Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
The results of plasma-chemical etching of gallium nitride epitaxial structures on sapphire substrates are presented. Etching was carried out in a plasma-chemical reactor with closed electron drift. The working gases were CCl₄ and its mixtures with O₂ or Ar. A nickel mask with a thickness of 0.5–0.8...
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2005
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.6.42 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1862496238035795968 |
|---|---|
| author | Borisenko, A. G. Polozov, B. P. Fedorovich, O. A. Boltovets, M. S. Ivanov, V. N. Sveschnikov, Yu. N. |
| author_facet | Borisenko, A. G. Polozov, B. P. Fedorovich, O. A. Boltovets, M. S. Ivanov, V. N. Sveschnikov, Yu. N. |
| author_sort | Borisenko, A. G. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-04-14T13:06:18Z |
| description | The results of plasma-chemical etching of gallium nitride epitaxial structures on sapphire substrates are presented. Etching was carried out in a plasma-chemical reactor with closed electron drift. The working gases were CCl₄ and its mixtures with O₂ or Ar. A nickel mask with a thickness of 0.5–0.8 μm was used. The average etching rate of complex epitaxial structures with gallium nitride, taking into account sapphire etching, was ≤540 Å/min. High-temperature Hall sensors for magnetic field measurements were fabricated. |
| first_indexed | 2026-04-15T01:00:26Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1006 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-04-15T01:00:26Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-10062026-04-14T13:06:18Z Plasma-chemical etching of gallium nitride epitaxial structures Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия Borisenko, A. G. Polozov, B. P. Fedorovich, O. A. Boltovets, M. S. Ivanov, V. N. Sveschnikov, Yu. N. epitaxial layers gallium nitride plasma-chemical etching plasma-chemical reactor эпитаксиальные слои нитрид галлия плазмохимическое травление плазмохимический реактор The results of plasma-chemical etching of gallium nitride epitaxial structures on sapphire substrates are presented. Etching was carried out in a plasma-chemical reactor with closed electron drift. The working gases were CCl₄ and its mixtures with O₂ or Ar. A nickel mask with a thickness of 0.5–0.8 μm was used. The average etching rate of complex epitaxial structures with gallium nitride, taking into account sapphire etching, was ≤540 Å/min. High-temperature Hall sensors for magnetic field measurements were fabricated. Представлены результаты плазмохимического травления эпитаксиальных структур нитрида галлия на сапфировой подложке. Травление проводилось в плазмохимическом реакторе с замкнутым дрейфом электронов. Рабочие газы - ССl4 и его смеси с О2 или Аr. Маской служил никель толщиной 0,5÷0,8 мкм. Получена усредненная скорость травления сложных эпитаксиальных структур с нитридом галлия ≤540 Å/мин с учетом травления сапфира. Изготовлены высокотемпературные датчики Холла для измерений магнитных полей. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005-12-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.6.42 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2005): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 42-46 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 42-46 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.6.42/916 Copyright (c) 2005 Borisenko A. G., Polozov B. P., Fedorovich O. A., Boltovets M. S., Ivanov V. N., Sveschnikov Yu. N. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | эпитаксиальные слои нитрид галлия плазмохимическое травление плазмохимический реактор Borisenko, A. G. Polozov, B. P. Fedorovich, O. A. Boltovets, M. S. Ivanov, V. N. Sveschnikov, Yu. N. Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия |
| title | Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия |
| title_alt | Plasma-chemical etching of gallium nitride epitaxial structures |
| title_full | Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия |
| title_fullStr | Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия |
| title_full_unstemmed | Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия |
| title_short | Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия |
| title_sort | плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия |
| topic | эпитаксиальные слои нитрид галлия плазмохимическое травление плазмохимический реактор |
| topic_facet | epitaxial layers gallium nitride plasma-chemical etching plasma-chemical reactor эпитаксиальные слои нитрид галлия плазмохимическое травление плазмохимический реактор |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.6.42 |
| work_keys_str_mv | AT borisenkoag plasmachemicaletchingofgalliumnitrideepitaxialstructures AT polozovbp plasmachemicaletchingofgalliumnitrideepitaxialstructures AT fedorovichoa plasmachemicaletchingofgalliumnitrideepitaxialstructures AT boltovetsms plasmachemicaletchingofgalliumnitrideepitaxialstructures AT ivanovvn plasmachemicaletchingofgalliumnitrideepitaxialstructures AT sveschnikovyun plasmachemicaletchingofgalliumnitrideepitaxialstructures AT borisenkoag plazmohimičeskoetravlenieépitaksialʹnyhstrukturnitridagalliâ AT polozovbp plazmohimičeskoetravlenieépitaksialʹnyhstrukturnitridagalliâ AT fedorovichoa plazmohimičeskoetravlenieépitaksialʹnyhstrukturnitridagalliâ AT boltovetsms plazmohimičeskoetravlenieépitaksialʹnyhstrukturnitridagalliâ AT ivanovvn plazmohimičeskoetravlenieépitaksialʹnyhstrukturnitridagalliâ AT sveschnikovyun plazmohimičeskoetravlenieépitaksialʹnyhstrukturnitridagalliâ |