, I. M. Ubizskii, S. B. Syvorotka, I. M. microchip laser passive Q-switching saturable absorber Nd:YAG/Cr⁴⁺:YAG epitaxial structure микрочиповый лазер пассивная модуляция добротности насыщаемый поглотитель эпитаксиальная структура Nd:АИГ/ Cr 4:АИГ The features of developing microchip lasers with passive Q-switching are considered. The active medium of the laser is an epitaxial layer of the saturable absorber Cr⁴⁺:YAG grown by liquid-phase epitaxy on an Nd:YAG substrate. Laser mirrors were deposited by electron-beam evaporation. Pumping was carried out with a continuous-wave semiconductor laser (808 nm). The obtained laser parameters are: pulse duration of 1.3 ns, pulse repetition rate of 5.5 kHz, and peak pulse power of 1.2 kW. Рассмотрены особенности разработки микрочиповых лазеров с пассивной модуляцией добротности. Активная среда лазера — эпитаксиальный слой насыщаемого поглотителя Cr+4:АИГ, выращенного методом жидкофазной эпитаксии на подложке Nd:АИГ. Лазерные зеркала нанесены методом электронного напыления. Накачка осуществлялась непрерывным полупроводниковым лазером (808 нм). Получены параметры лазерного излучения: длительность импульса 1,3 нс, частота повторения импульсов 5,5 кГц, мощность в импульсе 1,2 кВт. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005-12-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.6.30 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2005): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 30-32 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 30-32 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.6.30/913 Copyright (c) 2005 Izhnin I. I., Vakiv N. M., Izhnin A. I., Syvorotka I. M., Ubizskii S. B. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | микрочиповый лазер пассивная модуляция добротности насыщаемый поглотитель эпитаксиальная структура Nd:АИГ/ Cr 4:АИГ Izhnin, I. I. Vakiv, N. M. Izhnin, А. I. Syvorotka, I. M. Ubizskii, S. B. Syvorotka, I. M. Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Cr⁴⁺:АИГ |
| title | Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Cr⁴⁺:АИГ |
| title_alt | Microchip lasers with passive Q-switching based on Nd:YAG/Cr⁴⁺:YAG epitaxial structures |
| title_full | Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Cr⁴⁺:АИГ |
| title_fullStr | Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Cr⁴⁺:АИГ |
| title_full_unstemmed | Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Cr⁴⁺:АИГ |
| title_short | Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Cr⁴⁺:АИГ |
| title_sort | микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур nd:аиг/cr⁴⁺:аиг |
| topic | микрочиповый лазер пассивная модуляция добротности насыщаемый поглотитель эпитаксиальная структура Nd:АИГ/ Cr 4:АИГ |
| topic_facet | microchip laser passive Q-switching saturable absorber Nd:YAG/Cr⁴⁺:YAG epitaxial structure микрочиповый лазер пассивная модуляция добротности насыщаемый поглотитель эпитаксиальная структура Nd:АИГ/ Cr 4:АИГ |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.6.30 |
| work_keys_str_mv | AT izhninii microchiplaserswithpassiveqswitchingbasedonndyagcr4yagepitaxialstructures AT vakivnm microchiplaserswithpassiveqswitchingbasedonndyagcr4yagepitaxialstructures AT izhninai microchiplaserswithpassiveqswitchingbasedonndyagcr4yagepitaxialstructures AT syvorotkaim microchiplaserswithpassiveqswitchingbasedonndyagcr4yagepitaxialstructures AT ubizskiisb microchiplaserswithpassiveqswitchingbasedonndyagcr4yagepitaxialstructures AT syvorotkaim microchiplaserswithpassiveqswitchingbasedonndyagcr4yagepitaxialstructures AT izhninii mikročipovyelazeryspassivnojmodulâciejdobrotnostinaosnoveépitaksialʹnyhstrukturndaigcr4aig AT vakivnm mikročipovyelazeryspassivnojmodulâciejdobrotnostinaosnoveépitaksialʹnyhstrukturndaigcr4aig AT izhninai mikročipovyelazeryspassivnojmodulâciejdobrotnostinaosnoveépitaksialʹnyhstrukturndaigcr4aig AT syvorotkaim mikročipovyelazeryspassivnojmodulâciejdobrotnostinaosnoveépitaksialʹnyhstrukturndaigcr4aig AT ubizskiisb mikročipovyelazeryspassivnojmodulâciejdobrotnostinaosnoveépitaksialʹnyhstrukturndaigcr4aig AT syvorotkaim mikročipovyelazeryspassivnojmodulâciejdobrotnostinaosnoveépitaksialʹnyhstrukturndaigcr4aig |